本发明专利技术提供一种薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置。所述薄膜晶体管包括源极和漏极，所述源极和漏极的图形彼此圆心对称，且所述源极和漏极的图形不相平行。上述薄膜晶体管，其源极和漏极的图形不相平行，即：源极和漏极为曲线，或者多段线，而不是直线，源极和漏极为这样的形状可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比(W/L)，这样可以减少数据线对包含所述薄膜晶体管的像素结构进行充电所需的时间，满足显示的需要。同时，所述源极和漏极的图形彼此圆心对称，可以避免在正负帧切换时导致薄膜晶体管特性的变化，从而使像素的保持电压基本不变，避免出现闪烁不良。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管一般包括栅极、有源层、源极和漏极。在显示
，栅极一般与栅线连接，源极一般与数据线连接，漏极一般与像素电极连接。图1为现有一种薄膜晶体管的俯视示意图。如图1所示，所述薄膜晶体管的源极3和漏极4为直线状，其二者相互平行，且以有源层2上的某一位置呈圆心对称。图1所示薄膜晶体管中沟道的宽长比(W/L)较小，数据线对薄膜晶体管进行充电需要较长的时间，在实际中，很难满足显示的需要。图2为现有的另一种薄膜晶体管的俯视示意图。如图2所示，所述薄膜晶体管的源极3为U型，漏极4呈直线状。该薄膜晶体管中沟道的W/L较大，能够减少数据线对薄膜晶体管进行充电所需的时间，满足显示的需要。但对于该薄膜晶体管而言，由于源极3和漏极4的图形非对称，这样在正负帧切换时，会导致薄膜晶体管特性差异大。如图3所示，实线表示理想状态下，像素的保持电压，虚线表示实际正负帧切换时，像素的保持电压，可见，由于薄膜晶体管特性的差异，在正负帧切换时，像素的保持电压相差较大，这样会造成闪烁不良。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管、像素结构、显示基板、显示面板及显示装置，其可以增大沟道的宽长比，同时在正负帧切换时，避免薄膜晶体管特性的差异。为实现本专利技术的目的而提供一种薄膜晶体管，包括源极和漏极，所述源极和漏极的图形彼此圆心对称，且所述源极和漏极的图形不相平行。其中，所述源极和漏极的图形为U型。其中，所述U型的开口平行于数据线的方向。其中，所述U型的开口垂直于数据线的方向。其中，所述源极的U型开口与漏极的U型开口交叉在一起。其中，所述源极和漏极的图形包括连接在一起的多个U型图形。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种像素结构，其包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用本专利技术提供的上述薄膜晶体管。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示基板，其包括多个像素结构，所述像素结构采用本专利技术提供的上述像素结构。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示面板，其包括显示基板和与所述显示基板对盒的对盒基板，所述显示基板采用本专利技术提供的上述显示基板。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示装置，其包括显示面板，所述显示面板采用本专利技术提供的上述显示面板。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供的薄膜晶体管，其源极和漏极的图形不相平行，即:源极和漏极为曲线，或者多段线，而不是直线，源极和漏极为这样的形状可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比(W/L)，这样可以减少数据线对包含所述薄膜晶体管的像素结构进行充电所需的时间，满足显示的需要。同时，所述源极和漏极的图形彼此圆心对称，可以避免在正负帧切换时导致薄膜晶体管特性的变化，从而使像素的保持电压基本不变，避免出现闪烁不良。本专利技术提供的像素结构、显示基板、显示面板和显示装置，包含本专利技术提供的薄膜晶体管，因此，也可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比，以满足显示的需要，同时，还可以避免正负帧切换时的薄膜晶体管特性的变化，从而避免由此导致的闪烁不良。【附图说明】附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中:图1为现有一种薄膜晶体管的俯视示意图；图2为现有的另一种薄膜晶体管的俯视示意图；图3为像素结构的保持电压的示意图；图4为第一种实施方式中薄膜晶体管的示意图；图5为图4所示薄膜晶体管的一种替代实施例的示意图；图6为第二种实施方式中薄膜晶体管的示意图；图7为图6所示薄膜晶体管的一种替代实施例的示意图。其中，附图标记:1:栅极；2:有源层；3:源极；4:漏极。【具体实施方式】以下结合附图对本专利技术的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。本专利技术提供一种薄膜晶体管的多个实施方式。图4为第一种实施方式中薄膜晶体管的示意图。如图4所示，所述薄膜晶体管包括栅极1、有源层2、源极3和漏极4，所述源极3和漏极4的图形彼此圆心对称，且所述源极3和漏极4的图形不相平行。所述源极3和漏极4的图形不相平行，排除了源极3和漏极4为直线的情形，即其不同于
技术介绍
中图1所示的形状。具体地，源极3和漏极4的图形可以为曲线，或者多段线，源极3和漏极4为这样的形状可以增大薄膜晶体管中沟道的宽长比(W/L)，这样可以减少数据线对包含所述薄膜晶体管的像素结构进行充电所需的时间，满足显示的需要。同时，在本实施方式中，所述源极3和漏极4的图形彼此圆心对称，可以避免在正负帧切换时导致薄膜晶体管特性的变化，从而使像素的保持电压基本不变，避免出现闪烁不良。具体地，如图4所示，所述源极3和漏极4的图形可以为U型；且所述源极的U型开口与漏极的U型开口交叉在一起。相比于图当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括源极和漏极，其特征在于，所述源极和漏极的图形彼此圆心对称，且所述源极和漏极的图形不相平行。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵婷婷，杨通，王盛，朴求铉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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