LED芯片外延结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种LED芯片外延结构，包括硅衬底层，硅衬底层上方从下到上依次设置有缓冲层、下接触层、发光层、上接触层以及透明导电层；其中缓冲层由间隔分布的从硅衬底层上凸出的若干个凸起形成。本实用新型专利技术采用硅衬底层和特殊设计的缓冲层，可以避免GaN生长的晶体缺陷，另外还设计了透明导电层，可以增加发光层的透光率，增大发光功率。本实用新型专利技术的缓冲层降低了外延层和衬底的接触面积，降低了二者应力不同对外延层晶体生长的不利影响。当应力增大时，应力作用于缓冲层的某些凸起上而非外延层上，避免由应力造成的外延层损伤。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，具体地说，涉及一种LED芯片外延结构。
技术介绍
随着社会的发展，人们越来越重视节能环保，因此发光二极管(LED)被广泛地推广和使用，如LED灯。目前的大功率蓝光LED的外延结构，大多采用的是蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次设置有:GaN缓冲层、接触层、发光层、接触层、透明导电层。该芯片外延结构由于GaN层在生长时，GaN与蓝宝石AI203晶格不十分匹配，造成GaN有一定的晶格缺陷，这些缺陷将导致半导体的P-N结发生隧道击穿，降低了二极管的抗静电能力，容易失效，影响其性能参数，不能满足单颗的大功率的照明要求。
技术实现思路
本技术的特征和优点在下文的描述中部分地陈述，或者可从该描述显而易见，或者可通过实践本技术而学习。为克服现有技术的问题，本技术提供一种LED芯片外延结构，具有该芯片外延结构的LED抗静电能力强，照明功率大。本技术解决上述技术问题所采用的技术方案如下:提供一种LED芯片外延结构，包括硅衬底层，所述硅衬底层上方从下到上依次设置有缓冲层、下接触层、发光层、上接触层以及透明导电层；其中所述缓冲层由间隔分布的从所述硅衬底层上凸出的若干个凸起形成。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片外延结构，其特征在于：包括硅衬底层，所述硅衬底层上方从下到上依次设置有缓冲层、下接触层、发光层、上接触层以及透明导电层；其中所述缓冲层由间隔分布的从所述硅衬底层上凸出的若干个凸起形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庄德津，
申请(专利权)人：青岛铝镓光电半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37