一种二合一移动电源单电感的新型结构制造技术

本发明专利技术公开了一种二合一移动电源单电感的新型结构，其特征在于：包括充电用PMOSFET、放电用PMOSFET，所述充电用PMOSFET、放电用PMOSFET连接充电和放电合用NMOSFET，其中充电和放电合用NMOSFET连接电感L、采样电阻RS、输出电容COUT。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及移动电源，具体涉及一种二合一移动电源单电感的新型结构。
技术介绍
现有移动电源充放电芯片，在采用开关式充放电的架构下，需要4个功率管，实现充电和放电功能。并且在充电和放电过程中，功率通路上有3个功率管，降低了充放电的效率。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中的不足，提供一种二合一移动电源单电感的新型结构。本专利技术是通过以下的技术方案实现的:一种二合一移动电源单电感的新型结构，包括充电用PM0SFET、放电用PM0SFET，所述充电用PM0SFET、放电用PM0SFET连接充电和放电合用NM0SFET，其中充电和放电合用NM0SFET连接电感L、采样电阻RS、输出电容C0UT。与现有技术相比:减少了一个功率管，降低了成本。功率通路上只有2个M0SFET，提闻了效率。【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图；图中:101、充电用PM0SFET ; 102、放电用PM0SFET ; 103、充电和放电合用NM0SFET ；104、电感L ;105、采样电阻RS ;106、输出电容C0UT。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。如图1所示，一种二合一移动电源单电感的新型结构，包括充电用PM0SFET、放电用PM0SFET，所述充电用PM0SFET、放电用PM0SFET连接充电和放电合用NM0SFET，其中充电和放电合用NM0SFET连接电感L、采样电阻RS、输出电容C0UT。本案采用3个M0SFET和一个电感，可实现同步降压模式的开关式充电功能和同步升压功能。充电时候放电用PM0SFET断开，充电用PM0SFET和充电和放电合用NM0SFET组成同步降压模式充电。放电时充电用PM0SFET断开，放电用PM0SFET和充电和放电合用NM0SFET组成同步升压模式放电。以上所述仅为体现本专利技术原理的较佳实施例，并不因此而限定本专利技术的保护范围，凡是依本专利技术所作的均等变化与修饰皆在本专利技术涵盖的专利范围之内。【主权项】1.一种二合一移动电源单电感的新型结构，包括充电用PMOSFET、放电用PMOSFET，所述充电用PMOSFET、放电用PMOSFET连接充电和放电合用NM0SFET，其中充电和放电合用NM0SFET连接电感L、采样电阻RS、输出电容C0UT。【专利摘要】本专利技术公开了一种二合一移动电源单电感的新型结构，其特征在于：包括充电用PMOSFET、放电用PMOSFET，所述充电用PMOSFET、放电用PMOSFET连接充电和放电合用NMOSFET，其中充电和放电合用NMOSFET连接电感L、采样电阻RS、输出电容COUT。【IPC分类】H02J7/00【公开号】CN105281390【申请号】CN201410355796【专利技术人】王冬峰, 刘桂芝, 刘检生, 黄年亚 【申请人】无锡麟力科技有限公司【公开日】2016年1月27日【申请日】2014年7月22日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二合一移动电源单电感的新型结构，包括充电用PMOSFET、放电用PMOSFET，所述充电用PMOSFET、放电用PMOSFET连接充电和放电合用NMOSFET，其中充电和放电合用NMOSFET连接电感L、采样电阻RS、输出电容COUT。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王冬峰，刘桂芝，刘检生，黄年亚，
申请(专利权)人：无锡麟力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32