坩埚结构制造技术

一种坩埚结构，包括坩埚本体和坩埚盖，其中，所述坩埚本体包括底壁和坩埚侧壁，所述坩埚侧壁的一端与所述坩埚底壁相连，所述坩埚侧壁的另一端设置有所述坩埚盖，所述坩埚盖与所述坩埚的轴线方向的夹角为锐角，在所述坩埚盖上设有开口结构。采用本发明专利技术的坩埚，可有效扩大蒸镀面积，提高蒸镀均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种坩埚结构。
技术介绍
随着有机发光二极管(OLED)显示器件的用途愈加广泛，其制作工艺也日趋成熟。当前，OLED器件中各层的制作方法主要有蒸镀、旋涂和喷墨打印等多种方式。在这些制作方法中，蒸镀方式是一种比较成熟的方法，且已经运用于量产。低世代线一般使用的是蒸镀模式，而且多采用点源蒸镀的方式。使用点源作为蒸镀方式时，由于点源只是存在于腔体中的某一位置，为了保证基板蒸镀的均一性，一般需要转动基板。但这种通过转动基板保证蒸镀均一性的方法常常会导致蒸镀后的基板出现中间偏厚，四周偏薄的情况。
技术实现思路
本专利技术提供一种坩埚结构，用于解决采用点源蒸镀时在基板上形成的蒸镀层的厚度不均问题。一种坩埚结构，包括坩埚本体和坩埚盖，其中，所述坩埚本体包括坩埚底壁和坩埚侧壁，所述坩埚侧壁的一端与所述坩埚底壁相连，所述坩埚侧壁的另一端设置有所述坩埚盖，所述坩埚盖与所述坩埚的轴线方向的夹角为锐角，在所述坩埚盖上设有开口结构。例如，所述坩埚盖与所述坩埚的轴线方向的夹角范围是30°～60°。例如，所述坩埚盖与所述坩埚的轴线方向的夹角范围是40°～45°。例如，所述开口结构为喷嘴。例如，所述喷嘴为狭缝状喷嘴，所述狭缝状喷嘴的数量为一个或多个。例如，所述狭缝状喷嘴为多个，包括位于中间的第一狭缝状喷嘴及在所述第一狭缝状喷嘴两侧呈对称分布的多个狭缝状喷嘴。例如，所述狭缝状喷嘴在所述坩埚盖的远离所述坩埚底壁一端向靠近所述坩埚底壁一端的方向延伸，且所述狭缝的远离所述坩埚底壁的一端的宽度小于其在靠近所述坩埚底壁一端的宽度。例如，所述狭缝状喷嘴的数量为奇数个，且位于正中间的狭缝状喷嘴的长度大于位于其两侧的狭缝状喷嘴的长度。例如，所述喷嘴为圆形喷嘴，所述圆形喷嘴的数量为一个或多个。例如，所述圆形喷嘴的数量为多个，且所述圆形喷嘴的数量从远离所述坩埚底壁向靠近所述坩埚底壁的方向逐渐增加。例如，所述圆形喷嘴的数量为多个，且所述多个圆形喷嘴包括位于中心的第一圆形喷嘴以及环绕所述第一圆形喷嘴设置的多个圆形喷嘴。例如，所述坩埚盖与所述坩埚底壁之间还设置有分流板，所述分流板的周边连接到所述坩埚侧壁；所述分流板上设置有多个贯穿所述分流板的分流孔。例如，在所述分流板上设置的所述分流孔中，相邻两个所述分流孔的中心距是这两个所述分流孔半径和的1.2～1.3倍。例如，所述分流板与所述坩埚的轴线方向的夹角为锐角。例如，所述分流板与所述坩埚的轴线方向的夹角范围是30°～60°。例如，所述分流板与所述坩埚盖为彼此平行地设置。例如，所述分流板上的所述分流孔的开孔密度从所述分流板的远离所述坩埚底壁一端向靠近所述坩埚底壁一端逐渐增大。例如，所述分流板与所述坩埚盖之间的距离小于其与所述坩埚底壁之间的距离。例如，取经过所述坩埚本体的所述坩埚底壁上任意一点的平行于所述坩埚的轴线方向的直线作为第一直线，所述第一直线分别与所述分流板和所述坩埚盖相交，所述第一直线分为在所述分流板与所述坩埚底壁之间的第一线段以及在所述分流板与所述坩埚盖之间的第二线段；所述第一线段的长度L1与所述第二线段的长度L2满足2≤L1/L2≤4。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1、图2为采用点源进行蒸镀的示意图；图3为本专利技术的一个实施例中坩埚的结构示意图；图4、图5为采用本专利技术实施例的坩埚的蒸镀示意图；图6a为示出本专利技术的一个实施例中狭缝状喷嘴在坩埚盖上的分布的俯视图；图6b为图6a沿A-A'方向的截面图；图6c为图6a的沿坩埚轴线且垂直于三个狭缝状喷嘴中心线的局部截面示意图；图7a为本专利技术的一个实施例中圆形喷嘴在坩埚盖上的分布示意图；图7b为图7a沿B-B'方向的截面图；图8a为本专利技术的一个实施例中坩埚设置分流板后的侧向透视图；图8b为本专利技术的一个实施例中分流板上分流孔的分布的俯视图；图9为本专利技术的一个实施例中的分流板设置位置示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。目前所使用的点源蒸镀工艺如图1所示。图1中，材料源置于坩埚2中，加热材料源后，由材料源产生的蒸镀气流从坩埚上端开口部位蒸出。在坩埚的出口位置，蒸镀材料的密度较大，在接近于基板1位置，蒸镀材料密度较小。具体而言，在坩埚出口处，经蒸发的蒸镀材料3的分子由于热运动等原因，获得了一定的初速度。此后，这些分子也会由于不规则的自由运动而出现一定的扩散，进而蒸镀气流形成类似圆锥的形状。在靠近基板1处，这些蒸镀材料3的分子扩散为类似核爆云的形状。图1中由虚线所示出的圆圈指在与待蒸镀基板距离坩埚同一高度处蒸镀材料所形成的蒸镀范围。但是，这种采用将材料源置于坩埚进行蒸镀的蒸镀方式，分子通过扩散而在坩埚上方形成的蒸镀材料无法覆盖整个基板，通常需要转动基板1以使基板1的各个部分均能被蒸镀。图2中示出了基板1在蒸镀时的转动示意图。在蒸镀过程中，待蒸镀基板例如可以始终按顺时针或逆时针方向绕其中心水平旋转，以使椭圆形蒸镀材料3能够在待蒸镀基板上均匀蒸镀。图2中示出了待蒸镀基板在其旋转过程中的两个状态。待蒸镀基板1从图中虚线所示的位置逆时针转动到图中实线所示的位置，旋转角度大约为90°。但是，在转动的过程中，部分蒸镀材料3的分子在基板1的中心外依然存在，导致在基板1的中心位置，除了正常蒸镀外，还会产生一部分溢出蒸镀。这种溢出蒸镀会导致基板1的中心部分厚度高于周边。虽然通过提高转速可以一定程度上改善蒸镀均一性，但是，一方面蒸镀设备的转速提高有限，另一方面，单纯依靠提高转速仍然无法消除蒸镀不均的问题。本专利技术的实施例提供一种坩埚结构，如图3所示，包括坩埚本体22和坩埚盖23，所述坩埚本体22包括坩埚底壁221和筒状坩埚侧壁222，所述坩埚侧壁222的一端与所述坩埚底壁221相连，所述坩埚侧壁222的另一端设置有所述坩埚盖23。所述坩埚盖23与所述坩埚的轴线方向的夹角为锐角，...

【技术保护点】
一种坩埚结构，包括坩埚本体和坩埚盖，其中，所述坩埚本体包括坩埚底壁和筒状坩埚侧壁，所述坩埚侧壁的一端与所述坩埚底壁相连，所述坩埚侧壁的另一端设置有所述坩埚盖，所述坩埚盖与所述坩埚的轴线方向的夹角为锐角，在所述坩埚盖上设有开口结构。

【技术特征摘要】
1.一种坩埚结构，包括坩埚本体和坩埚盖，其中，所述坩埚本体包括
坩埚底壁和筒状坩埚侧壁，所述坩埚侧壁的一端与所述坩埚底壁相连，所述
坩埚侧壁的另一端设置有所述坩埚盖，所述坩埚盖与所述坩埚的轴线方向的
夹角为锐角，在所述坩埚盖上设有开口结构。
2.根据权利要求1所述的坩埚结构，其中，所述坩埚盖与所述坩埚的
轴线方向的夹角范围是30°～60°。
3.根据权利要求1所述的坩埚结构，其中，所述坩埚盖与所述坩埚的
轴线方向的夹角范围是40°～45°。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的坩埚结构，其中，所述开口结构
为喷嘴。
5.根据权利要4所述的坩埚结构，其中，所述喷嘴为狭缝状喷嘴，所
述狭缝状喷嘴的数量为一个或多个。
6.根据权利要5所述的坩埚结构，其中，所述狭缝状喷嘴为多个，包
括位于中间的第一狭缝状喷嘴及在所述第一狭缝状喷嘴两侧呈对称分布的
多个狭缝状喷嘴。
7.根据权利要5所述的坩埚结构，其中，所述狭缝状喷嘴在所述坩埚
盖的远离所述坩埚底壁一端向靠近所述坩埚底壁一端的方向延伸，且所述狭
缝的远离所述坩埚底壁的一端的宽度小于其在靠近所述坩埚底壁一端的宽
度。
8.根据权利要6所述的坩埚结构，其中，所述第一狭缝状喷嘴的长度
大于位于其两侧的狭缝状喷嘴的长度。
9.根据权利要4所述的坩埚结构，其中，所述喷嘴为圆形喷嘴，所述
圆形喷嘴的数量为一个或多个。
10.根据权利要9所述的坩埚结构，其中，所述圆形喷嘴的数量为多个，
且所述圆形喷嘴的数量从远离所述坩埚底壁向靠近所述坩埚底壁的方向逐
渐增加。
11.根据权利要9所述的坩埚结构，其中，所述圆形喷嘴的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德江，王浩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11