液晶显示装置及其制造方法制造方法及图纸

液晶显示装置及其制造方法。公开了一种液晶显示LCD装置。该LCD装置包括：多个像素区，其由多个选通线和多个数据线的交叉限定；栅，其设置在多个像素区的每一个中；栅绝缘体，其设置成覆盖栅；有源层，其设置在栅上，在栅和有源层之间具有栅绝缘体；薄膜晶体管TFT，其被构造成包括源和漏，源设置在有源层的第一侧，并且漏设置在有源层的第二侧；像素电极，其连接到TFT的漏，并且被构造成向对应的像素区提供数据电压；公共电极，其被构造成向所述对应的像素区提供公共电压；以及轻掺杂漏LDD，其设置在有源层和源之间以及在有源层和漏之间。有源层和LDD被设置为仅在栅上与栅交叠，有源层和LDD设置在相同的X轴平面上。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求2014年4月29日提交的韩国专利申请N0.10-2014-0051967的优先权，该申请特此以引用方式并入，如同在本文中完全阐明。
本专利技术涉及一种增强了像素区的透射率的液晶显示(LCD)装置和可提高沟道区的效率和薄膜晶体管(TFT)的制造效率的制造LCD装置的方法。
技术介绍
随着诸如移动通信终端、智能电话、平板计算机、笔记本计算机等各种便携式电子装置的发展，对可应用于便携式电子装置的平板显示(FPD)装置的需求正在增长。液晶显示(IXD)装置、等离子体显示面板(rop)、场发射显示(FED)装置、发光二极管显示装置、有机发光显示装置等正被作为FPD装置进行研究。在这种FDP装置中，IXD装置在应用领域中正在不断扩张，因为由于制造技术的发展导致LCD装置容易制造并且LCD装置实现了驱动器的可驱动性(例如，容易实现和/或驱动)、低功耗、高质量图像和大画面。图1是示出相关技术的LCD装置中布置多个像素的结构的示图。图2是示出相关技术的LCD装置的像素结构的平面图。参照图1和图2，在相关技术的IXD装置中，红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素构成一个像素。R、G和B子像素布置成条带型。在图2中，示出相关技术的LCD装置的所有像素之中的一个子像素，并且示出基于边缘场开关(FFS)模式的下基板的结构。在子像素中形成具有顶栅型的薄膜晶体管(TFT)。由彼此交叉的数据线和选通线限定多个子像素中的每个。TFT形成在数据线与选通线交叉的区域中。多个子像素中的每个包括公共电极和像素电极。在图2中，未示出公共电极。在TFT下方设置遮光层，以防止从背光发射的光入射到有源层上。图3是示意性示出相关技术的制造LCD装置的方法的示图。参照图3的(a)，在基板10上形成遮光层15，在遮光层15上形成钝化层20。随后，在钝化层20上形成半导体层，在半导体层上形成栅绝缘体40。随后，在栅绝缘体40上栅50被形成为与半导体层交叠。然后，在栅50上形成光刻胶PR，在半导体层上掺杂高浓度杂质N+o通过使用光刻胶PR掺杂高浓度杂质，在半导体层上形成有源层31、源32和漏33。半导体层中被注入杂质的那些部分是源32和漏33，半导体层中没有被注入杂质的那部分是有源层31。随后，参照图3的(b)，通过使用光刻胶PR和栅50作为掩模，掺杂低浓度杂质。因此，在有源层31和源32之间以及在有源层31和漏33之间，形成轻掺杂漏(LDD) 34。随后，参照图3的(C)，通过去除光刻胶PR，完成TFT。在相关技术的制造IXD装置的方法中，在形成栅50之后，通过掺杂杂质，形成TFT的沟道。因此，当形成双沟道时(换句话讲，TFT具有第一和第二沟道区或子沟道)，有源部分的第一部分(对应于第一子沟道)和有源部分的第二部分(对应于第二子沟道)被栅50挡住。另外，如在图2的部分(a)，为了确保高浓度杂质N+的掺杂区，可形成U形的有源部分，使得有源图案形成在栅50的外部。因此，TFT的面积因形成在栅50的外部的有源部分的宽度而增大。在上基板上，形成用于覆盖形成在下基板上的TFT和选通线的黑底BM，并且当TFT的面积增大时，黑底的面积增大。当黑底的面积增大时，像素区的孔径比减小。例如，用于覆盖TFT和选通线的黑底BM的宽度是X(例如，19 μπι)，随黑底BM的宽度因有源图案而增大，像素区的孔径比减小。此外，在具有顶栅型的TFT中，形成用于防止从背光发射的光入射到有源部分上的遮光层15。如上所述，由于在形成遮光层15的过程中应用了掩模和制造工序，因此制造成本增加，制造效率降低。
技术实现思路
因此，本专利技术致力于提供一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题的液晶显示(LCD)装置及其制造方法。本专利技术的一方面致力于提供一种像素区的透射率增大的IXD装置。本专利技术的另一方面致力于提供一种可提高TFT沟道设计的效率的制造IXD装置的方法。本专利技术的另一方面致力于提供一种减小TFT尺寸的IXD装置及其制造方法。根据各种实施方式，这通过制造可靠的TFT来实现。本专利技术的另一方面致力于提供一种具有窄边框的IXD装置及其制造方法。本专利技术的另一方面致力于提供这样一种降低制造成本的制造IXD装置的方法。根据各种实施方式，这通过在形成下基板的过程中省略掩模工序的制造方法来实现。本专利技术的另一方面致力于提供一种减少制造工序数量的制造IXD装置的方法。根据各种实施方式，这通过去除遮光层的制造方法来实现。本专利技术的另一方面致力于提供一种增强TFT驱动性能的IXD装置及其制造方法。根据各种实施方式，这通过使用低温多晶硅(LTPS)作为有源层的材料来实现。除了本专利技术的上述目的之外，以下将描述本专利技术的其它特征和优点，但根据以下描述，本领域的技术人员将清楚理解这些特征和优点。本专利技术的额外优点和特征将在随后的描述中部分阐述并且对于本领域的普通技术人员在阅读了下文后将变得显而易见或者可以通过本专利技术的实践而得知。可通过书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本专利技术的目的和其它优点。为了实现这些和其它优点并且根据本专利技术的目的，如本文中实施和广义描述的，提供了一种液晶显示(LCD)装置，该LCD装置包括:多个像素区，其由多个选通线和多个数据线的交叉限定；栅，其设置在所述多个像素区的每一个中；栅绝缘体，其设置成覆盖所述栅；有源层，其设置在所述栅上，在所述栅和所述有源层之间具有所述栅绝缘体；薄膜晶体管(TFT)，其被构造成包括源和漏，所述源设置在所述有源层的第一侧，并且所述漏设置在所述有源层的第二侧；像素电极，其连接到所述TFT的所述漏，并且被构造成向对应的像素区提供数据电压；公共电极，其被构造成向所述对应的像素区提供公共电压；以及轻掺杂漏(LDD)，其设置在所述有源层和所述源之间以及在所述有源层和所述漏之间，其中所述有源层和所述LDD被为设置仅在所述栅上与所述栅交叠，以及所述有源层和所述LDD设置在相同的X轴平面上。形成在上基板上以覆盖选通线的黑底的宽度可形成为4 μπι至15.0 μπι。在本专利技术的另一个方面中，提供了一种制造液晶显示(IXD)装置的方法，该方法包括:在基板上的多个像素区中的每一个中，形成栅；形成栅绝缘体以覆盖所述栅；在所述栅绝缘体上形成半导体层，在所述半导体层上形成光刻胶；使用所述光刻胶作为掩模，在所述半导体层上掺杂高浓度杂质，以在所述半导体层上形成有源层(所述有源层包括例如单沟道或多沟道，所述多沟道包括多个子沟道)、源和漏；使用所述光刻胶作为掩模，在所述半导体层上掺杂低浓度杂质，以在所述有源层和所述源之间以及在所述有源层和所述漏之间形成轻掺杂漏(LDD)。要理解，对本专利技术的以上总体描述和以下详细描述都是示例性的和说明性的并且旨在对要求保护的本专利技术提供进一步说明。【附图说明】附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解，并入且构成本申请的一部分，附图示出本专利技术的实施方式并且与描述一起用于说明本专利技术的原理。在附图中:图1是示出其中相关技术的LCD装置中布置多个像素的结构的示图；图2是示出相关技术的LCD装置的像素结构的平面图；图3是示意性示出相关技术的制造LCD装置的方法的示图；图4是示出根据本专利技术的实施方式的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示LCD装置，该LCD装置包括：多个像素区，其由多个选通线和多个数据线的交叉限定；栅，其设置在所述多个像素区的每一个中；栅绝缘体，其设置成覆盖所述栅；有源层，其设置在所述栅上，在所述栅和所述有源层之间具有所述栅绝缘体；薄膜晶体管TFT，其被构造成包括源和漏，所述源设置在所述有源层的第一侧，并且所述漏设置在所述有源层的第二侧；像素电极，其连接到所述TFT的所述漏，并且被构造成向对应的像素区提供数据电压；公共电极，其被构造成向所述对应的像素区提供公共电压；以及轻掺杂漏LDD，其设置在所述有源层和所述源之间以及在所述有源层和所述漏之间，其中所述有源层和所述LDD被设置为仅在所述栅上与所述栅交叠，以及所述有源层和所述LDD设置在相同的X轴平面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴锦美，郑仁相，金圣训，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR