一种透光薄膜发电芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种透光薄膜发电芯片，具有设置在底层的平面玻璃，所述平面玻璃上设有第一透明导电氧化物层，所述第一透明导电氧化物层通过光电转化层与第二透明导电氧化物层连接，本实用新型专利技术的透光薄膜发电芯片组件在不大规模改变现有薄膜发电芯片生产制造工艺和设备的前提下，改进现有技术并以之为基础生产一款透光的半透明薄膜光伏组件，其中，完成包括光电转化层制作工艺之前的工艺保持不变，在化学气相沉积制背电极工艺中，使用多段式工艺制备法，先在光电转化膜层上制备透明导电氧化膜层，然后再制备超薄金属层，最后再制备一层保护用的透明导电氧化物层；其结构简单、使用方便。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种透光薄膜发电芯片，其特征在于：具有设置在底层的平面玻璃(1)，所述平面玻璃(1)上设有第一透明导电氧化物层(2)，所述第一透明导电氧化物层(2)通过光电转化层(3)与第二透明导电氧化物层(4)连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，金淋虎，沈相健，
申请(专利权)人：北京汉能光伏投资有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11