本实用新型专利技术涉及一种硅麦克风的技术领域，尤其涉及一种高信噪比传感器及麦克风。包括立柱；硅基背极板，固定设置与立柱的顶端；声学振膜，与硅基背极板间隔一预定间距，声学振膜边缘通过一连接装置固定连接硅基背极板；其中，硅基背极板、声学振膜结合硅基背极板与声学振膜之间的气隙形成传感器的电容结构。将声学振膜通过一连接装置连接硅基背极板，连接装置对声学振膜施加的拉力为倾斜拉力，大大降低了声学振膜的水平方向的侧向应力。在声压推动声学振膜发生形变时，声压可以推动整张声学振膜发生振动，即全膜振动，整个声学振膜发生振动，电容的容值变化范围较大，即采集声音范围增大，同时也增强了采集声音信号的信噪比。
【技术实现步骤摘要】
本技术设及一种娃麦克风的
，尤其设及一种高信噪比传感器及麦克 风。
技术介绍
近S十年的MEMS(Micro-Electro-Mechanical-Systems微电子机械系统）技术与 工艺的发展，特别是基于娃忍片MEMS技术的发展，实现了许多传感器（如压力传感器，加速 度计，巧螺仪等）的微型化和低成本。MEMS娃麦克风已开始产业化，逐渐取代传统的驻极体 电容式麦克风。 现有的MEMS麦克风的传感器，其主要结构是：如图1所示，包括娃基背极板1及位 于所述娃基背极板1上方的声学振膜3,声学振膜3的边缘固定连接立柱1，通过立柱1的 连接应力将声学振膜3支撑，其工作原理是：利用声音变化产生的压力梯度使声学振膜3受 声压干扰而产生形变，进而改变声学振膜3与娃基背极板1与声学振膜3之间的电容值，该 电容值的变化转换为电压的变化输出，进而实现将声压信号转化为电压信号输出。但是现 有的声学振膜3是受连接应力固定连接立柱1的，声压仅仅能使声学振膜3的小范围区域 (中屯、区域）产生形变（振动），因边沿部分应力较大而无法产生形变（振动），即声学振膜 3的有效面积较小，电容容值变化范围较小，其采集的声音信号幅度较小。同时还存在另一 缺陷，即现有的声学振膜3的有效区间较小，仅中屯、区域的声学振膜3处于频繁振动状态， 而边缘声学振膜3的振幅很小，进而导致中屯、区域的声学振膜3因受力疲劳出现断裂或其 他毁损，影响声音采集的有效率。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种高信噪比传感器及麦 克风。 阳〇化]本技术是运样实现的： 一种高信噪比传感器，应用于麦克风装置，其中，包括立柱； 娃基背极板，固定设置与所述立柱的顶端； 声学振膜，与所述娃基背极板间隔一预定间距，所述声学振膜边缘通过一连接装 置固定连接所述娃基背极板； 其中，所述娃基背极板、所述声学振膜结合所述娃基背极板与所述声学振膜之间 的气隙形成所述传感器的电容结构。 上述的高信噪比传感器，其中，所述娃基背极板与所述声学振膜之间的所述预定 间距范围为2. 6Jim~3ym。 上述的高信噪比传感器，其中，所述声学振膜边缘通过所述连接装置按照一预定 倾斜角度连接所述娃基背极板。 优选地，上述的高信噪比传感器，其中，所述声学振膜的厚度范围为Ium~ 10Unio 优选地，上述的高信噪比传感器，其中，所述声学振膜为氧化娃薄膜。 优选地，上述的高信噪比传感器，其中，所述娃基背极板的厚度范围为1.5ym~ 2Um〇 优选地，上述的高信噪比传感器，其中，所述连接装置为刚性链式连接装置。 优选地，上述的高信噪比传感器，其中，预定的所述倾斜角度为45°。 优选地，上述的高信噪比传感器，其中，所述声学振膜的厚度范围为Iym~ 10Um〇 一种高信噪比麦克风，其中，包括上述任一所述的高信噪比传感器。 与现有技术相比，本技术的有益效果是： 将声学振膜通过一连接装置连接所述娃基背极板，连接装置对声学振膜施加的拉 力（该拉力使得所述声学振膜维持在静止状态）为倾斜拉力，大大降低了所述声学振膜的 水平方向的侧向应力。在声压推动声学振膜发生形变时，声压可W推动整张声学振膜发生 振动，即全膜振动，整个声学振膜发生振动，电容的容值变化范围较大（电容结构中的有效 的极板面积增大），即采集声音范围增大，同时也增强了采集声音信号的信噪比。【附图说明】 图1为现有的一种麦克风传感器的剖面结构示意图； 图2为本技术一种高信噪比传感器的剖面结构示意图； 图3为本技术中第一连接支点和第二连接支点的受力示意图。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的 限定。 下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的 实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提 下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可 W相互组合。 下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的 限定。 一种高信噪比传感器，应用于麦克风装置，其中，包括 W30] 立柱1; 娃基背极板2,固定设置与所述立柱1的顶端； 声学振膜3,与所述娃基背极板2间隔一预定间距，所述声学振膜3边缘通过一连 接装置5固定连接所述娃基背极板2; 其中，所述娃基背极板2、所述声学振膜3结合所述娃基背极板2与所述声学振膜 3之间的气隙4形成所述传感器的电容结构。 本技术的工作原理是：将娃基背极板2固定设置于所述立柱1的顶端，声学振 膜3设置于所述娃基背极板2垂直方向的正下端，且与所述娃基背极板2间隔一预定间距， 所述声学振膜3边缘通过一连接装置5固定连接所述娃基背极板2,所述娃基背极板2、所 述声学振膜3接合所述娃基背极板2与所述声学振膜3之间的气隙4形成所述传感器的电 容结构。利用声音变化产生的压力使声学振膜3受声压干扰而产生形变，进而改变声学振 膜3与娃基背极板2之间的电容值，该电容值的变化转换为电压的变化输出，进而实现将声 压信号转化为电压信号输出，因本技术将声学振膜3通过W连接装置5连接所述娃基 背极板2,连接装置5对声学振膜3施加的拉力（该拉力使得所述声学振膜3维持在静止状 态）为倾斜拉力，大大降低了所述声学振膜3的水平方向的侧向应力，在声压推动声学振膜 3发生形变时，该声压可W推动整个声膜当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高信噪比传感器，应用于麦克风装置，其特征在于，包括立柱；硅基背极板，固定设置与所述立柱的顶端；声学振膜，与所述硅基背极板间隔一预定间距，所述声学振膜边缘通过一连接装置固定连接所述硅基背极板；其中，所述硅基背极板、所述声学振膜结合所述硅基背极板与所述声学振膜之间的气隙形成所述传感器的电容结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶菁华，
申请(专利权)人：钰太芯微电子科技上海有限公司，钰太科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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