本发明专利技术提供一种稀土掺杂的硫代镓酸盐荧光粉材料及制备方法，荧光粉的组成为M1-xGa2S4:x R2+，式中M代表碱土金属Sr、Ca、Ba或Mg中的一种或两种的组合；R是Tb或Eu；系数x为摩尔系数，其中0＜x≤0.1。原料为碳酸盐和氧化物，采用高温成固相烧成法，在氧化气氛和还原气氛下分别进行合成。本发明专利技术制备的硫代镓酸盐荧光粉具有很高的化学稳定性，并在100V以下的电子束或450-470nm的蓝光激发下具有很高的发光效率，用于场发射显示器件显示屏的制作或白光LED的封装。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于适用于场发射器件和LED发光器件使用的绿色荧光粉材料及制备方法。
技术介绍
稀土参杂的固体无机发光材料的制备方法基本都是固相原材料混合后进行高温合成而得，发光材料中的离子是通过固态氧化物、硫化物或氮化物引入，为了保证原材料的混合均匀需通过研磨、分散和过筛等工艺进行保证，各段工艺都有材料损失，各物质的损失比例不同会造成原预案中的化学计量不准确，对烧成结果造成影响，如果物质以气体形式引入会大大提尚混合均勾性，提尚材料的烧成过程的稳定性。Eu2+参杂的硫代鎵酸盐荧光粉具有被450-470nm蓝光或阴极射线激发的特性，所发出主波长在530nm绿光适合白光LED和场发射显示器件的制作。IXD液晶电视的LED背光源为了保证较高的NTSE色域，背光LED光源需采用蓝光芯片激发绿粉和红粉进行制作，而Eu2+参杂的硫代鎵酸盐荧光粉可被450nm的蓝光芯片激发得到高效率的绿光，是适用于制作LCD显示器件背光用的LED产品的优良材料；场发射的显示器件发射原理是采用阴极射线激发蓝色、绿色和红色发光材料，利用RGB三原色原理进行成像显示，而Eu2+参杂的硫代鎵酸盐荧光粉具有被100V以下电压激发出530nm高光效的绿光，是适用于制作场发射显示器件用绿粉的优良材料。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种稀土掺杂的硫代镓酸盐荧光粉材料，本专利技术的另一目的是提供Eu2+参杂的硫代鎵酸盐荧光粉的制备方法，本荧光材料具有制作简单、易于操作和易于控制硫含量的特点。本专利技术解决上述问题所采用的技术方案是:—种稀土掺杂的硫代镓酸盐荧光粉材料，该荧光粉的化学通式为M1 xGa2S4: xR2+,其中:M元素为含有Sr、Ca、Ba或Mg中的一种或多种；R元素为Tb或Eu中的一种；X为摩尔系数，其中O < X彡0.1。相应地，本专利技术给出了稀土掺杂的硫代镓酸盐荧光粉材料的制备方法，包括下述步骤:I)按照通式M1 xGa2S4:xR2+，分别按照物质M:Ga:R元素的质量比为(l_x):2:x称取MC03、Ga2O3, R2O3原料，经球磨后充分混合；2)将混合物在氧化气氛下进行烧成，得到氧化烧成材料；3)将氧化烧成材料经粉碎、研磨分散后，再按照氧化烧成材料与助熔剂质量比为99.5%?97.5%:0.5%?2.5%的比例添加助熔剂，并充分混合；4)将混合物通入H2S气体，在还原气氛下烧成，得到还原烧成材料；5)将还原烧成材料进行粉碎、球磨分散、洗净、表面处理、干燥和过筛后，即得到所述稀土掺杂的硫代镓酸盐荧光粉材料。进一步地，所述氧化气氛下进行烧成，是指在900?1400°C的氧化气氛炉进行烧成；所述还原气氛下烧成是指在700?1100°C的还原气氛下烧成。进一步地，所述助熔剂为溴化物与氯化物的混合物，溴化物与氯化物的质量比范围为I?2:3 ;所述溴化物为NaBr、KBr或NH4Br ;所述氯化物为NH4Cl或NaCl。进一步地，所述还原气氛是以H2、队与通入的H2S按照1:1比例的混合气氛引入，其中，H2 = N2= (5%?10% ): (90%?95% ) ;H2S 流量为:8 ?12L/min，N2流量为:0.4 ?0.6L/min，H2流量为:4.6?11.4L/min ;所述H 2、队和H 2S气体纯度均为99.9%0进一步地，所述洗净是指采用去离子水清洗二次烧成物至电导率小于< 500us/Cm0进一步地，所述球磨分散是将还原烧成后的材料研磨至10 μ m以下。进一步地，所述表面处理要求是指将纳米级S12均匀粘结到硫代镓酸盐荧光粉材料表面。进一步地，所述干燥是将均匀粘结纳米级S12到硫代镓酸盐荧光粉材料表面的原烧成后的材料在90°C?120 °C下干燥，完全去除水分。进一步地，所述过筛是过300?500目的尼龙筛网。本专利技术制备的硫代镓酸盐荧光粉具有很高的化学稳定性，并在100V以下的电子束或450-470nm的蓝光激发下具有很高的发光效率，用于场发射显示器件显示屏的制作或白光LED的封装。本专利技术的有益效果是:I)本专利技术所设计的高效绿光材料不仅适合场发射显示器件的制作，同时也适用于白光LED的封装使用。2)本专利技术中的焚光材料中的S兀素以H2S气体引入，大大提尚混合均勾性，提尚材料的烧成过程的稳定性。【附图说明】图1是本专利技术氧化烧成温度时间曲线示意图；图2是本专利技术还原烧成温度时间曲线示意图；图3是本专利技术制备工艺流程不意图。【具体实施方式】下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术进行详细说明。本专利技术的一种稀土参杂的硫代鎵酸盐荧光粉的化学式为=M1 xGa2S4:XR2+M代表碱土金属Sr、Ca、Ba或Mg中的一种或两种的组合；R是Tb或Eu ;系数x为摩尔系数，其中O< X ^ 0.10制备上述荧光粉的方法主要包含以下步骤:I)以Sr、Ca、Ba或Mg的碳酸盐和Ga、Tb、Eu的氧化物为原料，并按上述化学式通式吣xGa2S4:xR2M:Ga:R元素的质量比为(l_x): 2: x称取相应原料，并充分混合；2)将上述材料装入刚玉坩祸中在900?1400°C的氧化气氛下充分烧成2?3小时；烧成温度曲线见图1;3)上述氧化烧成材料经研磨分散后，与一定计量的反应助熔剂(氧化烧成材料与助熔剂质量比为99.5%?97.5%:0.5%?2.5%，助熔剂为溴化物与氯化物的混合物，溴化物与氯化物的质量比范围为I?2:3充分混合；其中溴化物为NaBr、KBr或NH4Br ;氯化物为NH4Cl或NaCl。4)将混合物通入H2S气体，以&為与通入的H2S按照1:1比例的混合气氛引入，其中，H2 = N2= (5%?10%): (90%?95%) ;H2S流量为:8 ?12L/min，N2流量为:0.4 ?0.6L/min，H2流量为:4.6?11.4L/min ;H 2、队和H 2S气体纯度均为99.9%。在700?1100。。的还原气氛下烧成2?3小时；其中，H2S流量为:8?12L/min，N2流量为:0.4?0.6L/min，H2流量为:4.6?11.4L/min ;H2、N#PH2S气体纯度均为99.9%。烧成温度曲线见图2 ;5)还原烧成后的材料进行粉碎、球磨分散(研磨至10 μπι)、去离子水清洗还原烧成物至电导率小于< 500us/Cm、表面处理(将纳米级S12均匀粘结到硫代镓酸盐荧光粉材料表面)、90°C?120°C下干燥(去除水分)和过筛(300?500目的尼龙筛网筛过筛)等处理，材料制作完成。还原烧成装置见图3所示。下面通过具体实施例在进一步说明本专利技术。当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种稀土掺杂的硫代镓酸盐荧光粉材料，其特征在于，该荧光粉的化学通式为M1‑xGa2S4:xR2+，其中：M元素为含有Sr、Ca、Ba或Mg中的一种或多种；R元素为Tb或Eu中的一种；X为摩尔系数，其中0＜X≤0.1。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：闫国松，于浩，慈和安，李儆民，童华南，
申请(专利权)人：陕西光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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