【技术实现步骤摘要】
本技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件，在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流，通过电极将电能输出。近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。异质结太阳能电池是其中一种新型高效的电池技术，其综合了单晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池的优势，有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等特点。由于异质结太阳能电池的温度劣化系数小，且双面发电，在相同面积条件下，每年的发电量可以比多晶硅电池高15?30%，因此具有很大的市场潜力。然而，目前市场上的硅基异质结电池，受光面主要是在发射极，即在P-N结的一面，对于η-型单晶硅衬底，受光面是ρ-型非晶硅薄膜层，这种方式的缺陷在于Ρ-型非晶硅的导电性较差，会导致金属栅线正电极的细栅间距过小，为防止电池边缘的短路现象，要求Ρ-型非晶硅膜层上的透明导电薄膜的边缘离电池边缘要远，从而影响电池的有效吸收面积。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供了一种异质结太阳能电池，解决...
【技术保护点】
一种异质结太阳能电池，其特征在于：包括：n‑型单晶硅片，设在n‑型单晶硅片受光面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的n‑型非晶硅薄膜层，设在n‑型非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极；设在n‑型单晶硅片背光面的第二本征非晶硅薄膜层；设在第二本征非晶硅薄膜层上的p‑型非晶硅薄膜层，设在p‑型非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层，设在第二透明导电薄膜层上的金属栅线背电极；所述第一透明导电薄膜层与电池边缘的距离小于第二透明导电薄膜层与电池边缘的距离；所述金属栅线正电极相邻细栅间距大于金属栅线背电极相邻细栅间距。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨与胜，王树林，张超华，庄辉虎，罗骞，宋广华，
申请(专利权)人：钧石中国能源有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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