用于场发射装置的成形阴极制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种场发射照明装置，包括阳极和阴极，其中，阴极的形状基于真空外壳的形状来选择，真空外壳内设置阳极和阴极。当操作场发射照明装置时，本发明专利技术的阴极形状允许在阳极和阴极之间提供的电场的改良均匀性。本发明专利技术也涉及一种用于选择此种阴极形状的相应方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于场发射装置的成形阴极
本专利技术涉及一种场发射照明装置。本专利技术进一步地涉及一种选择场发射阴极用于此场发射照明装置的方法。
技术介绍
传统白炽灯泡目前正由具有较高能源效率以及较少环境影响的其他光源所取代。替代性光源包括发光二极管(LED)装置以及荧光光源。然而，制造LED装置相对昂贵和复杂，且荧光光源已知含有汞，因此由于与汞暴露相关的健康风险造成潜在健康问题。此外，由于汞含量，使得荧光光源的回收既复杂又昂贵。一种引人注目的替代光源以场发射照明的形式出现。传统场发射照明装置包括一个阳极结构和一个场发射阴极，所述阳极结构由一个透明导电层和一个光转换层组成，例如涂布在真空外壳内表面的一层荧光体，以例如透明玻璃管的形式提供。当该荧光体层受到该阴极所发射的电子激发时，会发出光线。先前已知的场发射照明装置通常为管状，且几乎不为传统灯泡状。因此，需要提供具有适合改装例如传统白炽灯以及对应紧密型荧光光源的外形尺寸的场发射照明装置。
技术实现思路
与上述提及的场发射照明装置所需特性相关，本专利技术的一般性目的在于实现场发射照明装置的改良性能，例如通过发射光的改良分布。本专利技术是基于在真空外壳内阴极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射照明装置，包括：‑灯泡形真空外壳，包括：‑场发射阴极，沿着场发射照明装置的光轴布置，以及‑阳极结构，沿着真空外壳的内侧布置，所述阳极结构包括透明导电层和电子至光转换层，以及‑底座结构，设置在真空外壳的底端，底座结构包括电集成在底座结构内的电源以及连接至阳极结构和阴极，其中，电源配置为施加电压以致电子从阴极至阳极结构发射，其中，场发射阴极具有基于真空外壳的预定形状而选择的形状且朝向底座结构布置在真空外壳的较低部分，其中，阴极表面和阳极结构之间沿着光轴的距离为最大且阴极表面和阳极结构之间的最短距离随着与光轴的渐增圆心角而减小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.25 EP 13160768.11.一种场发射照明装置，包括：-灯泡形真空外壳，包括：-场发射阴极，沿着场发射照明装置的光轴布置，以及-阳极结构，沿着真空外壳的内侧布置，所述阳极结构包括透明导电层和电子至光转换层，-底座结构，设置在真空外壳的底端，底座结构包括电集成在底座结构内的电源，电源连接至阳极结构和场发射阴极，其中，电源配置为施加电压以致电子从场发射阴极至阳极结构发射，-其中，场发射阴极具有基于真空外壳的预定形状而选择的形状，-其中，场发射阴极布置在真空外壳的较低部分朝向在真空外壳的底端的底座结构，-其中，场发射阴极表面和阳极结构之间沿着光轴的距离为最大且场发射阴极表面和阳极结构之间的最短距离随着与光轴的渐增圆心角而减小，以及-其中，场发射阴极形状的选择在场发射阴极表面的所有点上提供差异小于50％的电场强度。2.根据权利要求1所述的场发射照明装置，其中，场发射阴极表面与阳极结构之间的距离在0.1至100mm之间变化。3.根据权利要求1所述的场发射照明装置，其中，场发射阴极具有为椭球面的外形尺寸，其在具有与光轴对齐的法线的平面上具有一个为圆形的横截面，对齐法线的半轴与其他两个半轴之间的比值介于1.05至2之间。4.根据权利要求1所述的场发射照明装置，其中，场发射阴极形状的选择提供电子路径，所述电子路径导致在阳极结构中产生一个均匀电流密度。5.根据权利要求1所述的场发射照明装置，其中，场发射照明装置进一步包括：-导电结构，所述导电结构布置在真空外壳和底座结构之间。6.根据权利要求5所述的场发射照明装置，其中，导电结构相对于场发射阴极的电位Vc布置为电位Vp以使得Vp-Vc为正值，并基于阳极结构的电位Va使得(Vp-Vc)/(Va-Vc)在0至2的范围内。7.根据权利要求1所述的场发射照明装置，其中，场发射阴极进一步包括：-突出底座结构的阵列，其布置在场发射阴极的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔纳斯·迪伦，
申请(专利权)人：光学实验室公司瑞典，
类型：发明
国别省市：瑞典;SE