薄膜晶体管阵列基板制造技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板。所述薄膜晶体管阵列基板包括：基板，所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面；透明导电层，对应所述基板的所述第一表面设置，包括至少一孔洞；绝缘层，设置在所述透明导电层上；像素电极，设置在所述绝缘层上，且所述像素电极对应所述透明导电层的孔洞设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列。
技术介绍
边缘场开关(Fringe Field Switching, FFS)技术的液晶显示装置通常通过像素电极和公共电极共同作用产生边缘电场，使得像素电极与底部电极之间共同作用而产生边缘电场，从而使得像素电极之间以及像素电极正上方的液晶分子都能够在平行基板的方向上发生旋转，从而提高液晶层的透光率。由此可见FFS技术解决了常规的面板内开关(InPanel Switching)显示面板透光率低、面板功耗大的问题。在FFS的液晶显示装置中，像素电极需要和设置在其下方的公共电极之间绝缘平行交错，通常，像素电极与公共电极之间通常只用很薄的绝缘层隔离，比如，所述绝缘层为100?200nm的氮化硅。所述绝缘层的在制程等的缺陷容易使得像素电极与公共电极之间发生短路，从而影响了液晶显示装置的良率。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括:基板，所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面；透明导电层，对应所述基板的所述第一表面设置，包括至少一孔洞；绝缘层，设置在所述透明导电层上；像素电极，设置在所述绝缘层上，且所述像素电极对应所述透明导电层的孔洞设置。其中，所述孔洞为条形孔洞。其中，所述透明导电层包括第一孔洞及第二孔洞，所述第一孔洞及所述第二孔洞间隔设置，所述像素电极包括第一电极部分及第二电极部分，所述第一电极部分对应所述第一孔洞设置，所述第二电极部分对应所述第二孔洞设置。其中，所述第一孔洞的宽度大于或等于所述第一电极部分的宽度，所述第二孔洞的宽度大于或等于所述第二电极部分的宽度。其中，所述像素电极还包括连接部，所述第一电极部分包括相对设置的第一端及第二端，所述第二电极部分包括相对设置的第三端及第四端，所述第一端及所述第三端连接所述连接部，所述第二端及所述第四端相连。其中，所述透明导电层包括第三孔洞，所述第三孔洞对应所述连接部设置。其中，所述连接部在所述第一表面上的投影落在所述第三孔洞在所述第一表面上的投影内。其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括薄膜晶体管阵列及平坦层，所述薄膜晶体管阵列及所述平坦层层叠设置，所述薄膜晶体管阵列及所述平坦层设置在所述基板的第一表面及所述透明导电层之间，所述薄膜晶体管阵列相较于所述平坦层邻近所述第一表面设置，所述平坦层相较于所述薄膜晶体管阵列邻近所述透明导电层设置，所述平坦层上设置通孔，所述薄膜晶体管通过所述通孔与所述像素电极电连接。其中，所述通孔在所述第一表面上的投影落在所述第三孔洞在所述第一表面上的投影内。其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括缓冲层，所述薄膜晶体阵列通过所述缓冲层设置在所述基板的第一表面上。相较于现有技术，本专利技术的薄膜晶体管阵列基板在基板的一表面上设置透明导电层，透明导电层上设置至少一孔洞，绝缘层设置在所述透明导电层上，像素电极设置在所述绝缘层上，且所述像素电极对应所述透明导电层的孔洞设置。当所述透明导电层与所述像素电极之间的绝缘层发生损坏时，由于所述透明导电层上设置了孔洞与所述像素电极相对设置，因此，当所述透明导电层与所述像素电极之间的绝缘层发生损坏时，所述透明导电层与所述像素电极之间短路的几率减小，从而提升了使用薄膜晶体管阵列基板所应用的液晶显示面板或者液晶显示装置的良率。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的俯视图。图2为图1中沿1-1线的剖面结构示意图。图3为图1中沿I1-1I线的剖面结构示意图。图4为本专利技术一较佳实施方式的液晶显示装置的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请一并参阅图1、图2及图3，图1为本专利技术一较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的俯视图。图2为图1中沿1-1线的剖面结构示意图。图3为图1中沿I1-1I线的剖面结构示意图。所述薄膜晶体管阵列基板10包括基板100、透明导电层500、绝缘层600以及像素电极700。所述基板100包括相对设置的第一表面10a以及第二表面100b。所述透明导电层500对应所述基板100的所述第一表面10a设置，且所述透明导电层500包括至少一孔洞。所述绝缘层600设置在所述透明导电层500上，所述像素电极700设置在所述绝缘层600上，且所述像素电极700对应所述透明导电层500的孔洞设置。优选地，所述孔洞为条形孔洞。在一实施方式中，所述透明导电层500为公共电极层。所述基板100为透明的基板，所述基板100的材质可以为但不仅限于为玻璃基板，或者塑料基板。在本实施方式中，虽然以所述透明导电层500设置在所述基板100的第一表面10a为例进行说明，可以理解地，在其他实施方式中，所述透明导电层500也可以设置在所述基板100的所述第二表面10b上。所述透明导电层500的材质可以为但不仅限于为氧化铟锡(ITO)。所述绝缘层600的材质可以为但不仅限于为氮化硅(SiNx)，二氧化硅(Si02)等。所述像素电极700的材质可以为但不仅限于为氧化铟锡。可以理解地，所述像素电极700的材质可以与所述透明导电层500的材质相同，所述像素电极700的材质也可以与所述透明导电层500的材质不同，在此不做限定。在本实施方式中，所述透明导电层500包括第一孔洞500a及第二孔洞500b，所述第一孔洞500a与所述第二孔洞500b间隔设置。所述像素电极700包括第一电极部分720及第二电极部分730，所述第一电极部分720对应所述第一孔洞500a设置，所述第二电极部分730对应所述第二孔洞500b设置。优选地，所述第一孔洞500a的至少部分尺寸大于或等于所述第一电极部分720在相同方向上的尺寸。比如，所述第一孔洞500a的宽度大于或等于所述第一电极部分720的宽度；或者所述第二孔洞500a的长度大于或等于所述第一电极部分720的长度；或者所述第一孔洞500a的宽度大于或等于所述第一电极部分720的宽度且所述第二孔洞500a的长度大于或等于所述第一电极部分720的长度。优选地，所述第二孔洞500b的至少部分尺寸大于或等于所述第二电极部分730在相同方向上的尺寸。比如，所述第二孔洞500b的宽度大于或等于所述第二电极部分730的宽度；或者所述第二孔洞500b的长度大于或等于所述第二电极部分730的长度；或者第二孔洞500b的宽度大于或等于所述第二电极部分730的宽度且所述第二孔洞500b的长度大于或等于所述第二电极部分730的长度。在本实施方式中，所述第一电极部分720对应所述第一孔洞500a设置是指，所述第一电极部分720与所述第一孔洞500a之间相对设置(即，所述第一部分720与所述第一孔洞500a层叠设置)，所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：基板，所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面；透明导电层，对应所述基板的所述第一表面设置，包括至少一孔洞；绝缘层，设置在所述透明导电层上；像素电极，设置在所述绝缘层上，且所述像素电极对应所述透明导电层的孔洞设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞晓江，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42