读取闪存中所储存的数据的方法与存储器控制器技术

本发明专利技术公开了一种用以读取一闪存中所储存的数据的存储器控制器和读取一闪存中所储存的数据的方法。所述方法包括：从多个默认栅极电压组合选项中选择出一初始栅极电压组合；依据所述初始栅极电压组合来控制所述闪存中的多个存储器单元，并读出多个位序列；通过对所述多个位序列进行一字码错误更正操作来判断出对应所述初始栅极电压组合的一电荷散布参数；依据一对照表来决定出对应所述电荷散布参数的一目标栅极电压组合；以及依据所述目标栅极电压组合来控制所述多个存储器单元以读出多个更新位序列。通过本发明专利技术，可快速找出一正确的栅极电压组合来控制所述闪存，而不需要逐一测试每一个默认的栅极电压组合选项。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及读取闪存(flash memory)中所储存的数据，尤指一种判断出闪存的记忆单元(memory cell)的一电荷散布参数来读取闪存中所储存的数据的方法与存储器控制器。
技术介绍
闪存可通过电子式的抹除(erase)与写入/程序化(program)以进行数据储存，并且广泛地应用于记忆卡(memory card)、固态硬盘(solid-state drive)与可携式多媒体播放器等等。由于闪存是非挥发性(non-volatile)存储器，因此，不需要额外电力来维持闪存所储存的信息，此外，闪存可提供快速的数据读取与较佳的抗震能力，而这些特性也说明了闪存为何会如此普及的原因。闪存可区分为NOR型闪存与NAND型闪存。对于NAND型闪存来说，其具有较短的抹除及写入时间且每一存储器单元需要较少的芯片面积，因而相较于NOR型闪存，NAND型闪存会允许较高的储存密度以及较低的每一储存位的成本。一般来说，闪存是以存储器单元数组的方式来储存数据，而存储器单元是由一浮动栅极晶体管(floating-gatetransistor)来加以实作，且每一存储器单元可通过适当地控制浮动栅极晶体管的浮动栅极上的电荷个数来设定导通所述浮动栅极晶体管所实作的所述存储器单元的所需临界电压，进而储存单一个位的信息或者一个位以上的信息，如此一来，当一或多个预定控制栅极电压施加于浮动栅极晶体管的控制栅极之上，则浮动栅极晶体管的导通状态便会指示出浮动栅极晶体管中所储存的一或多个二进制数(binary digit)。然而，由于某些因素，闪存单元中原本储存的电荷的个数可能会受到影响/扰乱，举例来说，闪存中所存在的干扰可能来自于写入干扰(write/program disturbance)、读取干扰(read disturbance)及/或保持干扰(retent1n disturbance)。以具有各自储存一个位以上的信息的存储器单元的NAND型闪存为例，一个实体存储器分页(physicalpage)会对应多个逻辑存储器分页(logical page)，且对其采用一或多个控制栅极电压来进行读取。举例来说，对于一个用以储存3个位的信息的闪存单元来说，所述闪存单元会具有分别对应不同电荷个数(或称不同临界电压)的8种状态(亦即电荷位准)的其中之一，然而，由于写入/抹除次数(program/erase count, P/E count)及/或数据保留时间(retent1n time)改变的缘故，闪存单元中的存储器单元的临界电压分布(thresholdvoltage distribut1n)便会有所改变，因此，使用原本的控制栅极电压设定(或称临界电压设定)来读取存储器单元中所储存的信息可能会因为改变后的临界变压分布而无法正确地获得所储存的信息。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的之一在于公开一种判断出闪存的记忆单元的一电荷散布参数来读取闪存中所储存的数据的方法与存储器控制器，以解决上述问题。依据本专利技术的一实施例，介绍了一种读取一闪存中所储存的数据的方法。所述方法包括:从多个默认栅极电压组合选项中选择出一初始栅极电压组合；依据所述初始栅极电压组合来控制所述闪存中的多个存储器单元，并读出多个位序列；对所述多个位序列进行一字码错误更正操作，并判定所述字码错误更正操作是否成功；若所述字码错误更正操作不成功，则判断出对应所述初始栅极电压组合的一电荷散布参数；依据一对照表来决定出对应所述电荷散布参数的一目标栅极电压组合；以及依据所述目标栅极电压组合来控制所述多个存储器单元以读出多个更新位序列。依据本专利技术的另一实施例，介绍了一种用以读取一闪存中所储存的数据的存储器控制器。所述存储器控制器包括一控制逻辑电路、一接收电路、一数据处理电路以及一储存单元。所述控制逻辑电路用来从多个默认栅极电压组合选项中选择出一初始栅极电压组合，并依据所述初始栅极电压组合来控制所述闪存中的多个存储器单元。所述接收电路耦接于所述控制逻辑电路，用来于所述控制逻辑电路依据所述初始栅极电压组合来控制所述闪存中的多个存储器单元时读出多个位序列。所述数据处理电路耦接于所述接收电路与所述控制逻辑电路，用来对所述多个位序列进行一字码错误更正操作，并判定所述字码错误更正操作是否成功；若所述字码错误更正操作不成功，则判断出对应所述初始栅极电压组合的一电荷散布参数。所述储存单元耦接于所述数据处理电路与所述控制逻辑电路，用来储存一对照表；其中所述控制逻辑电路还依据所述对照表来决定出对应所述电荷散布参数的一目标栅极电压组合以及依据所述目标栅极电压组合来控制所述多个存储器单元以读出多个更新位序列。由于本专利技术所公开的实施例是先判断出所要读取的闪存内的一电荷散布参数，再直接利用查表的方式来找出对应所述电荷散布参数的一目标栅极电压组合来控制所述闪存。如此一来，当所述字码错误更正操作不成功时，本专利技术的存储器控制器在就可以用比较快的速度找出一正确的栅极电压组合来控制所述闪存，而不需要再花时间逐一的测试每一个默认的栅极电压组合选项来找出所述正确的栅极电压组合。【附图说明】图1是本专利技术一存储器系统的第一实施例的示意图。图2是一实体存储器分页的一第一种临界电压分布的示意图。图3是一实体存储器分页的一第二种临界电压分布的示意图。图4是依据本专利技术一储存单元的一实施例示意图。图5是本专利技术一存储器控制器用来读一取闪存中所储存的数据的方法的一实施例流程图。图6是本专利技术图5的方法的一步骤的一实施例流程图。图7是本专利技术开始建立一第二个对照表的内容的方法的一实施例流程图。图8是本专利技术一存储器系统的一第二实施例的示意图。图9是从一闪存的一存储器单元中读取一最低有效位的一软位的操作示意图。图10是从一闪存的一存储器单元中读取一中间有效位的一软位的操作示意图。图11是从一闪存的一存储器单元中读取一最高有效位的一软位的操作示意图。图12是本专利技术一存储器控制器用来读取一闪存中所储存的数据的另一方法的一实施例流程图。图13是本专利技术一存储器系统的一第三实施例的示意图。图14是本专利技术一存储器控制器在读取一闪存时的一实施例示意图。图15是本专利技术一存储器控制器用来读取一闪存中所储存的数据的另一方法的一实施例流程图。其中，附图标记说明如下:100,800,1300存储器系统102、802、1302闪存104、804、1304存储器控制器502 ?522、602 ?608、702 ?712、 步骤1202 ?1226、1502 ?1526500、700、1200、1500方法1022、8022、13022、M_0 ?M_K存储器单元104U804U13041储存单元1042、8042、13042控制逻辑电路1044^8044^13044接收电路1046、8046、13046数据处理电路1041a、8041a、l3041a第一对照表1041b、8041b、13041b第二对照表1042a、8042a、13042a判断单元1042b、8042b、13042b选择单元1044a、8044a、13044a储存装置1046a、8046b、13046b设定单元1046bECC 侦测器1046cECC 改正器8044b软信息读取单元8046a处理单元13042c调整本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种读取一闪存中所储存的数据的方法，其特征在于包括：从多个默认栅极电压组合选项中选择出一初始栅极电压组合；依据所述初始栅极电压组合来控制所述闪存中的多个存储器单元，并读出多个位序列；对所述多个位序列进行一字码错误更正操作，并判定所述字码错误更正操作是否成功；若所述字码错误更正操作不成功，则判断出对应所述初始栅极电压组合的一电荷散布参数；依据一对照表来决定出对应所述电荷散布参数的一目标栅极电压组合；以及依据所述目标栅极电压组合来控制所述多个存储器单元以读出多个更新位序列。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨宗杰，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71