【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池领域，具体地涉及。
技术介绍
太阳能电池的制备工艺为:前清洗一制绒一扩散一等离子刻蚀一后清洗一等离子气相沉积一丝网印刷一烧结一检测。其中，在扩散过程中，普遍用到一种制备PN结的设备一一扩散炉，碳化硅桨是扩散炉的重要部件，关系到扩散制备PN结的成功与否，同时，碳化硅桨的抗疲劳强度也关系到生产线的生产效率和成品率。扩散工艺如下:1，将制绒后的晶体硅片插入石英舟中，将石英舟放置于碳化硅桨上，碳化硅桨将载有硅片的石英舟送入750-800°C的石英炉膛中，然后退出碳化硅桨，用时l-3min，关闭炉膛门。炉膛内开始充氮气保护。2，升温至扩散工艺所需的温度，一般在800-850°C，充氮气和氧气10_15min，然后再充携带三氯氧磷的氮气15-20min，再充氮气退火10_15min，炉膛内温度降至750_800°C。3，扩散工艺结束，停止充气体，炉膛门打开，碳化硅桨进入炉膛取出载有硅片的石英舟，温度750-800摄氏度，用时l-3min。4，卸下载有已扩散的硅片的石英舟，装上新的硅片石英舟，用时l-2min，由碳化硅桨再次送入进入高温炉膛。...
【技术保护点】
一种提高太阳能电池扩散炉碳化硅桨抗疲劳强度的方法，包括如下步骤：1)采用碳化硅砂纸，将已成型的碳化硅浆表面进行打磨处理，纯水洗净烘干；2)将抛光后的碳化硅浆放入炉膛，温度升至1500℃‑1800℃，充氮气，进行渗氮处理；3)将渗氮后的碳化硅浆经退火,退火温度为900‑1000℃,时间为30min‑2h,后缓慢冷却至室温；4)将渗氮后的碳化硅浆放入炉膛，充氨气和硅烷，进行氮化硅镀膜，膜厚为8‑15微米，温度400‑450摄氏度；5)缓慢冷却至室温。
【技术特征摘要】
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