用于加工OLED装置的方法制造方法及图纸

用于在结合到载体(10)的薄片材(20)上制备电子设备的方法。可在片材(20)和/或载体(10)上提供表面改性层(30)和相关的热处理，从而同时控制在电子装置加工中薄片材和载体之间的室温范德华力(和/或氢键)结合和高温共价结合。控制室温结合，从而在电子装置加工中在真空加工,湿加工,和/或超声清洁加工时，足以将薄片材和载体固定在一起。且同时,控制高温共价结合，从而在电子装置加工中阻止高温加工时薄片材和载体之间的永久结合,以及保持足够的结合来阻止在高温加工时发生脱层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】用于加工OLED装置的方法 本申请根据35U.S.C. §120要求2013年10月07日提交的美国申请系列号 14/047514的优先权，并根据35U.S.C. §119要求2012年12月13日提交的美国申请系列 号61/736871的优先权，上述申请的内容是本申请的基础并通过参考完整地结合于此。 柳0引背景 专利
本专利技术设及用于在载体上的柔性片材上加工电子装置的制品和方法，具体来说， 设及在玻璃载体上的柔性玻璃片材上加工电子装置的制品和方法。
技术介绍
因使用卷对卷加工，柔性基材有望提供更廉价的装置，并有可能能够制备更薄、 更轻、更柔性和更耐久的显示器。但是，卷对卷加工高质量显示器所需的技术、设备和工 艺尚没有完全开发。因为面板制造商已重金投资用于加工大玻璃片材的成套工具，所W 把柔性基材层压到载体和通过片材-对-片材加工来制备显示器装置为更薄、更轻和更 柔性显示器的提案提供短期的解决方案。已证实在聚合物片材例如聚糞二甲酸乙二醋 (polyet的Ienenaphthalate)(阳脚上形成显示器，其中装置制造是片材对片材的，且将 PEN层压到玻璃载体。PEN的上限溫度限制了装置质量和可使用的加工。此外，聚合物基材 的高可渗透性导致OL邸装置的环境降解，但是其中需要近乎气密性的封装。薄膜包封有望 克服运个限制，但尚未证实能提供可接受的大规模生产的产率。 阳0化]按照类似的方式，可使用层压到一种或更多种薄玻璃基材的玻璃载体来制造显示 装置。预期薄玻璃的低渗透性和改善的耐溫性和耐化学性实现具有更高性能和更长寿命的 柔性显示器。 但是，热、真空、溶剂和酸性、超声的平板显示器（FPD)加工要求薄玻璃牢固地结 合到载体。FTO过程通常设及真空沉积（瓣射金属、透明导电氧化物和氧化物半导体，化学 气相沉积（CVD)沉积无定形娃、氮化娃和二氧化娃，W及金属和绝缘体的干法蚀刻），热过 程（包括~300-400°CCVD沉积，最高达600°C的P-Si结晶，350-450°C氧化物半导体退 火，最高达650°C的渗杂剂退火，和~200-350°C接触退火），酸性蚀刻（金属蚀刻，氧化 物半导体蚀刻），暴露于溶剂（剥离光刻胶，沉积聚合物包封），和暴露于超声波（在光刻 胶的溶剂剥离和水性清洁中，通常在碱性溶液中进行该操作）。 粘合剂晶片结合广泛用于微机械系统（MEM巧和半导体加工，用于其中加工苛刻 程度较低的后端步骤。由布鲁尔科技度rewerScience)和汉高化enkel)出售的粘合剂通 常是厚聚合物粘合剂层，为5-200微米厚。运些层的较大的厚度潜在地使大量的挥发物、 被捕获的溶剂和吸附的物质污染FPD过程。运些材料在高于~250°C时热分解和脱气。运 些材料还可通过作为在后续的过程中脱气的气体、溶剂和酸的槽，在下游步骤中导致污染。 2012年02月08日提交的、题目为"使用载体加工柔性玻璃（ProcessingFlexible GlasswithaCarrier)"美国临时专利申请号61/596, 727(下文称为US'727)批露下述 概念，其中设及通过范德华力把薄片材例如柔性玻璃片材初始地结合到载体，然后在某些 区域增大结合强度，但仍然保留在加工薄片材/载体W在该薄片材上形成装置（例如，电 子或显示器装置，电子或显示器装置的组件，有机发光装置（OLED)材料，光伏（PV)结 构，或薄膜晶体管）之后，去除部分薄片材的能力。至少部分的薄玻璃结合到载体，从而阻 止装置加工流体进入薄片材和载体之间，由此降低了污染下游过程的可能性，目P，薄片材 和载体之间的结合密封部分是气密性的，在一些优选的实施方式中，运种密封包围在制品 的外面，由此阻止液体或气体进出密封的制品的任何区域。 US'727继续批露了在低溫多晶娃化TP巧（与固相结晶加工相比的低溫，固相结 晶加工可最高达约750°C)设备制造过程中，可使用约600°C或更高的溫度，真空，和湿 蚀刻环境。运些条件限制可使用的材料，并对载体/薄片材提出了很高的要求。因此，本 领域所需的是一种载体方法，该方法利用制造商的现有资金基础结构，使得能加工薄玻璃 (即厚度《0. 3mm厚的玻璃），且在较高的加工溫度下不污染或损失薄玻璃和载体之间的结 合强度，和其中在加工结束时能容易地将薄玻璃与载体解除结合。 如US'727所述，US'727批露的方法的商业化优势之一是制造商将能使用它们现 有的对加工设备的资金投入，并获得用于例如PV，OLE化LCD和图案化薄膜晶体管灯FT)电 子装置的薄的玻璃板的益处。此外，该方法实现加工灵活性，包括用于清洁和表面制备薄玻 璃片材和载体来促进结合；用于强化结合区域中在薄片材和载体之间的结合；用于保持非 结合（或强度减少/降低的结合）区域中薄片材与载体的可释放性；W及用于切割薄片材 来促进从载体的提取。 在玻璃和玻璃结合过程中，清洁玻璃表面来去除所有的金属、有机物和微粒 残留物，并得到大体娃醇封端的表面。首先使玻璃表面亲密接触，其中范德华力和/或 氨-键结合力将它们拉在一起。借助热量和任选的压力，表面娃醇基团缩合W在整个界 面形成强力共价Si-O-Si键，永久性地烙合玻璃工件。金属、有机物和微粒残留物通过 隐藏表面防止结合所需的亲密接触来阻止结合。还需要高娃醇表面浓度来形成强力结 合，单位面积上的结合数目由在相对的表面上的两娃醇物质反应W缩合出水的概率决定。 朱拉威尔狂huravlel)报道对于良好水合的氧化娃，平均径基数/nm2是4. 6-4. 9。朱拉 威尔LT.狂huravlel,L.T.),无定形氧化娃的表面化学，朱拉威尔模型（TheSurface QiemistryofAmo;rphousSiUka,ZhuravlevModel),《胶体和表面A:理化工程方面 (ColloidsandSurfacesA:PhysiochemicalEngineeringAspects)》173 (2000) 1-38。在 US'727中，在结合周界之内形成非结合区域，所述的形成运种非结合区域的主要方式是 增加表面粗糖度。平均表面粗糖度大于2nmRa可阻止在升高溫度的结合过程中形成玻璃 和玻璃结合。在由相同专利技术人在2012年12月13日提交的、题目为"用于控制片材和载体 之间的结合的促进的加工（FacilitatedProcessingforControllingBondingBetween aieetandCarrier)"的美国临时申请系列号61/736, 880(下文称为US'880)中，通过控 制载体和薄玻璃片材之间的范德华力和/或氨键结合形成受控的结合区域，但也还使用了 共价结合区域。因此，虽然US'727和US'880中使用载体用于加工薄片材的制品和方法 能耐受FTO加工的苛刻环境，但对于有些应用而言不利地是，由于结合区域中薄玻璃和玻 璃载体之间的强力共价键阻止了载体的再次利用，在所述结合区域中，该薄玻璃和玻璃载 体通过粘附力为~1000-2000mJ/m2的共价作用（例如Si-O-Si)结合进行结合，该粘附力在 玻璃断裂强度的量级。擦开/剥离不能用来从载体分离共价地结合部分的薄玻璃，因此， 不能从载体去除整个薄片材。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备电子装置的方法，所述方法包括：获得具有载体结合表面的载体；获得具有片材结合表面的片材；将表面改性层设置在所述载体结合表面和所述片材结合表面中的一种上；使用在所述载体结合表面与所述片材结合表面之间的所述表面改性层来使所述载体结合表面与所述片材结合表面结合来形成制品,从而使得结合所述片材和所述载体的表面能具有满足以下要求的特征，使所述制品经历温度循环之后，如果所述载体和所述片材中一种固定且另一种被施加重力，所述载体和所述片材不相互分离，在所述温度循环中不存在来自所述表面改性层的脱气,以及能够在不将所述载体和所述片材中更薄的一种破碎成两块或更多块的情况下，将所述片材与所述载体分离，所述温度循环包括在腔室中进行以下加热，在以9.2℃/分钟的速率从室温加热到600℃,在600℃的温度下保持10分钟，然后以1℃/分钟的速率冷却到300℃，并随后从所述腔室移出所述制品并使所述制品冷却到室温；把电子装置组件设置到所述片材上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·A·贝尔曼，D·C·布克班德，R·G·曼利，P·马宗达，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US