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本实用新型提供一种LED芯片外延结构，包括硅衬底层，硅衬底层上方从下到上依次设置有缓冲层、下接触层、发光层、上接触层以及透明导电层；其中缓冲层由间隔分布的从硅衬底层上凸出的若干个凸起形成。本实用新型采用硅衬底层和特殊设计的缓冲层，可以避免G...
该专利属于青岛铝镓光电半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛铝镓光电半导体有限公司授权不得商用。

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