【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域,具体地,本专利技术涉及一种垂直型平面螺旋电感及其制备方法、电子装置。
技术介绍
对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加,这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注,为了增加半导体存储装置的集成密度,现有技术中采用了许多不同的方法,例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元,对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说,已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。在电子消费领域,多功能设备越来越受到消费者的喜爱,相比于功能简单的设备,多功能设备制作过程将更加复杂,比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片,因而出现了3D集成电路(integratedcircuit,IC)技术。其中,微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗、重量以及价格方面具有十分明显的优势,至今已经开发出多种不同的传感器,例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。通常,在集成无源器件(integratedpassivedevice,IPD)以及微电子机械系统(MEMS)中会使用平面螺旋电感,目前成熟的平面螺旋电感在芯片中占据了极大地面积,并且由于电感器件本身的特性,使得电感不能够像CMOS技术一样随着技术发展而特征尺寸减小。如图1a-1b所示,目前常见的平面螺旋电感工艺中,第一种电感结构如图1a所示,通常由1层或多层金属层叠加 ...
【技术保护点】
一种垂直型平面螺旋电感,包括:晶圆,其包括一个正面和一个背面;穿透所述晶圆的若干硅通孔,所述硅通孔位于同一垂直面并彼此间隔设置;金属互联结构,位于所述晶圆的正面,至少包括若干顶部金属层;重分布层,位于所述晶圆的背面,至少包括若干底部金属层;其中所述硅通孔、所述顶部金属层和所述底部金属层相互连接形成平面螺旋结构。
【技术特征摘要】
1.一种垂直型平面螺旋电感,包括:
晶圆,其包括一个正面和一个背面;
穿透所述晶圆的若干硅通孔,所述硅通孔位于同一垂直面并彼此间隔设
置;
金属互联结构,位于所述晶圆的正面,至少包括若干顶部金属层;
重分布层,位于所述晶圆的背面,至少包括若干底部金属层;
其中所述硅通孔、所述顶部金属层和所述底部金属层相互连接形成平面
螺旋结构。
2.根据权利要求1所述的平面螺旋电感,其特征在于,所述金属互联结
构还进一步包括位于所述顶部金属层之间的若干顶部通孔。
3.根据权利要求1所述的平面螺旋电感,其特征在于,所述重分布层还
进一步包括位于所述底部金属层之间的若干底部通孔。
4.根据权利要求1所述的平面螺旋电感,其特征在于,所述平面螺旋电
感还进一步包括位于所述晶圆正面的第一连接端和第二连接端,分别位于所
述平面螺旋结构的两端。
5.根据权利要求1所述的平面螺旋电感,其特征在于,所述硅通孔包括
第一硅通孔、第二硅通孔、第三硅通孔和第四硅通孔;
其中,所述第二硅通孔通过第一底部金属层与所述第三硅通孔相连接;
所述第一硅通孔通过第二顶部金属层与所述第三硅通孔相连接;
所述第一硅通孔通过第二底部金属层与所述第四硅通孔相连接。
6.根据权利要求5所述的平面螺旋电感,其特征在于,所述第一硅通孔
和所述第三硅通孔均通过位于上方的第一顶部金属层和第一顶部通孔与所述
第二顶部金属层相连接;
所述第一硅通孔和所述第四硅通孔均通过位于下方的第一底部金属层和
第一底部通孔与所述第二底部金属层相连接。
7.根据权利要求1所述的平面螺旋电感,其特征在于,所述平面螺旋电
感还进一步包括顶部层间介电层,所述金属互联结构位于所述顶部层间介电
层中;
所述重分布层包括底部层间介电层,所述底部金属层位于所述底部层间
\t介电层中。
8.根据权利要求1所述的平面螺旋电感,其特征在于,所述晶圆为硅或
玻璃。
9.一种垂直型平面螺旋电感的制备方法,包括:提供晶圆,所述晶圆包
括一个正面和一个背面,所述晶圆中还形成有若干位于同一垂直面并彼此间
隔设置的硅通孔;
在所述晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:戚德奎,张海芳,刘煊杰,陈政,李新,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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