一种深孔底部硅隐裂的检测装置及检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种深孔底部硅隐裂的检测装置及检测方法，所述方法包括：步骤（a）选用反射式红外线对所述深孔底部硅照射；步骤（b）对所述反射式红外线的反射结果进行检测，并根据所述反射结果分析所述深孔底部硅是否存在隐裂。本发明专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种深孔底部硅隐裂的检测方法，运用反射式红外线的原理（Reflective IR），可以检测vacuum对硅造成的隐裂，以更好的对所述深孔进行监控，进一步提高器件的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，给制造和设计等诸多方面带来很大挑战，器件的稳定性以及良率成为衡量半导体器件性能的一个重要因素。在运动传感器(mot1n sensor)类产品的市场上,智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。其中，MEMS压力传感器广泛应用于汽车电子:如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器；消费电子:如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子:如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等。在压力传感器以及其他的半导体器件的制备过程中，通常会涉及深孔的蚀刻，特别是在压力传感器中经深孔刻蚀，孔底部Si厚度仅剩lOum，后续经过机台传送(transferhandling)或者为防止晶圆滑片，吸真空(vacuum)后，对10um娃的损伤程度，即没有方法去检测vacuum对薄硅造成的微小裂纹103，如图1所示，而所述深孔底部的硅中含有微小的裂痕则很容易引起器件性能降低，使用寿命缩短，甚至直接使所述半导体器件失效，对器件的良率以及性能造成很大的影响。为了解决上述问题，亟需开发一种能够对深孔底部硅隐裂的检测方法，以消除上述各种弊端。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了克服目前存在问题，提供了一种深孔底部硅隐裂的检测方法，包括:步骤(a)选用反射式红外线对所述深孔底部硅照射；步骤(b)对所述反射式红外线的反射结果进行检测，并根据所述反射结果分析所述深孔底部硅是否存在隐裂。作为优选，所述步骤(b)中，若所述反射式红外线被所述深孔底部硅反射回来，则所述深孔底部硅不存在隐裂。作为优选，所述步骤(b)中，若所述反射式红外线被所述深孔底部硅透过，则所述深孔底部硅存在隐裂。作为优选，所述深孔底部硅的厚度为10um。作为优选，所述检测方法用于对压力传感器、运动传感器以及MOS器件中深孔底部硅隐裂的检测。本方专利技术还提供了一种深孔底部硅隐裂的检测装置，包括:反射式红外线发射单元，用于发射反射式红外线；反射式红外线接受单元，用于接受和检测所述反射式红外线；其中，所述反射式红外线发射单元和所述反射式红外线接受单元设置于所述深孔底部硅的上方，以实现对所述深孔底部硅隐裂的检测。作为优选，所述装置还进一步包括光圈，位于所述反射式红外线反射单元的下方、所述深孔底部硅的上方，用于限制所述反射式红外线的通过量。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种深孔底部硅隐裂的检测方法，运用反射式红外线的原理(Reflective IR),可以检测vacuum对娃造成的隐裂，以更好的对所述深孔进行监控，进一步提高器件的性能和良率。【附图说明】本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中，图1为所述深孔底部硅隐裂的结构示意图；图2a_2b为本专利技术实施例中所述深孔底部硅隐裂的检测方法示意图；图3为本专利技术一具体地实施方式中所述深孔底部硅隐裂的检测方法的工艺流程图。【具体实施方式】在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在? ? ?下”、“在? ? ?下面”、“下面的”、“在? ? ?之下”、“在..?之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深孔底部硅隐裂的检测方法，包括：步骤（a）选用反射式红外线对所述深孔底部硅照射；步骤（b）对所述反射式红外线的反射结果进行检测，并根据所述反射结果分析所述深孔底部硅是否存在隐裂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯健，游宽结，华宇，侯元琨，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31