一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备方法，首先，将硅粉和SiC原料按照不同硅粉添加量进行湿法混料，随后采用旋转蒸发仪进行干燥；将干燥后的粉体加入PVA进行造粒，干压成型后进行烧结获得定向多孔陶瓷。本发明专利技术采用硅粉作为造孔剂制备定向多孔陶瓷为纯SiC陶瓷，具有较为优异的高温性能，较高的孔筋密度和抗折强度；同时该法制备得到的定向多孔陶瓷晶界部位含有金属相，使得多孔陶瓷具有一定韧性，也为双连续相复合材料的制备提供了增强体，具有较好地应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于定向多孔陶瓷材料制备领域，具体涉及一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备方法。
技术介绍
定向多孔陶瓷材料是一类结构上气孔呈定向分布特征的多孔陶瓷材料。定向多孔SiC陶瓷制备方法有采用冷冻干燥法、挤出成型和模板法等工艺。然而采用冷冻干燥法、挤出成型制备的定向多孔SiC陶瓷强度和孔筋密度不高；另外采用冷冻干燥法、挤出成型和模板法制备SiC多孔陶瓷时候，往往加入了大量烧结助剂来促进烧结，大大降低纯SiC陶瓷的高温性能，还会引起多孔烧结制品发生较大体积收缩，不利于尺寸较大或形状复杂工件制备。采用木材SiC多孔陶瓷制备复合材料时，微观结构内部残余的大量C和Si则会对定向多孔结构和性能有较大影响。专利CN101323524则以碳化硅、碳粉、硅粉和氧化硅为原料利用炉内沿轴向存在温差分布特征制备了定向多孔SiC陶瓷。随后，刘光亮等人利用炉内温度场定向分布特征制备了气孔具有定向分布特征的定向多孔SiC陶瓷。随后刘光亮、刘波波等先后采用SiO2和Si3N4作为造孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将造孔剂加入SiC粉料中得到混合物A，然后向混合物A中加入酒精，混合物A和酒精质量比为1:3，随后采用球磨机进行混料，混料结束后进行干燥得到混合物B；步骤二：向步骤一得到的混合物B中加入PVA水溶液，混匀过120目筛后进行造粒；随后进行干压成型得到坯体，坯体干燥后在惰性环境下进行高温烧结，即可获得晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷。

【技术特征摘要】
1.一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，包
括以下步骤：
步骤一：将造孔剂加入SiC粉料中得到混合物A，然后向混合物A中加
入酒精，混合物A和酒精质量比为1:3，随后采用球磨机进行混料，混料结
束后进行干燥得到混合物B；
步骤二：向步骤一得到的混合物B中加入PVA水溶液，混匀过120目
筛后进行造粒；随后进行干压成型得到坯体，坯体干燥后在惰性环境下进行
高温烧结，即可获得晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备
方法，其特征在于，步骤一中所述的造孔剂为硅粉，硅粉粒度为250～400目。
3.根据权利要求1所述的一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备
方法，其特征在于，步骤一中所述的SiC粉料的平均粒度为6μm。
4.根据权利要求1所述的一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备
方法，其特征在于，混合物A中造孔剂的添加量为5～30wt.％。
5.根据权利要求1所述的一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备
方法，其特征在于，步骤一中采用球磨机混料的时间为10～12h。
6.根据权利要求1所述的一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备
方法，其特征在于，步骤二中PVA水溶液的质量占混合物B及PVA水溶液
总质量的3～6％，其中，PVA水溶液中PVA的质量分数为5～8％。
7.根据权利要求1所述的一种晶界含有金属相定向多孔SiC陶瓷的制备
方法，其特征在于，步骤二中干压成型的压力为4～6吨。
8.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：白建光，殷海荣，马明鑫，陈国平，乔荫颇，唐元元，张攀，李艳肖，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61