一种粗晶钨钴合金的制备方法技术

技术编号:12176691 阅读:134 留言:0更新日期:2015-10-08 14:40
一种粗晶钨钴合金的制备方法,其包括如下工艺步骤:配料、湿磨、干燥、预烧处理、湿混、干燥、掺成形剂、制粒、压制成型和真空低压一体化烧结;配料时选用钴粉和碳化钨粉进行混合配料,钴粉与碳化钨粉的质量之比为2.4~2.6∶97.4~97.6;将预烧处理后的混合料再加入金属钴粉和Co2W4C纳米颗粒,混合料中的钴与碳化钨的质量之比为8~13∶87~92,Co2W4C纳米颗粒的加入量要达到使混合料中的钴与Co2W4C纳米颗粒的质量之比为1∶0.045~0.055。本发明专利技术由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,制备的硬质合金的WC平均晶粒度达到4.0~5.2μm,抗弯强度达到3000~3400MPa,硬度HRA88.0~90.8。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种粗晶钨钴合金的制备方法,其特征是:其包括如下工艺步骤:配料、湿磨、干燥、预烧处理、湿混、干燥、掺成形剂、制粒、压制成型和真空低压一体化烧结;配料时选用钴粉和碳化钨粉进行混合配料,钴粉与碳化钨粉的质量之比为2.4~2.6∶97.4~97.6,碳化钨粉选用Fsss粒度为13.0~18.5μm的粗颗粒碳化钨粉,钴粉的粒度为1.4~2.0μm;湿磨为球磨;湿磨后进行干燥,干燥后得到的混合料进行预烧处理;将预烧处理后的混合料再加入金属钴粉和Co2W4C纳米颗粒,钴粉的加入量要达到使混合料中的钴与碳化钨的质量之比为8~13∶87~92,Co2W4C纳米颗粒的加入量要达到使混合料中的钴与Co2W4C纳米颗粒的质量之比为1∶0.045~0.055;所述预烧处理为经3~4小时升温达到700~850℃,再保温55~65分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:肖华单水桃周汉凡
申请(专利权)人:湖南世纪钨材股份有限公司
类型:发明
国别省市:湖南;43

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