本发明专利技术涉及晶圆在热盘内工艺时需形成密闭腔的装置，具体地说是一种热盘工艺密闭腔自动调整装置。包括驱动机构、盘盖升降机构、盘盖、密封环、下密封体、盘体及底板，其中驱动机构和下密封体安装在底板上，所述盘体设置于下密封体内，所述盘盖设置于密封体的上端，所述盘体与盘盖和下密封体之间形成工艺腔室，所述盘盖上沿周向设有自调整腔体，所述下密封体上沿周向设有凹槽，所述密封环一端容置于该自调整腔体内，另一端从自调整腔体内伸出、并与下密封体上端的凹槽配合连接，所述盘盖上设有工艺进气口和调整进气口，所述下密封体上设有工艺废气排出口，所述盘盖升降机构的一端与驱动机构连接，另一端与盘盖连接。本发明专利技术能避免盘盖与下密封体接触不良导致的工艺废气外泄，实现工艺腔室内的完全密封目的。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆在热盘内工艺时需形成密闭腔的装置，具体地说是一种热盘工艺密闭腔自动调整装置。
技术介绍
目前，对于晶圆在热盘内工艺时会产生一些废气甚至有毒气体。这些废气需要通过特殊通道排到指定地点。如果热盘做工艺时腔体密闭不好使废气泄漏出来对人身会有很大伤害给个人和公司带来不必要的经济损失。因此，需要一种热盘腔体自动调节装置保持工艺腔室密闭。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种热盘工艺密闭腔自动调整装置。该装置通过密封环可以自动调整盘盖与下密封体之间的间隙。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案:一种热盘工艺密闭腔自动调整装置，其特征在于:包括驱动机构、盘盖升降机构、盘盖、密封环、下密封体、盘体及底板，其中驱动机构和下密封体安装在底板上，所述盘体设置于下密封体内，所述盘盖设置于密封体的上端，所述盘体的上表面及侧面分别与盘盖和下密封体之间形成相互连通的第一工艺腔室和第二工艺腔室，所述盘盖下端面的外缘上沿周向设有自调整腔体，所述下密封体的上端外缘沿周向设有凹槽，所述密封环一端容置于该自调整腔体内、并端部沿径向设有延伸部，密封环的另一端从自调整腔体内伸出、并与下密封体上端的凹槽配合连接，所述盘盖上设有工艺进气口和将外部气源与自调整腔体连通的调整进气口，所述下密封体上设有与第二工艺腔室连通的工艺废气排出口，所述盘盖升降机构的一端与驱动机构连接，另一端与盘盖连接。所述盘盖包括密封盖和外密封固定环，所述外密封固定环套设于密封盖的外部、并与密封盖之间形成所述的自调整腔体，所述密封盖与盘盖升降机构连接，所述工艺进气口和调整进气口设置于密封盖上。所述自调整腔体的上、下方设有位于密封盖与外密封固定环之间的密封圈。所述工艺进气口设置于密封盖的中心位置，所述密封盖的内表面为由中心向边缘逐渐向下倾斜的斜面。所述密封环的纵剖面为“T”型结构、并下端与下密封体上的凹槽为锥面配合。所述盘盖升降机构与盘盖连接的另一端为水平放置的“U”型结构，所述水平放置的“U”型结构的上侧面与盘盖连接，下侧面上设有多个pin针，所述盘体上沿轴向设有与多个Pin针分别相对应的多个通孔，所述多个pin针分别插设于盘体上的相对应的所述通孔内、并通过驱动机构的驱动由通孔内伸出或缩回，用于晶圆的顶起或放下。所述pin针为三个，三个pin针位于同一圆周上。所述下密封体通过支柱安装在底板上。所述工艺废气排出口为两个、并分别对称设置于靠近下密封体外缘的位置。所述驱动机构为气缸。本专利技术的优点及有益效果是:1.本专利技术的工艺密闭腔自动调整装置，通过密封环上下产生的压差使密封环产生向下的压力，从而实现与下密封体之间实现彻底密封，实现工艺腔室的密闭。2.本专利技术的工艺密闭腔自动调整装置，可以避免某些原因导致的密封不严而使内部工艺废气外泄情况。3.本专利技术的工艺密闭腔自动调整装置的下密封体底端接有真空，当盘盖升降机构带动盘盖下降接触到下密封体时真空接通。工艺腔室内所有废气能及时排出。4.本专利技术的密封盖内表面是有一定角度的，废气或者蒸发的水汽会在密封盖上一点点形成水滴，腔内的负压会使水滴延斜面流到边缘不会滴落在晶圆上。5.本专利技术的密封环和下密封体密封处采用锥形结构配合，使它们更精准的配合，同时充分的接触加大接触面积更好的密封。【附图说明】图1是本专利技术的结构示意图。图2是本专利技术的局部结构放大图。其中:1为气缸,2为盘盖升降机构,3为密封圈,4为晶圆,5为密封盖,6为外密封固定环，7为密封环,8为下密封体,9为盘体,10为底板,11为支柱，a为第一工艺腔室,c为第二工艺腔室，b为自调整腔体，d为调整进气口，e为工艺气进气口，f为工艺废气排出口。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术作进一步详细描述。如图1、图2所示，本专利技术包括驱动机构1、盘盖升降机构2、盘盖、密封环7、下密封体8、盘体9及底板10，其中驱动机构和下密封体8通过支柱11安装在底板10上，所述盘体9设置于下密封体8内，所述盘盖设置于密封体8的上端，所述盘体9的上表面及侧面分别与盘盖和下密封体8之间形成相互连通的第一工艺腔室a和第二工艺腔室c。所述盘盖下端面的外缘上沿周向设有自调整腔体b，所述下密封体8的上端外缘沿周向设有凹槽，所述密封环7—端容置于该自调整腔体b内、并端部沿径向设有延伸部，密封环7的另一端从自调整腔体b内伸出、并与下密封体8上端的凹槽配合连接。所述盘盖上设有工艺进气口 e和将外部气源与自调整腔体b连通的调整进气口 d，所述下密封体8上设有与第二工艺腔室c连通的工艺废气排出口 f，所述工艺废气排出口 f为两个、并分别对称设置于靠近下密封体8外缘的位置。所述盘盖升降机构2的一端与驱动机构1连接，另一端与盘盖连接。所述驱动机构1为气缸，所述盘盖通过气缸带动盘盖升降机构2，完成第一工艺腔室a和第二工艺腔室c的开关。当调整进气口 d接入调整气体，在自调节腔室b内形成压差推动密封环7运动。所述盘盖包括密封盖5和外密封固定环6,所述外密封固定环6套设于密封盖5的外部、并与密封盖5之间形成所述的自调整腔体b，所述密封盖5与盘盖升降机构连接，所述工艺进气口 e设置于密封盖5的中心位置处，所述调整进气口 d设置于密封盖5靠近边缘的位置。所述自调整腔体b上、下方分别设有位于密封盖5与外密封固定环6之间的密封圈3。所述密封盖5的内表面为由中心向边缘逐渐向下倾斜的斜面，废气或者蒸发的水汽会在密封盖5上一点点形成水滴,第一工艺腔室a内的负压会使水滴延斜面流到边缘不会滴落在晶圆4上。所述密封环7的纵剖面为“T”型结构、并下端与下密封体8上的凹槽为锥面配合。密封环7和下密封体8的密封处采用锥形结构配合，使它们更精准的配合，同时充分的接触加大接触面积，达到更好的密封。所述盘盖升降机构2与盘盖连接的另一端为水平放置的“U”型结构，所述水平放置的“U”型结构的上侧面与密封盖5连接，下侧面上设有位于同一圆周上的三个pin当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种热盘工艺密闭腔自动调整装置，其特征在于：包括驱动机构(1)、盘盖升降机构(2)、盘盖、密封环(7)、下密封体(8)、盘体(9)及底板(10)，其中驱动机构(1)和下密封体(8)安装在底板(10)上，所述盘体(9)设置于下密封体(8)内，所述盘盖设置于密封体(8)的上端，所述盘体(9)的上表面及侧面分别与盘盖和下密封体(8)之间形成相互连通的第一工艺腔室(a)和第二工艺腔室(c)，所述盘盖下端面的外缘上沿周向设有自调整腔体(b)，所述下密封体(8)的上端外缘沿周向设有凹槽，所述密封环(7)一端容置于该自调整腔体(b)内、并端部沿径向设有延伸部，密封环(7)的另一端从自调整腔体(b)内伸出、并与下密封体(8)上端的凹槽配合连接，所述盘盖上设有工艺进气口(e)和将外部气源与自调整腔体(b)连通的调整进气口(d)，所述下密封体(8)上设有与第二工艺腔室(c)连通的工艺废气排出口(f)，所述盘盖升降机构(2)的一端与驱动机构(1)连接，另一端与盘盖连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王丽鹤，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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