本发明专利技术公开一种照明通信发光二极管器件，依次包括正电极、多个矩阵式排列的环形结构芯片芯粒和负电极，所述环形结构芯片芯粒依次包括透明电极层、空穴产生p型层、电子空穴复合层、电子产生n型层和衬底。本发明专利技术采用环形结构芯片芯粒使得电子空穴复合均匀，达到高复合率，从而达到器件高速和宽频带的技术效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电器件
，具体涉及一种照明通信发光二极管器件。
技术介绍
将发光器件应用于通信领域的技术已经被研究了一段时间，但是，该技术的推广和应用受到了普通的LED器件的频率制约，相应的驱动和控制电路技术远未成熟，也没有形成国际标准，还是处于初级阶段。发光二极管可见光通信技术的原理是利用荧光粉加蓝光芯片构成白光LED进行照明和通信两种功能，目前的白光LED的电子空穴复合率还不够高，频带还比较窄，发光面积也都还不够大，限制了其在通信领域的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有技术的缺陷，提供一种照明通信发光二极管器件，采用的技术方案如下: 一种照明通信发光二极管器件，依次包括正电极、多个矩阵式排列的环形结构芯片芯粒和负电极，所述环形结构芯片芯粒依次包括透明电极层、空穴产生P型层、电子空穴复合层、电子产生η型层和衬底。工作时，电子产生η型层提供电子，空穴产生P型层提供电荷，电子和空穴在电子空穴复合层复合并且发光。本专利技术采用环形结构芯片芯粒使得电子空穴复合均匀，达到高复合率，从而达到器件高速和宽频带的技术效果，另外采用芯片芯粒也使得器件的发光面积增大。作为优选，所述照明通信发光二极管器件包括20个环形结构芯片芯粒，所述20个环形结构芯片芯粒构成五行四列的矩阵。环形结构芯片芯粒为构成器件的基本单元，器件由5行和4列共20个环形结构芯片芯粒构成，减小了芯片芯粒的面积和体积，从而提升了器件响应速率。作为优选，所述负电极与环形结构芯片芯粒的衬底接触，正电极与空穴产生P型层接触，所述正电极采用石墨烯材料制造而成。衬底采用半导体工艺技术，例如键合技术、蒸镀技术等制造而成，与负电极接触并且具有较好导电和导热性，正电极与空穴产生P型层接触并且具有较好的导电性。正电极采用石墨烯材料制造，具有较好的导电和导热性能，使得矩阵式排列环形结构芯片芯粒按照并行结构进行连接，减小了控制电压，增加了控制电流。作为优选，所述矩阵式排列环形结构芯片芯粒之间通过半导体工艺的光刻、蒸镀连接电极工艺进行串联。与现有技术相比，本专利技术的有益效果:本专利技术采用环形结构芯片芯粒使得电子空穴复合均匀，达到高复合率，从而达到器件高速和宽频带的技术效果，同时器件由多个环形结构芯片芯粒组成，降低了器件的面积和体积。通过石墨烯材料制造的正电极使得矩阵式排列环形结构芯片芯粒按照并行结构进行连接，减小了控制电压，增加了控制电流。【附图说明】图1是本实施例的照明通信发光二极管器件的结构示意图； 图2是本实施例的环形结构芯片芯粒排列结构示意图； 图3是本实施例的环形结构芯片芯粒的立体图； 图4是本实施例的环形结构芯片芯粒的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细描述。实施例: 如图1、图2、图3和图4所示，一种照明通信发光二极管器件，依次包括正电极2、多个矩阵式排列的环形结构芯片芯粒5和负电极3，所述环形结构芯片芯粒5依次包括透明电极层8、空穴产生P型层9、电子空穴复合层10、电子产生η型层11和衬底12。工作时，电子产生η型层11提供电子，空穴产生P型层9提供电荷，电子和空穴在电子空穴复合层10复合并且发光。本实施例采用环形结构芯片芯粒使得电子空穴复合均匀，达到高复合率，从而达到器件高速和宽频带的技术效果。所述照明通信发光二极管器件包括20个环形结构芯片芯粒5，所述20个环形结构芯片芯粒构成五行四列的矩阵。环形结构芯片芯粒为构成器件的基本单元，器件由5行和4列共20个环形结构芯片芯粒构成，减小了芯片芯粒面积和体积，从而提升了器件响应速率。所述负电极3与环形结构芯片芯粒5的衬底接触，正电极2与空穴产生P型层9接触，所述正电极2采用石墨烯材料制造而成。衬底12采用半导体工艺技术，例如键合技术、蒸镀技术等制造而成，与负电极3接触并且具有较好导电和导热性，正电极2与空穴产生P型层9接触并且具有较好的导电性。正电极2采用石墨烯材料制造，具有较好的导电和导热性能，使得矩阵式排列环形结构芯片芯粒5按照并行结构进行连接，减小了控制电压，增加了控制电流。【主权项】1.一种照明通信发光二极管器件，其特征在于，依次包括正电极、多个矩阵式排列的环形结构芯片芯粒和负电极，所述环形结构芯片芯粒依次包括透明电极层、空穴产生P型层、电子空穴复合层、电子产生η型层和衬底。2.根据权利要求1所述的一种照明通信发光二极管器件，其特征在于，所述照明通信发光二极管器件包括20个环形结构芯片芯粒，所述20个环形结构芯片芯粒构成五行四列的矩阵。3.根据权利要求1所述的一种照明通信发光二极管器件，其特征在于，所述负电极与环形结构芯片芯粒的衬底接触，正电极与空穴产生P型层接触，所述正电极采用石墨烯材料制造而成。4.根据权利要求1所述的一种照明通信发光二极管器件，其特征在于，所述矩阵式排列环形结构芯片芯粒之间串联。【专利摘要】本专利技术公开一种照明通信发光二极管器件，依次包括正电极、多个矩阵式排列的环形结构芯片芯粒和负电极，所述环形结构芯片芯粒依次包括透明电极层、空穴产生p型层、电子空穴复合层、电子产生n型层和衬底。本专利技术采用环形结构芯片芯粒使得电子空穴复合均匀，达到高复合率，从而达到器件高速和宽频带的技术效果。【IPC分类】H01L33/40, H01L25/075, H01L33/48【公开号】CN105070714【申请号】CN201510584644【专利技术人】孙慧卿, 黄鸿勇, 张柱定, 张 诚, 李旭娜, 孙浩, 范宣聪, 黄涌, 郭志友 【申请人】华南师范大学【公开日】2015年11月18日【申请日】2015年9月15日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种照明通信发光二极管器件，其特征在于，依次包括正电极、多个矩阵式排列的环形结构芯片芯粒和负电极，所述环形结构芯片芯粒依次包括透明电极层、空穴产生p型层、电子空穴复合层、电子产生n型层和衬底。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙慧卿，黄鸿勇，张柱定，张诚，李旭娜，孙浩，范宣聪，黄涌，郭志友，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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