一种宽带高平衡度的片上变压器巴伦制造技术

技术编号:11723777 阅读:291 留言:0更新日期:2015-07-11 15:24
一种宽带高平衡度的片上变压器巴伦(Balun),属于射频器件领域。本发明专利技术包含两个初级线圈和一个次级线圈。两个初级线圈是由带中心抽头的电感在中心抽头附近断开后形成,次级线圈即是一个带中心抽头的平面螺旋电感。初、次级线圈之间相互嵌套以提升耦合系数。初、次级线圈的中心抽头连接在一起最终连到地平面上。按照上述方案设计来变压器Balun可以解决现有变压器Balun在低频工作时呈现的工作频带窄、相位平衡度差、插入损耗和回波损耗大等问题。本发明专利技术可用于片上集成电路设计中需要完成单端-差分转换的场合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频器件领域,设及片上无源己伦炬alance-to-Unbalance,W下简 称Baiun),尤其是具有宽带、低损耗、高平衡度性能的片上变压器Baiun。
技术介绍
己伦常用于射频收发机前端需要进行单端与差分信号转换的场合。现有结构的 Baiun主要有两种,即;MarchandBaiun和变压器式Baiun。MarchandBaiun的优点是它具 有较宽的工作带宽和较低的反射。如文章"Balance-CompensatedAsymmetricMarchand BaiunsonSilicon化r匪ICs"所报道,目前,片上Baiun已经在毫米波电路中得到了广 泛应用,该得益于无源器件尺寸与工作频率呈现的反比例关系。然而,如文章"2. 5-7GHZ singlebalancedmixerwithintegratedRuthroff-typebalunin0.18ymCMOS technology"所述,S波段(2-4GHZ)的无线局域网等低频应用中,该种反比例关系却给无 源Baiun的片上集成带来了巨大挑战,而变压器式Baiun依其紧凑性的特点成为低频应用 本文档来自技高网...
一种<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/59/CN104767021.html" title="一种宽带高平衡度的片上变压器巴伦原文来自X技术">宽带高平衡度的片上变压器巴伦</a>

【技术保护点】
一种宽带高平衡度的片上变压器巴伦,包括初级线圈、次级线圈(L3)和一个金属地平面,次级线圈(L3)带有中心抽头,其特征在于:所述的初级线圈由金属导线断开的第一初级线圈(L1)和第二初级线圈(L2)组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨格亮许仕龙杜克明王明魏恒刘长龙
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十四研究所
类型:发明
国别省市:河北;13

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