制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用技术

本发明专利技术提供了制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用，该方法包括：(1)利用导电氧化物，在衬底的一个表面上进行沉积处理，以便形成沉积薄膜，沉积处理包括依次进行的一次沉积和二次沉积；以及(2)对沉积薄膜进行湿法蚀刻，以便形成透明导电氧化物薄膜，其中，一次沉积是在0～400摄氏度的温度下进行的，以及二次沉积是在400～800摄氏度的温度下进行的。发明专利技术人发现，利用本发明专利技术的该方法，能够快速有效地制备获得透明导电氧化物薄膜，且步骤简单，操作容易、方便快捷，制备获得的透明导电氧化物薄膜具有较高的光透过率、高雾度和较高的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用
本专利技术涉及光伏
，具体地，涉及用于制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用。
技术介绍
世界各国对绿色能源尤其是广泛适用的太阳能电池产品的需求与日俱增。随着技术的发展，太阳能电池用户对电池组件的性价比提出更高的要求。光伏产品种类繁多，以硅基电池、铜铟镓锡电池和碲化镉电池为主。硅基电池包括单晶硅、多晶硅和薄膜硅电池。其中，薄膜太阳能电池具有弱光响应好、高温效应好、受阴影影响小、年平均发电量高、能够与建筑物完美结合等优点，而且生产所需原材料丰富、原材料消耗少，能量回收期短、生产过程对环境影响小、适于大批量生产等，因此受到广泛关注。薄膜太阳能电池作为一个光学系统，要提高其对太阳光的利用率从而提高转换效率，需要对电池组件各层光学薄膜进行合理设计。以薄膜硅太阳能电池为例，其采用的前电极透明导电氧化物(TCO)薄膜需要具备高光学透过率、高电导率以及对入射光有较强的散射能力，从而提高电池对光的吸收，增大光生电流，提高电池转换效率。采用具有绒面织构的透明导电氧化物薄膜作为薄膜太阳能电池的前电极，可以提高对入射光的散射能力、延长光在本征吸收层中的光程，从而提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备透明导电氧化物薄膜的方法，其特征在于，包括：(1)利用导电氧化物，在衬底的一个表面上进行沉积处理，以便形成沉积薄膜，所述沉积处理包括依次进行的一次沉积和二次沉积；以及(2)对所述沉积薄膜进行湿法蚀刻，以便形成所述透明导电氧化物薄膜，其中，所述一次沉积是在0～400摄氏度的温度下进行的，以及所述二次沉积是在400～800摄氏度的温度下进行的。

【技术特征摘要】
1.一种制备透明导电氧化物薄膜的方法，其特征在于，包括：(1)利用导电氧化物，在衬底的一个表面上进行沉积处理，以便形成沉积薄膜，所述沉积处理包括依次进行的一次沉积和二次沉积；以及(2)对所述沉积薄膜进行湿法蚀刻，以便形成所述透明导电氧化物薄膜，其中，所述一次沉积是在0～400摄氏度的温度下进行的，以及所述二次沉积是在400～800摄氏度的温度下进行的。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行步骤(1)之前，预先对所述衬底进行清洁处理，所述清洁处理包括：利用清洗剂对所述衬底进行清洗；利用纯水对经过清洗的衬底进行冲洗；以及将经过冲洗的衬底烘干。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次沉积和所述二次沉积是通过磁控溅射方法进行的，所述磁控溅射方法为直流磁控溅射、中频磁控溅射或射频磁控溅射。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电氧化物为选自铝掺杂的氧化锌、氟掺杂的氧化锡、锡掺杂的氧化铟、硼掺杂的氧化锌中的至少一种。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次沉积是在10～300摄氏度，所述二次沉积是在450～600摄氏度。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述一次沉积是在15～30摄氏度的温度下进行的。7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述二...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳，
申请(专利权)人：河北曹妃甸汉能薄膜太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13