一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统技术方案

本发明专利技术提供了一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统。本发明专利技术的质量检测，具体包括：向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量确定所述多晶硅薄膜的质量；本发明专利技术的质量检测方法与现有质量检测方法相比，提高了质量检测的准确性和效率，从而降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及液晶显示器
，特别是涉及一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统。【
技术介绍
】现有制作低温多晶硅薄膜为利用准分子激光退火设备，完成准分子激光退火后的多晶硅薄膜质量检测为利用一巨观(Macro)检测，以人眼观察搭配强光灯，进行多晶硅薄膜Mura检测。利用准分子激光制作多晶硅薄膜会常常会出现不良的多晶硅薄膜，如图1所述为利用目前Macro检测方法对多晶硅薄膜进行检测得到的照片，从该照片中可以看出多晶硅薄膜出现了不良的线条，具体地为不良的横线或垂直线，因此可判断该多晶硅薄膜为不良品；若出现如图2所示的照片，则可以判断该多晶硅薄膜为良品。可见，现有多晶硅薄膜的质量检测方法，即Macro检测，往往依赖于人为主观意识判断，然而人为主观意识判断很容易造成误判，导致对多晶硅薄膜的质量检测不准确。因此，有必要提供一种新的多晶硅薄膜的质量检测方法，以解决现有技术所存在的问题。【
技术实现思路
】本专利技术的目的在于提供一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统，以解决现有多晶硅薄膜的质量检测方法存在的质量检测不准确的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种多晶硅薄膜的质量检测方法；其包括如下步骤:向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量确定所述多晶硅薄膜的质量。在本专利技术的质量检测方法中，所述根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的所述对比结果获取合格的所述图像单元的数量的步骤包括:根据所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果确定所述图像单元是否合格；统计合格的所述图像的数量。在本专利技术的质量检测方法中，所述显示参数包括:亮度灰阶和/或线条宽长度分布。在本专利技术的质量检测方法中，当所述显示参数包括亮度灰阶和线条宽长度分布时，所述根据所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果确定所述图像单元是否合格的步骤包括:当所述亮度灰阶值大于或等于预设亮度灰阶值，且所述线条宽长度分布值小于预设线条宽长度分布值时，确定所述图像单元合格；当所述亮度阶值小于预设亮度灰阶值，或者所述线条宽长度分布值大于预设线条宽长度分布值时，确定所述图像单元不合格。在本专利技术的质量检测方法中，当所述显示参数包括线条宽长度分布时，所述根据所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果确定所述图像单元是否合格的步骤包括:当所述线条宽长度分布值小于预设线条宽长度分布值时，确定所述图像单元合格；当所述线条宽长度分布值不小于预设线条宽长度分布值时，确定所述图像单元不合格。在本专利技术的质量检测方法中，所述根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量确定所述多晶娃薄膜的质量的步骤包括:将合格的所述图像单元的数量与预设数量进行比较，所述预设数量为根据所述图像单元的总数量设定的数量；当合格的所述图像单元的数量小于预设数量时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；当合格的所述图像单元的数量大于或等于预设数量时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格。在本专利技术的质量检测方法中，所述根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量确定所述多晶娃薄膜的质量的步骤包括:根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量计算图像单元的合格率;将所述合格率与预设合格率进行比较；当所述合格率小于预设合格率时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；当所述合格率大于或等于预设合格率时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格。在本专利技术的质量检测方法中，所述对所述多晶硅薄膜进行拍摄的步骤包括:在与所述基板呈5度到45度角的方向上对所述多晶硅薄膜进行拍摄。在本专利技术的质量检测方法中，所述向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光的步骤包括:在与表面上形成有多晶硅薄膜的基板呈5度到45度角的方向上向所述基板照射光。本专利技术提供了一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统；本专利技术的质量检测方法首先拍摄对多晶硅薄膜照射光形成的薄膜图像，然后将薄膜图像分割成多个图像单元，接着，将图像单元中多晶硅薄膜的显示参数与预设参数比较，以获取比较结果，最后根据比较结果获取合格的图像单元的数量，从而根据合格的图像单元的数量图像单元的总数量来判别薄膜图像的质量；可见，本专利技术的质量检测方法不依赖于人为主观意识，可以由机器自动完成，例如利用计算机和拍摄设备来完成；与现有质量检测方法相比，提高了质量检测的准确性和效率，从而降低了成本。【【附图说明】】图1为利用巨观检测方式获取的不良多晶硅薄膜的照片；图2为利用巨观检测方式获取的良好多晶硅薄膜的照片；图3为本专利技术实施例一提供的一种多晶硅薄膜的质量检测方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例一提供的一种为对薄膜图像中各图像单元确定是否合格之后的结果不意图；图5为本专利技术实施例二提供的一种多晶硅薄膜的质量检测系统的结果示意图。【【具体实施方式】】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。实施例一:本实施例提供了一种多晶硅薄膜的质量检测方法，如图3所示，包括如下步骤:步骤S301:向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；转步骤S302。本实施例中多晶硅薄膜可以经过准分子激光退火后的薄膜。本实施例中可以光源向基板照射光，可以采用拍摄设备，例如照相机对所述多晶硅包括进行拍摄。本实施例中也可以采用集成有光源和拍摄设备的设备来执行步骤S301。当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅薄膜的质量检测方法，其特征在于，包括如下步骤：向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量确定所述多晶硅薄膜的质量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昱均，唐丽娟，李勇，王志刚，李子健，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42