【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片设计领域,特别涉及利用高压环境对SOI标准单元库影响的测试方法。
技术介绍
随着集成电路的快速发展,传统的硅工艺在器件理论、器件结构以及制作工艺上出现了越来越多的问题:集成度的提高导致了功耗的迅速增加,栅氧化层变薄导致介质层容易被击穿,这些问题都严重制约着集成电路的发展。而SOI作为一种全介质隔离技术,有着传统体硅不可比拟的优点。由于它采用的是全介质隔离结构,SOI器件的抗辐射特性好,彻底消除了体硅CMOS电路的闩锁效应,并且SOI工艺比传统的体硅面积小。但是仅仅了解SOI器件如何进行设计、制造是不够的。对一般IC设计者,因缺乏设计平台与IP工具支持,让IC设计者即使想采用此工艺也无所适从。在SOI技术形成产业化需要与自动化平台相关的链接文件,而标准单元库是连接集成电路设计与制造工艺之间的桥梁。所以建立一套准确的标准单元库成为一项必要的工作。由于SOI工艺的特殊性,SOI的高压器件可以与普通器件生产在同一款芯片上,我们需要考虑高压环境对库单元的影响,本专利提出一种测试电路,该电路表征了高压环境下标准单元的工作情况。
技术实现思路
本专利技术提出了一种高压环境对标准单元库影响的测试方法,考虑到SOI低压与高压器件共存的工作环境,该方法通过测量被测单元的延迟和信号的波动,实现对高压环境下,测试单元工作情况的检测。测试芯片中设置与低压器件不同距离的高压器件,通过控制不同距离高压器件的开启,来测量其对低压测试单元的影响,最终的测试结果对设计者有着指导作用。考虑到高压器件不同开启 ...
【技术保护点】
一种测试高压环境对标准单元影响的方法,测试不同距离高压器件的开关对标准单元的影响,以及高压器件开启时刻对于测试单元的影响。
【技术特征摘要】
1.一种测试高压环境对标准单元影响的方法,测试不同距离高压器件的开关对标准单元的影响,以及高压器件开启时刻对于测试单元的影响。
2.如权利要求1所述的测试高压器件开启时刻影响的测试电路,其特征在于通过逻辑电路的设置选择不...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐帆,陈曦,张翼,程玉华,
申请(专利权)人:上海北京大学微电子研究院,
类型:发明
国别省市:上海;31
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