硫代稀土镓酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件技术

本发明专利技术属于光电材料领域，其公开了一种硫代稀土镓酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件；该发光薄膜的化学通式为:M1-xGaS3:xSm3+；其中，MGaS3是基质，Sm3+是发光薄膜中的激活光离子，在发光薄膜中充当主要的发光中心，M选自Y,La,Gd或Lu，x的取值为0.01～0.05。本发明专利技术的硫代稀土镓酸盐发光薄膜作为发光层的电致发光谱（EL）中，在610nm位置有很强的发光峰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电材料领域，尤其涉及一种硫代稀土镓酸盐发光薄膜及其制备方法。本专利技术还涉及一种使用该硫代稀土镓酸盐发光薄膜作为发光层的电致发光器件。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。 在LED荧光粉的研究中，稀土掺杂的镓酸盐荧光粉，其激发光谱能够较好地匹配现有的近紫外LED的发射光谱能够得到良好的绿光到蓝光的激发。但是，用镓酸盐类发光材料制备成电致发光的薄膜，仍未见报道。
技术实现思路
基于上述问题，本专利技术所要解决的问题在于提供一种硫代稀土镓酸盐发光薄膜。 本专利技术的技术方案如下: 一种硫代稀土镓酸盐发光薄膜，其化学通式为:M1-xGaS3:xSm3+；其中，MGaS3是基质，Sm3+是发光薄膜中的激活光离子，是掺杂离子，在发光薄膜中充当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硫代稀土镓酸盐发光薄膜，其特征在于，其化学通式为:M1‑xGaS3:xSm3+；其中，MGaS3是基质，Sm3+是发光薄膜中的激活光离子，在发光薄膜中充当主要的发光中心，M选自Y,La,Gd或Lu，x的取值为0.01～0.05。

【技术特征摘要】
1.一种硫代稀土镓酸盐发光薄膜，其特征在于，其化学通式为:
M1-xGaS3:xSm3+；其中，MGaS3是基质，Sm3+是发光薄膜中的激活光离子，
在发光薄膜中充当主要的发光中心，M选自Y,La,Gd或Lu，x的取值为
0.01～0.05。
2.根据权利要求1所述的硫代稀土镓酸盐发光薄膜，其特征在于，
x的取值为0.03。
3.根据权利要求1所述的硫代稀土镓酸盐发光薄膜，其特征在于，
包括如下化学式的硫代稀土镓酸盐发光薄膜:
Y0.97GaS3:0.03Sm3+；Y0.94GaS3:0.06Sm3+；Y0.99GaS3:0.01Sm3+；
La0.97GaS3:0.03Sm3+；La0.94GaS3:0.06Sm3+；La0.99GaS3:0.01Sm3+；
Gd0.97GaS3:0.03Sm3+；Gd0.94GaS3:0.06Sm3+；Gd0.99GaS3:0.01Sm3+；
Lu0.97GaS3:0.03Sm3+；Lu0.94GaS3:0.06Sm3+；Lu0.99GaS3:0.01Sm3+。
4.一种硫代稀土镓酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如
下步骤:
将洗净、干燥后的ITO玻璃衬底送入镀膜设备反应室中，并密封反应
室，接着对反应室抽真空处理，控制反应室的真空度为
1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；然后在700℃下对衬底进行热处理10～30分钟，随
后温度降为250～650℃，准备沉积发光薄膜；
打开镀膜设备的旋转电机，调节衬底托的转速为50～1000转/分，接着
通入含有反应气体的氩气载气，氩气载气的气流量为5～15sccm，然后再通
入流量为10～200sccm的氧气，开始沉积发...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈吉星，王平，张娟娟，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44