一种MEMS器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括方法，包括：提供基底，在所述基底上形成有凸起的环状接合部件，所述环状接合部件的内侧形成用于容纳MEMS器件的第一凹槽，所述环状接合部件的外侧形成第一沟槽；在所述基底上形成图案化的掩膜层，以覆盖所述环状接合部件和所述第一凹槽，并露出部分所述第一沟槽；以所述掩膜层为掩膜，蚀刻去除部分露出的所述基底，以形成深度大于所述第一沟槽的第二沟槽；去除所述掩膜层；将所述基底和形成有MEMS器件的MEMS衬底接合；背部研磨所述基底至所述第二沟槽的深度以上、所述第一沟槽的深度以下，以形成MEMS覆盖层。本发明专利技术的优点在于：MEMS衬底上的图案不会受到水流的冲击，导致图案脱落或者损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子 目.ο
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，在各种传感器(mot1n sensor)类产品的市场上,智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。现有技术MEMS器件的制备过程如图1a-1b以及图2a_2c所示，如图2a所示，首先分别制备MEMS衬底101和覆盖层102，其中在所述MEMS衬底101上形成有各种传感器器件，在所述MEMS衬底101上还形成有Al焊盘，用于在形成所述MEMS器件后进行封装。接着，如图1a和图2b所示，将所述MEMS衬底101和覆盖层102相接合以形成MEMS器件。然后对所述覆盖层102进行划片切割(blade dicing),以减小所述覆盖层顶部的关键尺寸，露出所述接合晶圆，如图2c和图1b所示。现有技术的制备工艺中，选用划片刀对所述覆盖层进行切割，在切割过程中会产生大量的娃灰尘(Silicon Dust),落在所述接合晶圆的上方,造成对所述接合焊盘的腐蚀(Pad Corros1n)。为了去除上述工艺过程中产生的硅灰尘(Silicon Dust)，在划片切割过程中需要依靠增加水流速度(Water Flow Rate)来增加冲力，但是所述方法会导致MEMS衬底101上的虚拟图案失效(Dummy Patten Fail Down),使器件的良率和性能降低。综上，现有技术中在MEMS覆盖层的制备方法导致上述很多问题，需要对现有方法作进一步改进，以便消除上述弊端，进一步提高器件的性能和良率。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了克服目前存在问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，包括:提供基底，在所述基底上形成有凸起的环状接合部件，所述环状接合部件的内侧形成用于容纳MEMS器件的第一凹槽，所述环状接合部件的外侧形成第一沟槽；在所述基底上形成图案化的掩膜层，以覆盖所述环状接合部件和所述第一凹槽，并露出部分所述第一沟槽；以所述掩膜层为掩膜，蚀刻去除部分露出的所述基底，以形成深度大于所述第一沟槽的第二沟槽；去除所述掩膜层；将所述基底和形成有MEMS器件的MEMS衬底接合；背部研磨所述基底至所述第二沟槽的深度以上、所述第一沟槽的深度以下，以形成MfflS覆盖层。作为优选，所述环状接合部件的形成方法为:提供表面形成有氧化物层的基底并图案化，以在所述基底上形成环状的接合部件本体；在所述接合部件本体上形成接合材料层，以形成所述环状接合部件。作为优选，所述接合材料层选用Ge材料层。作为优选，所述氧化物层的厚度为1-3KA ；所述接合材料层的厚度为4-6KA。作为优选，所述环状接合部件两侧的所述基底表面上还形成有金属层。作为优选，所述金属层选用金属Ti。作为优选，所述金属层的厚度为2-4KA。作为优选，选用深反应离子刻蚀的方法蚀刻去除部分露出的所述基底。本专利技术还提供了一种MEMS器件，其采用上述方法制备。本专利技术还提供了一种电子装置，其包括上述的MEMS器件。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种新的MEMS器件的制备方法，在所述方法中首先通过现有方法制备得到所述覆盖层，然后在所述覆盖层上图案化的掩膜层，露出所述覆盖层的沟槽，然后蚀刻所述覆盖层的两端，形成台阶形的覆盖层，最后通过背部研磨去除台阶形覆盖层中尺寸较大的部分，以得到最终的MEMS覆盖层，通过所述方法避免了在MEMS覆盖层制备过程中切割的步骤，解决了硅灰尘对MEMS衬底上的焊盘造成腐蚀的问题。本专利技术的优点在于:(I)MEMS衬底上的图案不会受到水流的冲击，导致图案脱落或者损坏。(2)避免了在切割过程中产生硅的碎屑，掉落在MEMS衬底的焊盘上，导致焊盘腐蚀。【附图说明】本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中，图1a-1b为现有技术中所述MEMS器件的制备过程示意图；图2a_2c为本专利技术一【具体实施方式】中所述MEMS覆盖层的制备过程示意图；图3a_3d为本专利技术一【具体实施方式】中所述MEMS覆盖层的制备过程示意图；图4为本专利技术一【具体实施方式】中所述MEMS覆盖层的制备工艺流程图。【具体实施方式】在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接至『或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底上形成有凸起的环状接合部件，所述环状接合部件的内侧形成用于容纳MEMS器件的第一凹槽，所述环状接合部件的外侧形成第一沟槽；在所述基底上形成图案化的掩膜层，以覆盖所述环状接合部件和所述第一凹槽，并露出部分所述第一沟槽；以所述掩膜层为掩膜，蚀刻去除部分露出的所述基底，以形成深度大于所述第一沟槽的第二沟槽；去除所述掩膜层；将所述基底和形成有MEMS器件的MEMS衬底接合；背部研磨所述基底至所述第二沟槽的深度以上、所述第一沟槽的深度以下，以形成MEMS覆盖层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江卢山，陈晓军，刘煊杰，郭亮良，马军德，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31