本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括基底以及设置在所述基底上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，所述薄膜晶体管还包括凹槽，所述氧化物半导体层设置在所述凹槽中。本发明专利技术提供的薄膜晶体管，其中的氧化物半导体层可以采用溶液制程法制作，当对氧化物半导体层的前驱体溶液进行退火时，利用凹槽外的溶液向凹槽内流动的倾向性，对凹槽中溶液的收缩提供补给，使凹槽中形成的膜层不易产生气泡，并且通过设置凹槽，可以增大氧化物半导体层的附着力，防止氧化物半导体层变形脱落。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，TFT (薄膜晶体管)是TFT-1XD中的重要组成部分，现有技术中，根据沟道材料的不同，TFT主要有氧化物半导体TFT (Oxide TFT，简称氧化物TFT)和非晶硅TFT两种，其中，氧化物TFT因其具有更大的开关电流比，使其更适合制作高分辨率、尚刷新率的尚端显不广品。目前，氧化物TFT中氧化物半导体的制作方法主要包括sputter (溅射)法和溶液制程法，其中，与sputter方法相比，溶液制程法无须购买昂贵的sputter设备及革El材，并且具有成分可调性好、生产成本低，产品尺寸限制小等优势，目前已成为研究热点，然而，通过溶液制程法得到的氧化物半导体层，由于在对前驱体溶液进行烘干及退火过程中其中的有机成分发生收缩，容易在膜层内部产生大量气泡，进而导致不良。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是:如何解决现有技术在采用溶液制程法制作氧化物半导体层时膜层内部产生气泡的问题。( 二)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供了一种薄膜晶体管，包括基底以及设置在所述基底上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，所述薄膜晶体管还包括凹槽，所述氧化物半导体层设置在所述凹槽中。优选地，还包括设置在所述基底上的缓冲层，所述凹槽设置在所述缓冲层上。优选地，所述氧化物半导体层的上表面与所述缓冲层在所述凹槽区域之外的上表面位于同一平面。优选地，所述栅极绝缘层、所述栅极依次设置在所述氧化物半导体层上，所述栅极上还形成有层间介质层，所述源极、所述漏极通过所述层间介质层上的过孔与所述氧化物半导体层连接。优选地，所述凹槽设置在所述栅极绝缘层上。优选地，所述氧化物半导体层的上表面与所述栅极绝缘层在所述凹槽区域之外的上表面位于同一平面。优选地，所述栅极绝缘层设置在所述栅极上，所述源极、所述漏极设置在所述氧化物半导体层上。优选地，所述凹槽的深度为30nm?lOOnm，所述凹槽的坡度角为20度?60度。为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种阵列基板，包括上述的薄膜晶体管。为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括基底以及设置在所述基底上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，其中，形成所述氧化物半导体层包括:形成凹槽；在所述凹槽中形成所述氧化物半导体层。优选地，所述形成凹槽包括:在所述基底上形成缓冲层，对所述缓冲层进行刻蚀从而形成所述凹槽。优选地，所述形成凹槽包括:对所述栅极绝缘层进行刻蚀从而形成所述凹槽。优选地，在所述凹槽中形成所述氧化物半导体层包括:将所述氧化物半导体层的前驱体溶液涂布在所述凹槽上；对所述前驱体溶液进行退火处理，形成氧化物半导体薄膜；去除位于所述凹槽外的氧化物半导体薄膜，形成所述氧化物半导体层。优选地，所述退火处理的气氛包含以下的至少一种:氧气、一氧化二氮。优选地，所述退火处理的压强为0.5MPa?2MPa。(三)有益效果本专利技术提供的薄膜晶体管，其中的氧化物半导体层可以采用溶液制程法制作，当对氧化物半导体层的前驱体溶液进行退火时，利用凹槽外的溶液向凹槽内流动的倾向性，对凹槽中溶液的收缩提供补给，使凹槽中形成的膜层不易产生气泡，并且通过设置凹槽，可以增大氧化物半导体层的附着力，防止氧化物半导体层变形脱落。【附图说明】图1是本专利技术实施方式提供的一种薄膜晶体管的示意图；图2是本专利技术实施方式提供的另一种薄膜晶体管的示意图；图3?图10是本专利技术实施方式提供的一种制作薄膜晶体管的示意图。附图标记说明10:基底；20:缓冲层；30:氧化物半导体层；40:栅极绝缘层；50:栅极；60:层间介质层；71:源极；72:漏极；31:前驱体溶液；32:氧化物半导体薄膜；200:研磨设备。【具体实施方式】下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。本专利技术实施方式提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括基底以及设置在所述基底上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，所述薄膜晶体管还包括凹槽，所述氧化物半导体层设置在所述凹槽中。本专利技术实施方式提供的薄膜晶体管，其中的氧化物半导体层可以采用溶液制程法制作，当对氧化物半导体层的前驱体溶液进行退火时，利用凹槽外的溶液向凹槽内流动的倾向性，对凹槽中溶液的收缩提供补给，使凹槽中形成的膜层不易产生气泡，并且通过设置凹槽，可以增大氧化物半导体层的附着力，防止氧化物半导体层变形脱落。参见图1，图1是本专利技术实施方式提供的一种薄膜晶体管的示意图，该薄膜晶体管包括基底10以及设置在所述基底10上的缓冲层20、氧化物半导体层30、栅极绝缘层40、栅极50、层间介质层60、源极71和漏极72，其中，缓冲层20上设置有凹槽，氧化物半导体层30设置在该凹槽中，并且氧化物半导体层30的上表面与缓冲层20在凹槽区域之外的上表面位于同一平面；栅极绝缘层40、栅极50依次设置在氧化物半导体层30上，层间介质层60设置在栅极50上，源极71、漏极72通过层间介质层60上的过孔与氧化物半导体层30连接；其中，上述凹槽的深度可以为30nm?lOOnm，例如，可以为50nm、70nm、90nm等，凹槽的坡度角α可以为20度?60度，例如，可以为30度、50度等。参见图2，图2是本专利技术实施方式提供的另一种薄膜晶体管的示意图，该薄膜晶体管包括基底10以及设置在所述基底10上的栅极50、栅极绝缘层40、氧化物半导体层30、源极71和漏极72 ;其中，栅极绝缘层40上设置有凹槽，氧化物半导体层30设置在该凹槽中，并且氧化物半导体层30的上表面与栅极绝缘层40在凹槽区域之外的上表面位于同一平面；栅极绝缘层40设置在栅极50上，源极71、漏极72设置在氧化物半导体层30上；其中，上述凹槽的深度可以为30nm?lOOnm，例如，可以为50nm、70nm、90nm等，凹槽的坡度角α可以为20度?60度，例如，可以为30度、50度等。本专利技术实施方式还提供了一种阵列基板，包括上述的薄膜晶体管。本专利技术实施方式还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。其中，本专利技术实施方式提供的显示装置可以是笔记本电脑显示屏、显示器、电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。本专利技术实施方式还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括基底以及设置在所述基底上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，其中，形成所述氧化物半当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基底以及设置在所述基底上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括凹槽，所述氧化物半导体层设置在所述凹槽中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡合合，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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