本发明专利技术公开了一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，在该阵列基板的制作方法中，在形成第一绝缘层之后，在形成源极之前，无需进行构图工艺形成将源极与有源层电性连接的过孔，而是在形成第二绝缘层之后，在形成像素电极之前，进行一次构图工艺形成第一过孔、第二过孔和第三过孔，露出源极和有源层，利用与像素电极同层设置且相互绝缘的第一连接部将源极和有源层电性连接，利用与像素电极同层设置且电性连接的第二连接部作为漏极，并通过第三过孔与有源层电性连接，这样，与现有的阵列基板的制作方法相比，可以减少一次构图工艺，简化阵列基板的制作工艺；并且，还可以省去漏极的设置，从而可以增大阵列基板的开口率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置。
技术介绍
在现有的显示装置中，液晶显示器件(Liquid Crystal Display, LCD)具有功耗低、显示质量高、无电磁辐射以及应用范围广等优点，是目前较为重要的显示装置。在现有的LCD的阵列基板中，一般包括:衬底基板以及位于衬底基板上的薄膜晶体管与像素电极；其中，薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极。薄膜晶体管分为顶栅型和底栅型两种，以具有顶栅型薄膜晶体管的阵列基板为例，其制作过程包括如下步骤:首先，在衬底基板上形成有源层的图形；然后，形成栅绝缘层；接着，在栅绝缘层上形成栅极的图形；之后，沉积第一绝缘层，采用构图工艺形成贯穿第一绝缘层的过孔；接着，形成源极和漏极的图形，源极和漏极通过贯穿第一绝缘层的过孔分别与有源层电性连接；之后，沉积第二绝缘层，采用构图工艺形成贯穿第二绝缘层的过孔；最后，形成像素电极的图形，像素电极通过贯穿第二绝缘层的过孔与漏极电性连接。在上述阵列基板的制作过程中，总共需要经过六次构图工艺，制作工艺较为复杂。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，用以简化阵列基板的制作工艺。因此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括:衬底基板，位于所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层和栅极，以及位于所述有源层、栅绝缘层和栅极上依次层叠设置的第一绝缘层、源极、第二绝缘层和像素电极；还包括:与所述像素电极同层设置的第一连接部和第二连接部；其中，所述第一连接部通过第一过孔与所述有源层电性连接，所述第一连接部通过第二过孔与所述源极电性连接，所述第二连接部通过第三过孔与所述有源层电性连接；所述第二连接部与所述像素电极电性连接，所述第二连接部和所述像素电极均与所述第一连接部相互绝缘。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述有源层所在膜层位于所述衬底基板与所述栅绝缘层之间，所述栅绝缘层位于所述有源层所在膜层与所述栅极所在膜层之间；所述第一过孔贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述栅绝缘层且位于所述有源层中靠近所述源极的区域内；所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层且位于所述源极的正上方；所述第三过孔贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述栅绝缘层且位于所述有源层中靠近所述像素电极的区域内。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括:位于所述源极所在膜层与所述第二绝缘层之间的平坦层；所述平坦层至少在与所述第一连接部和所述第二连接部对应的区域为镂空区域。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括:贯穿所述第二绝缘层、所述平坦层和所述第一绝缘层且位于与栅线电性连接的第一接线端子的正上方的第四过孔；贯穿所述第二绝缘层和所述平坦层且位于与数据线电性连接的第二接线端子的正上方的第五过孔。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括:位于所述平坦层与所述第二绝缘层之间的公共电极。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，与所述公共电极电性连接的公共电极线与所述栅极同层设置；还包括:与所述像素电极同层设置且相互绝缘的第三连接部；其中，所述第三连接部通过第六过孔与所述公共电极线电性连接，所述第三连接部通过第七过孔与所述公共电极电性连接，所述第六过孔贯穿所述第二绝缘层、所述平坦层和所述第一绝缘层且位于所述公共电极线的正上方，所述第七过孔贯穿所述第二绝缘层且位于所述公共电极的正上方。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括:与所述源极同层设置的漏极，以及贯穿所述第二绝缘层且位于所述漏极的正上方的第八过孔；所述第二连接部通过所述第八过孔与所述漏极电性连接。本专利技术实施例还提供了一种液晶显示面板，包括:本专利技术实施例提供的上述阵列基板和与所述阵列基板相对而置的对向基板，以及位于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括:本专利技术实施例提供的上述液晶显示面板。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:在衬底基板上形成包括有源层、栅绝缘层和栅极的图形；在形成有所述有源层、栅绝缘层和栅极的图形的衬底基板上形成第一绝缘层；还包括:在所述第一绝缘层上形成包括源极的图形；在形成有所述源极的图形的衬底基板上形成第二绝缘层；采用构图工艺形成第一过孔、第二过孔和第三过孔；其中，将要形成的第一连接部通过第一过孔与所述有源层电性连接，所述第一连接部通过第二过孔与所述源极电性连接，将要形成的第二连接部通过第三过孔与所述有源层电性连接；在形成有所述第一过孔、第二过孔和第三过孔的衬底基板上采用一次构图工艺形成包括像素电极、第一连接部和第二连接部的图形；其中，所述第二连接部与所述像素电极电性连接，所述第二连接部和所述像素电极均与所述第一连接部相互绝缘。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，所述在衬底基板上形成包括有源层、栅绝缘层和栅极的图形，具体包括:在衬底基板上依次形成包括有源层、栅绝缘层和栅极的图形；所述形成第一过孔、第二过孔和第三过孔，具体包括:形成贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述栅绝缘层且位于所述有源层中靠近所述源极的区域内的第一过孔，贯穿所述第二绝缘层且位于所述源极的正上方的第二过孔，以及贯穿所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述栅绝缘层且位于所述有源层靠近与所述像素电极的区域内的第三过孔。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，在形成包括源极的图形之后，在形成第二绝缘层之前，还包括:形成包括平坦层的图形；其中，所述平坦层的图形至少在与所述第一连接部和所述第二连接部对应的区域为镂空区域。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，所述形成第一过孔、第二过孔和第三过孔的同时，还包括:形成贯穿所述第二绝缘层、所述平坦层和所述第一绝缘层且位于与栅线电性连接的第一接线端子的正上方的第四过孔，以及贯穿所述第二绝缘层和所述平坦层且位于与数据线电性连接的第二接线端子的正上方的第五过孔。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，在形成包括平坦层的图形之后，在形成第二绝缘层之前，还包括:形成包括公共电极的图形。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，与所述公共电极电性连接的公共电极线与所述栅极同层设置；在形成第一过孔、第二过孔和第三过孔的同时，还包括:形成贯穿所述第二绝缘层、所述平坦层和所述第一绝缘层且位于与所述公共电极线的正上方的第六过孔，以及贯穿所述第二绝缘层且位于所述公共电极的正上方的第七过孔；在形成像素电极的图形的同时，还包括:形成包括第三连接部的图形；其中，所述第三连接部与所述像素电极相互绝缘，所述第三连接部通过所述第六过孔与所述公共电极线电性连接，所述第三连接部通过所述第七过孔与所述公共电极电性连接。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，在形成源极的图形的同时，还包括:形成包括漏极的图形；在形成第一过孔、第二过孔和第三过孔的同时，还包括:形成贯穿所述第二绝缘层且位于所述漏极的正上方的第八过孔；其中，所述第二连接部通过所述第八过孔本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的有源层、栅绝缘层和栅极，以及位于所述有源层、栅绝缘层和栅极上依次层叠设置的第一绝缘层、源极、第二绝缘层和像素电极；其特征在于，还包括：与所述像素电极同层设置的第一连接部和第二连接部；其中，所述第一连接部通过第一过孔与所述有源层电性连接，所述第一连接部通过第二过孔与所述源极电性连接，所述第二连接部通过第三过孔与所述有源层电性连接；所述第二连接部与所述像素电极电性连接，所述第二连接部和所述像素电极均与所述第一连接部相互绝缘。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，舒适，刘聖烈，周婷婷，曹占锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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