本发明专利技术涉及用于确定基于阵列的半导体器件中的有机发光器件(OLED)的效率劣化的系统，所述半导体器件具有像素的阵列，且所述像素包括OLED。在所述系统中，针对至少一个应力条件，确定所述OLED的电学运行参数的变化与所述OLED的所述效率劣化之间的关系；测量所述OLED的所述电学运行参数的变化；确定所述半导体器件中的至少一个像素或像素组的应力条件；以及通过使用所确定的关系和所确定的应力条件，确定所述OLED的与所述OLED的所述电学运行参数的所测量的变化相对应的所述效率劣化。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 相关申请的交叉参考 本申请要求于2015年5月21日提交的美国专利申请14/286,711的优先权，在这 里将该在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。
本专利技术大体上涉及使用诸如OLED之类的发光器件的显示器，且更具体地涉及为 了补偿发光器件的老化而在此类显示器中提取不同应力条件下的特性关联曲线。
技术介绍
相对于常规液晶显示器，有源矩阵有机发光器件（AMOLED)显示器提供了更低的 功耗、制造灵活性和更快的刷新速率的优点。与常规液晶显示器相比，AMOLED显示器中不 存在背光，这是因为每个像素由独立发光的不同颜色的OLED构成。OLED基于由驱动晶体管 提供的电流发光。驱动晶体管通常是薄膜晶体管（TFT)。每个像素的功耗与该像素中产生 的光的大小具有直接的关系。 在有机发光二极管器件的运行期间，其遭受劣化，这导致恒定电流下的光输出随 着时间减小。OLED器件还遭受电学劣化，这导致恒定偏置电压下的电流随着时间降低。这 些劣化基本上是由与OLED上的施加电压的大小和持续时间以及由此在该器件中产生的电 流相关的应力引起的。这类劣化由于诸如温度、湿度或氧化剂的存在之类的环境因素的随 时间的贡献而混合在一起。薄膜晶体管器件的老化速率也取决于环境和应力（偏置）。针 对先前数次存储的像素历史数据来校准像素，以确定像素上的老化效应，从而可适当地确 定像素晶体管和OLED的老化。因此，在显示装置的整个寿命期间需要精确的老化数据。 在一种OLED显示器补偿技术中，提取像素面板的老化（和/或均匀性）并将其作 为原始的或经处理的数据存储在查找表中。接着，补偿模块使用所存储的数据来补偿OLED 的电学参数和光学参数的任何偏移（例如，OLED运行电压和光学效率的偏移）以及背板的 电学和光学参数的任何偏移（例如，TFT的阈值电压偏移），因而根据所存储的数据和视频 内容来修改每个像素的编程电压。补偿模块按照使足够的电流经过OLED以针对每个灰度 水平保持相同的亮度水平的方式修改驱动TFT的偏置。换句话说，合适的编程电压适当地 抵消了 OLED的电学老化和光学老化以及TFT的电学劣化。 在显示器的寿命期间，通过基于电学反馈的测量电路持续地监测并提取背板TFT 和OLED器件的电学参数。进一步，根据OLED的电学劣化数据来估计OLED器件的光学老化 参数。然而，OLED的光学老化效应也取决于单独像素上的应力条件，且由于应力在像素间 变化，所以不能确保精确的补偿，除非确定出适合于具体应力水平的补偿。 因此，对于有源像素上的应力条件，需要有效地提取精确的光学参数和电学参数 的特性关联曲线以用于补偿老化效应和其它效应。对于有源像素在显示器的运行期间可能 经受的各种应力条件，需要具有各种特性关联曲线。
技术实现思路
根据一个实施例，提供了一种用于确定基于阵列的半导体器件中的有机发光器件 (OLED)的效率劣化的系统，所述半导体器件具有像素的阵列，且所述像素包括0LED。在所 述系统中，针对至少一个应力条件，确定所述OLED的电学运行参数的变化与所述OLED的 所述效率劣化之间的关系；测量所述OLED的所述电学运行参数的变化；确定所述半导体器 件中的至少一个像素或像素组的应力条件；以及通过使用所确定的关系和所确定的应力条 件，确定所述OLED的与所述OLED的所述电学运行参数的所测量的变化相对应的所述效率 劣化。 在一种实施例中，使用所确定的应力条件来选择所确定的关系，以用于确定所述 OLED的与所述OLED的所述电学运行参数（例如，OLED电压）的所测量的变化相对应的所 述效率劣化。所述OLED的应力条件可以是根据所述OLED的应力历史（例如，所述OLED经 受的应力条件的移动平均）确定的，或者是根据所述OLED的所述电学运行参数的随时间的 变化速率确定的，所述OLED的所述电学运行参数的随时间的变化速率是所述OLED经受的 应力的函数。 鉴于参考附图进行的各种实施例的详细描述，本领域技术人员将明白本专利技术的各 方面，其中将在下面给出这些附图的简要。【附图说明】 通过参考下面的结合附图进行的说明可以最好地理解本专利技术。 图1是具有补偿控制的AMOLED显示器系统的框图。 图2是用于基于测量数据来修改特性关联曲线的图1中的参考像素中的一者的电 路图。 图3是从有源像素发出的亮度的曲线图，该曲线图反映出可需要不同补偿的随时 间的不同水平的应力条件。 图4是不同特性关联曲线的曲线图以及使用预定应力条件来确定补偿的技术的 结果的曲线图。 图5是基于预定应力条件下的参考像素组来确定和更新特性关联曲线的过程的 流程图。 图6是使用预定的特性关联曲线来补偿显示器上的有源像素的编程电压的过程 的流程图。 图7是OLED效率劣化与OLED电压的变化的相关性曲线。 图8是OLED应力历史与应力强度的曲线图。 图9A是不同的应力条件下的OLED电压变化与时间的曲线图。 图9B是不同的应力条件下的OLED电压变化速率与时间的曲线图。 图10是不同的应力条件下的OLED电压变化速率与OLED电压变化的曲线图。 图11是根据诸如OLED电压之类的OLED参数的变化来提取OLED效率劣化的过程 的流程图。 虽然本专利技术易受到各种修改和替代形式，但是在附图中已经通过实例的方式示出 了特定实施例并在本文中详细说明。然而，应当理解，本专利技术并不意图限于所公开的特定形 式。相反，本专利技术覆盖落入由所附权利要求限定的本专利技术的精神和范围内的所有修改、等同 物和替代方案。【具体实施方式】 图1是具有有源矩阵区域或像素阵列102的电子显示器系统100,在该有源矩阵 区域或像素阵列102中，以行和列的配置布置有有源像素104的阵列。为方便图示，仅示出 了两行和两列。在有源矩阵区域（像素阵列102)的外部是外围区域106,在外围区域106 中布置有用于驱动和控制像素阵列102的区域的外围电路。外围电路包括栅极或地址驱动 器电路108、源极或数据驱动器电路110、控制器112和可选的电压源（例如，EL_Vdd)驱动 器114。控制器112控制栅极驱动器108、源极驱动器110和电压源驱动器114。在控制器 112的控制下，栅极驱动器108对地址或选择线SEL、SEL等进行操作，其中在像素 阵列102中的像素104的每一行中存在一条地址或选择线。在下述像素共用配置中，栅极 或地址驱动器电路108还可以可选地对全局选择线GSEL且可选地对/GSEL进行操 作，全局选择线GSEL或/GSEL对像素阵列102中的像素104中的多个行（例如，像 素104的每两行）进行操作。在控制器112的控制下，源极驱动器电路110对电压数据线 Vdata、Vdata等进行操作，其中在像素阵列102中的像素104的每一列中存在一 条电压数据线。电压数据线向每个像素104运送用于表示像素104中的每个发光器件的亮 度的电压编程信息。每个像素104中的存储元件（例如，电容器）存储电压编程信息，直到 发光或驱动周期开启发光器件。在控制器112的控制下，可选的电压源驱动器114控制电 压源（EL_Vdd)线，其中在像素阵列102中的像素104的每一行中存在一条电压源线。控制 器112还连接到存储器1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于确定基于阵列的半导体器件中的有机发光器件(OLED)的效率劣化的方法，所述半导体器件具有像素的阵列，且所述像素包括OLED，所述方法包括：针对至少一个应力条件，确定所述OLED的电学运行参数的变化与所述OLED的所述效率劣化之间的关系；测量所述OLED的所述电学运行参数的变化；确定所述半导体器件中的至少一个像素或像素组的应力条件；以及通过使用所确定的关系和所确定的应力条件，确定所述OLED的与所述OLED的所述电学运行参数的所测量的变化相对应的所述效率劣化。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：戈尔拉玛瑞扎·恰吉，
申请(专利权)人：伊格尼斯创新公司，
类型：发明
国别省市：加拿大;CA
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