一种降压型恒定电流电路的单片晶控变换振荡系统技术方案

本发明专利技术公开了一种降压型恒定电流电路的单片晶控变换振荡系统，由信号变换电路，均与信号变换电路连接的线性驱动电路和信号放大电路，与信号放大电路连接的正反馈电路，与正反馈电路连接的选频电路，以及与选频电路连接的缓冲电路，其特征在于：在信号变换电路与信号放大电路之间还串接有降压型恒定电流电路组成；该降压型恒定电流电路由降压芯片U2，三极管VT7，放大器P3，P极顺次经电容C11、电阻R23、电阻R22、电容C12后与降压芯片U2的REG脚连接、N极经电阻R24后与降压芯片U2的FSET脚连接的二极管D4等组成。本发明专利技术的降压型恒定电流电路可以使振荡系统在宽频率范围工作时电路电流能保持很高的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种系统，具体是指一种降压型恒定电流电路的单片晶控变换振荡系统。
技术介绍
随着电子技术的不断发展，振荡器作为产生重复电子讯号(通常是正弦波或方波)的电子元件应用越来越广泛。其种类很多，按振荡激励方式可分为自激振荡器、他激振荡器；按电路结构可分为阻容振荡器、电感电容振荡器、晶体振荡器、音叉振荡器等；按输出波形可分为正弦波、方波、锯齿波等振荡器。目前广泛用于电子工业、医疗、科学研宄等方面。然而目前的振荡器系统所适用的频率范围较小，这就使得振荡系统应用范围具有很大的局限性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决目前的振荡系统所适用的频率范围较小、电路电流不稳定的缺陷，提供一种降压型恒定电流电路的单片晶控变换振荡系统。本专利技术的目的通过下述技术方案现实:一种降压型恒定电流电路的单片晶控变换振荡系统，由信号变换电路，均与信号变换电路相连接的线性驱动电路和信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，与选频电路相连接的缓冲电路，以及串接在信号变换电路与信号放大电路之间的降压型恒定电流电路组成；所述降压型恒定电流电路由降压芯片U2，三极管VT6，三极管VT7，放大器P3，P极顺次经电容C11、电阻R23、电阻R22、电容C12后与降压芯片U2的REG脚相连接、N极经电阻R24后与降压芯片U2的FSET脚相连接的二极管D4，正极经电阻R25后与降压芯片U2的OUT脚相连接、负极经电阻R26后与降压芯片U2的BST脚相连接的电容C13，P极经电阻R27后与放大器P3的正极输入端相连接、N极经电感L后与三极管VT6的基极相连接的二极管D5，正极与放大器P3的正极输入端相连接、负极经电阻R28后与三极管VT6的发射极相连接的电容C14，负极顺次经电阻R30、电阻R29后与三极管VT6的基极相连接、正极与三极管VT7的集电极相连接的电容C15，以及一端与放大器P3的负极输入端相连接、另一端与电阻R22与电容C15的连接点相连接的电阻R21组成；所述降压芯片U2的VDD脚与电阻R24与二极管D4的连接点相连接，其FB脚则与放大器P3的输出端相连接，其GND脚接地；所述三极管VT6的集电极接地；所述三极管VT7的基极与电容C14的负极相连接，其发射极与电容C15与电阻R21的连接点相连接；所述电容C15的负极与信号放大电路相连接，同时，电容C12的负极则与信号变换电路相连接；所述二极管D5的N极还与电容C13的正极相连接。所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与信号变换电路相连接、负极经电阻R14后与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C8，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端经电阻R16后与三极管VT3的基极相连接的电阻R15，正极与三极管VT5的基极相连接、负极与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C10，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C9，一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R18，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R17，N极与三极管VT5的集电极相连接、P极与三极管VT2的集电极相连接的二极管D3，正相端与三极管VT5的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门Y，一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R19后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R20，以及P极与非门Y的反相端相连接、N极与电阻R20和电阻R19的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VT5的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT2的集电极相连接，三极管VT2的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极接地，二极管D2的N极与信号放大电路相连接。所述信号变换电路由转换芯片K，变压器Tl，串接在变压器Tl副边同名端与非同名端之间的电容Cl，与电容Cl相并联的电容C2，集电极与转换芯片K的OSCl管脚相连接、发射极经电阻Rl后与转换芯片K的0SC2管脚相连接、基极则经基频石英晶体X后与转换芯片K的0SC2管脚相连的三极管VT1，负极与三极管VTl的基极相连接、正极则与转换芯片K的VCC管脚相连的电容C3组成；所述三极管VTl的基极与外部电源相连接，转换芯片K的INl管脚与变压器Tl副边的非同名端相连接、其IN2管脚则与变压器Tl副边的同名端相连接、GND管脚与变压器Tl原边的非同名端相连、VCC管脚与三极管VTl的基极相连接、0UT2管脚与信号放大电路相连、OUTl管脚与电容C8的正极相连接，其INl脚则与电容C12的负极相连接。所述的信号放大电路由放大器P1，正极与转换芯片K的0UT2管脚相连接、负极经电阻R3后与正反馈电路以及选频电路相连的电容C4，一端与放大器Pl的负极输入端相连、另一端与电容C4的负极相连接的电阻R2，一端与放大器Pl的正极输入端相连、另一端接地的电阻R4，以及串接在放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电阻R5组成；所述放大器Pl的负极输入端与电容C8的正极相连接、其同时与电容C15的负极相连接，其输出端则与正反馈电路相连。所述的正反馈电路由场效应管Q1，电阻R6，电阻R7，以及二极管Dl组成；场效应管Ql的漏极经电阻R6后与放大器Pl的输出端相连接、其源极则同时与电阻R3和选频电路相连接、其栅极经电阻R7后接地，二极管Dl的P极与场效应管Ql的栅极相连接、其N极则与选频电路相连接。所述的选频电路包括放大器P2，电容C5，电阻R8 ;放大器P2的输出端经电阻R8后同时与二极管Dl的N极以及缓冲电路相连接、其正极输入端接地、负极输入端与场效应管Ql的源极相连接，电容C5则串接在放大器P2的负极输入端和输出端之间。所述的缓冲电路由变压器T2，双栅极场效应管Q2，正极与双栅极场效应管Q2的a栅极相连接、负极接地的电容C7，与电容C7相并联的电阻RlI，一端与电容C7的正极相连接、另一端经电阻R13后与变压器T2原边的同名端相连接的电阻R12，一端与双栅极场效应管Q2的b栅极相连接、另一端经电容C6后与双栅极场效应管Q2的源极相连接的电阻R9，以及一端与双栅极场效应管Q2的源极相连接、另一端与电阻R9和电容C6的连接点相连接的电阻R9组成；所述双栅极场效应管Q2的b栅极还二极管Dl的N极相连接、其漏极与变压器T2原边的非同名端相连接，变压器Τ2副边的同名端接地，电阻R9和电容C6的连接点接地。为确保使用效果，所述驱动芯片U采用LM387集成芯片，所述降压芯片U2为A718EGT集成芯片。本专利技术与现有技术相比具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术与现有技术相比增加了信号变换电路，其可以使振荡系统适用于很宽的频率范围，从而扩大了振荡系统的应用场合。(2)本专利技术中采用降压型恒定电流电路来确保该振荡系统的电路电流的稳定性。(3)本专利技术的转换芯片K成本低，而且具有很好的信噪比和三阶互调指标。(4)本专利技术的线性驱动电路可以使振荡系统在宽频率范围工作时还能保持很高的稳定性。【附图说明】图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术线性驱动电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降压型恒定电流电路的单片晶控变换振荡系统，由信号变换电路，均与信号变换电路相连接的线性驱动电路和信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路组成，其特征在于：在信号变换电路与信号放大电路之间还串接有降压型恒定电流电路；所述降压型恒定电流电路由降压芯片U2，三极管VT6，三极管VT7，放大器P3，P极顺次经电容C11、电阻R23、电阻R22、电容C12后与降压芯片U2的REG脚相连接、N极经电阻R24后与降压芯片U2的FSET脚相连接的二极管D4，正极经电阻R25后与降压芯片U2的OUT脚相连接、负极经电阻R26后与降压芯片U2的BST脚相连接的电容C13，P极经电阻R27后与放大器P3的正极输入端相连接、N极经电感L后与三极管VT6的基极相连接的二极管D5，正极与放大器P3的正极输入端相连接、负极经电阻R28后与三极管VT6的发射极相连接的电容C14，负极顺次经电阻R30、电阻R29后与三极管VT6的基极相连接、正极与三极管VT7的集电极相连接的电容C15，以及一端与放大器P3的负极输入端相连接、另一端与电阻R22与电容C15的连接点相连接的电阻R21组成；所述降压芯片U2的VDD脚与电阻R24与二极管D4的连接点相连接，其FB脚则与放大器P3的输出端相连接，其GND脚接地；所述三极管VT6的集电极接地；所述三极管VT7的基极与电容C14的负极相连接，其发射极与电容C15与电阻R21的连接点相连接；所述电容C15的负极与信号放大电路相连接，同时，电容C12的负极则与信号变换电路相连接；所述二极管D5的N极还与电容C13的正极相连接。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷明方，
申请(专利权)人：成都颉盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51