本发明专利技术适用于触控技术领域，提供了一种AZO导电玻璃，包括玻璃基片、镀制于所述玻璃基片一表面的消影层以及镀制在所述消影层表面的第一AZO导电层，还包括镀制于所述玻璃基片的另一表面并用于屏蔽电磁干扰的第二AZO导电层。本发明专利技术所述的AZO导电玻璃在其两侧各设置一层AZO导电层，在触控装置的应用中，由于其显示驱动电极的存在，通常对上方的触控结构产生电磁干扰，该第二AZO导电层可作为液晶显示结构与触控结构之间的屏蔽层，防止触控结构受到电磁干扰，提高下游显示产品的显示效果。并且通过对AZO材料的应用，使在电子显示领域替代ITO应用成为可能，可以解决ITO储量有限，价格昂贵等问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于导电玻璃
，特别涉及一种AZO导电玻璃及其制造方法以及触控装置。
技术介绍
AZO玻璃，即掺杂铝的氧化锌透明导电玻璃，是TCO玻璃的一种，和ITO等TCO玻璃一样也具有透明和导电的特点，可用于生产触摸屏器件。传统的AZO玻璃在与ITO具有相同导电性的情况下，刻蚀纹明显，显示效果欠佳。并且在大尺寸触摸屏的应用中，由AZO膜层形成的触控结构层容易受到液晶显示结构层的电磁干扰，影响触摸检测精度和响应速度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种AZO导电玻璃，旨在消除刻蚀纹并提高其抗电磁干扰能力。本专利技术是这样实现的，一种AZO导电玻璃，包括玻璃基片、镀制于所述玻璃基片一表面的消影层以及镀制在所述消影层表面的第一 AZO导电层，还包括镀制于所述玻璃基片的另一表面并用于屏蔽电磁干扰的第二 AZO导电层。本专利技术的另一目的在于提供一种触控装置，包括触控模块和显示模块，所述触控模块包括所述的AZO导电玻璃，所述第一 AZO导电层和第二 AZO导电层蚀刻成触控电极，所述第二 AZO导电层还用于屏蔽所述显示模块对所述触控模块的电磁干扰。本专利技术的另一目的在于提供一种AZO导电玻璃的制造方法，包括下述步骤:选取玻璃原片并对其进行镀膜前处理，获得玻璃基片；通过中频交流磁控溅射法在所述玻璃基片的一表面镀制消影层；通过直流磁控溅射法在所述消影层的表面镀制第一 AZO导电层；通过直流磁控溅射法在所述玻璃基片的另一表面镀制第二 AZO导电层，获得AZO导电玻璃。本专利技术所述的AZO导电玻璃中，第二 AZO导电层与消影层和第一 AZO导电层设置于玻璃基片的异侧，在触控装置的应用中，第二 AZO导电层下方通常设有液晶显示模块，由于其显示驱动电极的存在，通常对上方的触控结构产生电磁干扰，本实施例中的第二 AZO导电层可作为液晶显示结构与触控结构之间的屏蔽层，防止触控结构受到电磁干扰，提高下游显示产品的显示效果。并且通过对AZO材料的应用，使在电子显示领域替代ITO应用成为可能，可以解决ITO储量有限，价格昂贵等问题。【附图说明】图1是本专利技术实施例提供的AZO导电玻璃的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的AZO导电玻璃的制作流程图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。以下结合具体实施例对本专利技术的具体实现进行详细描述:请参考图1，本专利技术实施例提供一种AZO导电玻璃，包括玻璃基片01、镀制于玻璃基片01 —表面的消影层02以及镀制在所述消影层02表面的第一 AZO导电层03，还包括镀制于所述玻璃基片01的另一表面并用于屏蔽电磁干扰的第二 AZO导电层04。该AZO导电玻璃可用于触控显示装置中作为触控电极结构层，其中的第一 AZO导电层03和第二 AZO导电层04蚀刻成触控电极。其中，消影层02位于第一 AZO导电层03和玻璃基片01之间，可见光在第一 AZO导电层03表面和未被第一 AZO导电层03覆盖的基材表面上发生相消干涉从而可以消除刻蚀纹，可以大幅减轻刻蚀纹的干扰，显示清晰细腻的画面。第二 AZO导电层04则可以在起到触控功能的同时提高触摸屏的抗干扰能力。本实施例所述的AZO导电玻璃中，第二 AZO导电层04与消影层02和第一 AZO导电层03设置于玻璃基片01的异侧，在触控装置的应用中，第二 AZO导电层04下方通常设有液晶显示模块，由于其显示驱动电极的存在，通常对上方的触控结构产生电磁干扰，本实施例中的第二 AZO导电层04可作为液晶显示结构与触控结构之间的屏蔽层，防止触控结构受到电磁干扰，提高下游显示产品的显示效果。并且通过对AZO材料的应用，使在电子显示领域替代ITO应用成为可能，可以解决ITO储量有限，价格昂贵等问题。在本实施例中，第一 AZO导电层03和第二 AZO导电层04的材料均为2 %掺杂的氧化锌铝。第一 AZO导电层03和第二 AZO导电层04的厚度各为50?300nm，对550nm的折射率为1.80?1.95，电阻率为5X10 4 Ω/cm。在本实施例中，消影层02包括自所述玻璃基片01表面依次层叠的五氧化二铌膜层021和二氧化娃膜层022，所述五氧化二银膜层021的厚度为5?50nm，所述二氧化娃膜层022的厚度为10?60nm ;五氧化二铌膜层021对550nm的折射率为2.20?2.40，二氧化硅膜层022对550nm的折射率为1.40?1.50。仅采用该消影层02时对可见光的反射率和消影层02表面设有第一 AZO导电层03时对可见光的反射率之差可低于2 %，可以很好的消除刻蚀纹。该AZO导电玻璃可通过下述方式制作，具体步骤如下:在步骤SlOl中，选取玻璃原片并对其进行镀膜前处理，获得玻璃基片01 ;具体的，可以采用厚度为0.5?2.0mm的钠钙硅玻璃、硼硅玻璃或铝硅玻璃，具体厚度可以为0.5mm, 0.7mm, 1.1mm等。再将所需厚度的电子玻璃原片经切割成所需尺寸，再经磨边、研磨、清洗得到镀膜所需的玻璃基片01。在步骤S102中，通过中频交流磁控溅射法在所述玻璃基片01的一表面镀制消影层02 ;在步骤S103中，通过直流磁控溅射法在所述消影层02的表面镀制第一 AZO导电层03 ;在步骤S104中，通过直流磁控溅射法在所述玻璃基片01的另一表面镀制第二 AZO导电层04，获得AZO导电玻璃。在上述步骤S102中，将准备好的玻璃基片01放在传动小车上，设定传动小车走速，进入真空镀膜机，经过腔体的加热段加热到150°C左右步入五氧化二铌靶位，优选Ar气量在200SCCm，优选O2气量在100%011，优选溅射气压在3\10 3，所用靶材为孪生靶，采用中频交流磁控溅射在玻璃基片01锡面上镀制五氧化二铌膜层021当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种AZO导电玻璃，其特征在于，包括玻璃基片、镀制于所述玻璃基片一表面的消影层以及镀制在所述消影层表面的第一AZO导电层，还包括镀制于所述玻璃基片的另一表面并用于屏蔽电磁干扰的第二AZO导电层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董清世，邵世强，李晓东，王润，陈曦，
申请(专利权)人：信义光伏产业安徽控股有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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