一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法技术

本发明专利技术提供一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法，适用于曝光机PCB制板领域，调试成本低，易操作，可针对任意厚度的铜基板进行测量，其测量方法是通过在带通孔的铜基板的正反面分别曝光形成标记点mark，获取标记点mark和通孔圆心的坐标，通过坐标计算对位误差值，然后根据翻面方式的不同分别计算对位精度，正反面曝光后计算都是基于通孔的差值，可根据设计需要测量铜基板上任意一个点的对位精度，测量更全面、高效。

【技术实现步骤摘要】
一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法
本专利技术涉及激光直写曝光
，具体涉及一种用于激光直写曝光机内层对位精度的测量方法。
技术介绍
内层对位精度是衡量PCB激光直写曝光机性能的一个重要指标，其主要取决于几个因素：定位平台的精密等级、图像处理算法、对准相机CCD的精度，及其他综合误差。如果对位误差较大，会导致PCB制板过程中层间对位不上。当前激光直写曝光机内层对位性能调试是采用菲林板，压上干膜，使用LED灯曝光mark作为对位孔，该方法只能对单一板厚，并且菲林板只能用一次，不能重复利用，调试测量繁琐、成本高。
技术实现思路
本专利技术提供一种在激光直接曝光机设备上测量内层对位精度的方法，能够有效、快速评估直写曝光机的内层对位性能，是直写曝光机设备调试过程中不可或缺的一步。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法，包括如下步骤：1)使用带通孔的铜基板，基于铜基板通孔图制作曝光图形；2)制作正、反面曝光资料；3)使用压膜机在铜基板的正反两面压上干膜；4)在铜基板的一面使用直写曝光机曝光制作好的正面曝光资料，形成与通孔配合的正面标记点mark；5)使用对位CCD相机，启用图形处理算法，将任一通孔及其配合的正面标记点mark分别移动到CCD中心；6)记录步骤5)所述正面标记点mark和通孔圆心的平台坐标分别为(x1，y1)和(x2，y2)，计算正面曝光对位误差，如下式所示：△x1＝x1-x2△y1＝y1-y2其中△x1为正面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在X方向上的正面曝光对位误差，△y1为正面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在Y方向上的正面曝光对位误差；7)将铜基板进行左右或上下翻面，在铜基板的另一面使用直写曝光机曝光制作好的反面曝光资料，形成与通孔配合的反面标记点mark；8)使用对位CCD相机，启用图形处理算法，将步骤5)所述通孔及其配合的反面标记点mark分别移动到CCD中心；9)记录步骤8)所述反面标记点mark和通孔圆心的平台坐标分别为(x3，y3)和(x4，y4)，计算反面曝光对位误差，如下式所示：△x2＝x3-x4△y2＝y3-y4其中△x2为反面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在X方向上的反面曝光对位误差，△y2为反面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在Y方向上的反面曝光对位误差；10)正反面曝光得出的对位误差值都是基于通孔的，根据翻面的方式不同分别计算对位精度，其中左右翻面方式的对位精度为：△x＝△x1+△x2△y＝△y1-△y2所述上下翻面方式的对位精度为：△x＝△x1-△x2△y＝△y1+△y2其中△x为正反面曝光在X方向上的对位精度，△y为正反面曝光在Y方向上的对位精度。优选地，所述铜基板为任意厚度的基板。由以上技术方案可知，本专利技术通过在带通孔的铜基板的正反面分别曝光形成标记点mark，获取标记点mark和通孔圆心的坐标，通过坐标计算对位误差值，然后根据翻面方式的不同分别计算对位精度，正反面曝光后计算都是基于通孔的差值，可根据设计需要测量铜基板上任意一个点的对位精度，测量更全面、高效，本专利技术适用于曝光机PCB制板领域，调试成本低，易操作，可针对任意厚度的铜基板进行测量。附图说明图1为本专利技术的方法流程图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的一种优选实施方式作详细的说明。本专利技术提供一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法，所需工具为带通孔的铜基板、干膜、压膜机、计算机及绘制曝光图形的工具，其实现方式是：在带通孔的铜基板正反面压上干膜；制作曝光图形，曝光图形上的标记点mark是基于铜基板钻孔图，标记点mark与通孔是同心圆；在压膜的铜基板的正面曝光标记点mark，然后使用CCD相机及图像处理算法分别得出通孔和mark的中心平台坐标，从而得出正面对位差；同理可以得出反面对位差，从而计算出正反面曝光对位精度。结合附图1对本专利技术的测量方法进行详细描述，具体步骤如下：1)使用带通孔的铜基板，基于铜基板通孔图制作曝光图形；2)制作正、反面曝光资料；3)使用压膜机在铜基板的正反两面压上干膜；4)在铜基板的一面使用直写曝光机曝光制作好的正面曝光资料，形成与通孔配合的正面标记点mark；5)使用对位CCD相机，启用图形处理算法，将任一通孔及其配合的正面标记点mark分别移动到CCD中心；6)记录步骤5)所述正面标记点mark和通孔圆心的平台坐标分别为(x1，y1)和(x2，y2)，计算正面曝光对位误差，如下式所示：△x1＝x1-x2△y1＝y1-y2其中△x1为正面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在X方向上的正面曝光对位误差，△y1为正面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在Y方向上的正面曝光对位误差；7)将铜基板进行左右或上下翻面，在铜基板的另一面使用直写曝光机曝光制作好的反面曝光资料，形成与通孔配合的反面标记点mark；8)使用对位CCD相机，启用图形处理算法，将步骤5)所述通孔及其配合的反面标记点mark分别移动到CCD中心；9)记录步骤8)所述反面标记点mark和通孔圆心的平台坐标分别为(x3，y3)和(x4，y4)，计算反面曝光对位误差，如下式所示：△x2＝x3-x4△y2＝y3-y4其中△x2为反面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在X方向上的反面曝光对位误差，△y2为反面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在Y方向上的反面曝光对位误差；10)正反面曝光得出的对位误差值都是基于通孔的，根据翻面的方式不同分别计算对位精度，其中左右翻面方式的对位精度为：△x＝△x1+△x2△y＝△y1-△y2所述上下翻面方式的对位精度为：△x＝△x1-△x2△y＝△y1+△y2其中△x为正反面曝光在X方向上的对位精度，△y为正反面曝光在Y方向上的对位精度。以上所述实施方式仅仅是对本专利技术的优选实施方式进行描述，并非对本专利技术的范围进行限定，在不脱离本专利技术设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本专利技术的技术方案作出的各种变形和改进，均落入本专利技术的权利要求书确定的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：1)使用带通孔的铜基板，基于铜基板通孔图制作曝光图形；2)制作正、反面曝光资料；3)使用压膜机在铜基板的正反两面压上干膜；4)在铜基板的一面使用直写曝光机曝光制作好的正面曝光资料，形成与通孔配合的正面标记点mark；5)使用对位CCD相机，启用图形处理算法，将任一通孔及其配合的正面标记点mark分别移动到CCD中心；6)记录步骤5)所述正面标记点mark和通孔圆心的平台坐标分别为(x1，y1)和(x2，y2)，计算正面曝光对位误差，如下式所示：△x1＝x1‑x2△y1＝y1‑y2其中△x1为正面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在X方向上的正面曝光对位误差，△y1为正面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在Y方向上的正面曝光对位误差；7)将铜基板进行左右或上下翻面，在铜基板的另一面使用直写曝光机曝光制作好的反面曝光资料，形成与通孔配合的反面标记点mark；8)使用对位CCD相机，启用图形处理算法，将步骤5)所述通孔及其配合的反面标记点mark分别移动到CCD中心；9)记录步骤8)所述反面标记点mark和通孔圆心的平台坐标分别为(x3，y3)和(x4，y4)，计算反面曝光对位误差，如下式所示：△x2＝x3‑x4△y2＝y3‑y4其中△x2为反面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在X方向上的反面曝光对位误差，△y2为反面标记点mark和通孔圆心的平台坐标在Y方向上的反面曝光对位误差；10)正反面曝光得出的对位误差值都是基于通孔的，根据翻面的方式不同分别计算对位精度，其中左右翻面方式的对位精度为：△x＝△x1+△x2△y＝△y1‑△y2所述上下翻面方式的对位精度为：△x＝△x1‑△x2△y＝△y1+△y2其中△x为正反面曝光在X方向上的对位精度，△y为正反面曝光在Y方向上的对位精度。...

【技术特征摘要】
1.一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：1)使用带通孔的铜基板，基于铜基板通孔图制作曝光图形；2)制作正、反面曝光资料；3)使用压膜机在铜基板的正反两面压上干膜；4)在铜基板的一面使用直写曝光机曝光制作好的正面曝光资料，形成与通孔配合的正面标记点；5)使用对位CCD相机，启用图形处理算法，将任一通孔及其配合的正面标记点分别移动到CCD中心；6)记录步骤5)所述正面标记点和通孔圆心的平台坐标分别为(x1，y1)和(x2，y2)，计算正面曝光对位误差，如下式所示：△x1＝x1-x2△y1＝y1-y2其中△x1为正面标记点和通孔圆心的平台坐标在X方向上的正面曝光对位误差，△y1为正面标记点和通孔圆心的平台坐标在Y方向上的正面曝光对位误差；7)将铜基板进行左右或上下翻面，在铜基板的另一面使用直写曝光机曝光制作好的反面曝光资料，形成与通孔配合的反面标...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆敏婷，
申请(专利权)人：合肥芯碁微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34