连接结构改进的微机电麦克风制造技术

技术编号:26110000 阅读:120 留言:0更新日期:2020-10-28 18:21
连接结构改进的微机电麦克风,涉及微机电麦克风技术领域,包括一基板,一盖设于基板上与基板形成声学腔体的盖体,声学腔体中的基板上设置:一声学换能器,设置于基板的第一区域;一集成电路芯片,集成电路芯片包括第一焊垫和第二焊垫,第一焊垫与声学换能器引线连接,第二焊垫连通一形成于集成电路芯片底部的沟槽,一金属连接层形成于沟槽的表面并延伸至集成电路芯片的底面的部分作为金属连接区,集成电路芯片通过金属连接区连接基板的第二区域,实现集成电路芯片的底面与基板直接信号连接,避免了现有技术的打线连接方式可能存在的寄生因素,改善微机电麦克风的射频抗干扰能力,并且在空间上更为紧凑,利于微机电麦克风的小型化。

【技术实现步骤摘要】
连接结构改进的微机电麦克风
本技术涉及微电子
,特别涉及微机电麦克风

技术介绍
微机电麦克风的典型结构如图1所示,包括一基板1,一盖体2盖设于基板1上形成声学腔体8,声学腔体设有一与外界连通的声学通孔7,声学腔体8内设置声学换能器3和专用集成电路芯片4,专用集成电路芯片4与基板1通过引线连接。上述结构存在的缺陷在于,会产生寄生电感等寄生因素,对于微机电麦克风的成品在抗射频干扰性能方面有较大的影响,而且引线还会占用空间,不利于微机电麦克风的小型化。
技术实现思路
为了解决以上技术问题,本技术提供一种连接结构改进的微机电麦克风。本技术的技术方案如下:连接结构改进的微机电麦克风,包括一基板,一盖设于所述基板上与所述基板形成声学腔体的盖体,所述声学腔体中的所述基板上设置:一声学换能器,设置于所述基板的第一区域;一集成电路芯片,所述集成电路芯片包括第一焊垫和第二焊垫,所述第一焊垫与所述声学换能器引线连接,所述第二焊垫连通一形成于所述集成电路芯片底部的沟槽,一金属连接层形成于所述沟槽的表面并延本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.连接结构改进的微机电麦克风,其特征在于,包括一基板,一盖设于所述基板上与所述基板形成声学腔体的盖体,所述声学腔体中的所述基板上设置:/n一声学换能器,设置于所述基板的第一区域;/n一集成电路芯片,所述集成电路芯片包括第一焊垫和第二焊垫,所述第一焊垫与所述声学换能器引线连接,所述第二焊垫连通一形成于所述集成电路芯片底部的沟槽,一金属连接层形成于所述沟槽的表面并延伸至所述集成电路芯片的底面的部分作为金属连接区,所述集成电路芯片通过所述金属连接区连接所述基板的第二区域。/n

【技术特征摘要】
1.连接结构改进的微机电麦克风,其特征在于,包括一基板,一盖设于所述基板上与所述基板形成声学腔体的盖体,所述声学腔体中的所述基板上设置:
一声学换能器,设置于所述基板的第一区域;
一集成电路芯片,所述集成电路芯片包括第一焊垫和第二焊垫,所述第一焊垫与所述声学换能器引线连接,所述第二焊垫连通一形成于所述集成电路芯片底部的沟槽,一金属连接层形成于所述沟槽的表面并延伸至所述集成电路芯片的底面的部分作为金属连接区,所述集成电路芯片通过所述金属连接区连接所述基板的第二区域。


2.根据权利要求1所述的连接结构改进的微机电麦克风,其特征在于,所述集成电路芯片包括第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层设有所述第一焊垫和所述第二焊垫,所述第二半导体层上形成所述沟槽,所述沟槽的底部与所述第二焊垫连通,所述金属连接层形成于所述沟槽的表面并延伸至所述第二半导体层的底面的部分作为所述金属连接区。
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【专利技术属性】
技术研发人员:叶菁华
申请(专利权)人:钰太芯微电子科技上海有限公司钰太科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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