电压产生器以及振荡装置与操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种电压产生器以及振荡装置与操作方法。所述振荡装置包括非易失性存储器、电压产生器以及压控振荡电路。所述电压产生器使用所述非易失性存储器所提供的非易失性电阻值来产生偏压。所述压控振荡电路耦接至该电压产生器，用以根据该偏压来产生对应的一振荡频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例是有关于一种电子装置及其操作方法，且特别是有关于一种电压产生器以及振荡装置与其操作方法。
技术介绍
压控振荡器(voltage-controlled oscillator, VC0)是一种以输入电压控制振荡频率的电子振荡电路。压控振荡器的振荡频率会随着输入电压的不同准位而改变。然而，在现有压控振荡器失去操作电能时，已调校好的相关设定参数(例如振荡频率等)将会佚失。在现有压控振荡器重新启动(重新上电)后，使用者(或系统)必须重新微调设定压控振荡器的振荡频率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种振荡装置，其包括至少一非易失性存储器、一电压产生器以及一压控振荡电路。电压产生器使用至少一非易失性存储器所提供的非易失性电阻值来产生偏压。压控振荡电路耦接至该电压产生器，用以根据该偏压来产生对应的振荡频率。本专利技术实施例提供一种电压产生器，其包括电流源以及非易失性存储器。所述非易失性存储器的第一端与第二端分别耦接至所述电流源与低位准电压，其中所述非易失性存储器通过编程的方式而具有非易失性电阻值，并通过该非易失性电阻值与该电流源提供偏压。本专利技术实施例提供一种压控振荡电路的操作方法，其包括:通过至少一非易失性存储器来提供非易失性电阻值；通过所述非易失性电阻值产生偏压给所述压控振荡电路；以及设定所述非易失性存储器的所述非易失性电阻值以调整所述偏压，进而控制所述压控振荡电路根据所述偏压来产生对应的振荡频率。本专利技术实施例提供的，可在重新启动后保留先前于非易失性存储器所设定的非易失性电阻值，不需外接存储装置来存储非易失性电阻值的数字值，且可提供稳定的振荡频率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。【附图说明】图1是根据本专利技术一实施例说明一种振荡装置的电路方块示意图。图2是依照本专利技术的另一实施例的一种振荡装置的电路方块示意图。图3是本专利技术的一实施例说明图2所使用的压控振荡电路的电路示意图。图4是依照本专利技术的另一实施例的一种振荡装置的电路方块示意图。图5是依照本专利技术的一实施例说明图4所示电阻式非易失性存储电路的电路结构示意图。图6是依照本专利技术的另一实施例说明图2或图4所示非易失性存储器内部电阻式非易失性存储电路的排列样式示意图。图7是依照本专利技术的又一实施例说明图2或图4所示非易失性存储器内部电阻式非易失性存储电路的排列样式示意图。图8是依照本专利技术的再一实施例说明图2或图4所示非易失性存储器内部电阻式非易失性存储电路的排列样式示意图。图9是依照本专利技术另一实施例说明振荡装置的电路示意图。图10是依照本专利技术的一实施例的一种压控振荡电路的操作方法的流程示意图。符号说明:60:电阻式非易失性存储单元651:切换单元200,300,900:振荡装置652:程序化单元210、310、910:电压产生器653:阻抗输出单元250、350、950:压控振荡电路951、925:PM0S 晶体管311:电流源953 =NMOS晶体管313:非易失性存储器Data:数据信号314、511、531:反闸Data:数据信号的其中一个对应位315:开关Iref:参考电流316:电容Progm:程序化信号512 ?515、521 ?522、532 ?533:晶 Vctrl:偏压体管VDD:系统电压600:电阻式非易失性存储电路Vpp:程序化电压610:电阻式存储元件VSS:低位准电压650:控制电路【具体实施方式】在本案说明书全文(包括权利要求书)中所使用的“耦接” 一词可指任何直接或间接的连接手段。举例而言，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则应该被解释成该第一装置可以直接连接于该第二装置，或者该第一装置可以通过其他装置或某种连接手段而间接地连接至该第二装置。另外，凡可能之处，在附图及实施方式中使用相同标号的元件/构件/步骤代表相同或类似部分。不同实施例中使用相同标号或使用相同用语的元件/构件/步骤可以相互参照相关说明。图1是根据本专利技术一实施例说明一种振荡装置200的电路方块示意图，其中，振荡装置200可位于一微控制单元(micro controller unit, MCU)中。如图1所示,振荡装置200可包括电压产生器210以及压控振荡电路250。在此实施例中，压控振荡电路250的控制电压值乃是通过电压产生器210而产生。电压产生器210可使用至少一非易失性存储器(non-volatile memory, NVM)所提供的非易失性电阻值来产生偏压(控制电压值)。电压产生器210内的非易失性存储器可为电阻式随机存取存储器(resistive random accessmemory, RRAM)、相变式随机存取存储器(phase-change random access memory, PCRAM)或其他可实现本专利技术实施例的存储器。在所述控制电压值的作用下，压控振荡电路250可以根据该偏压而振荡于特定频率。为方便调整压控振荡电路250的振荡频率，电压产生器210可提供调整机制来调整控制电压值，以及利用控制电压值对应调整压控振荡电路250的振荡频率。例如，电压产生器210内的非易失性存储器可以通过编程(program)的方式依据数字信号而决定该非易失性电阻值，并通过该非易失性电阻值与一电流源提供该偏压给压控振荡电路250。在振荡装置200失去操作电能时，电压产生器210内的非易失性存储器可以保持所述调整机制的相关设定参数。在振荡装置200重新启动(例如重新上电)后，使用者(或系统)不须重新微调设定电压产生器210。图2是根据本专利技术另一实施例的振荡装置300的示意图。图2所示实施例可以参照图1的相关说明而类推之。如图2所示，振荡装置300可包括电压产生器310以及压控振荡电路350。电压产生器310可使用非易失性存储器313所提供的非易失性电阻值Rwt来产生偏压Vetrt给压控振荡电路350。非易失性存储器313可以通过编程(program)的方式而具有非易失性电阻值R。#例如，非易失性存储器313可以依据数字信号而进行编程(program),以决定该非易失性电阻值Rrat。以图2所示实施方式为例，电压产生器310包括电流源311以及非易失性存储器313。电流源311耦接于系统电压Vdd与非易失性存储器313的第一端之间，而非易失性存储器313的第二端耦接至低位准电压VSS (例如接地电压)。电流源311所提供的参考电流Iref可以从非易失性存储器313的第一端流向非易失性存储器313的第二端。由于非易失性存储器313的第一端与第二端之间具有非易失性电阻值Rwt，所以所述参考电流Iref可在非易失性存储器313的第一端形成偏压Vrtri，其中偏压Vrfri =因此，非易失性存储器313的第一端可以提供偏压Vrtri以控制压控振荡电路350的振荡频率。因此，非易失性存储器313可以通过非易失性电阻值Rwt与电流源311提供对应的偏压Vrtrt,以控制压控振荡电路350的振荡频率。非易失性存储器313可以任何方式实现之。例如，在一些实施例中，非易失性存储器313可以包括一个或多个电阻式非易失性存储单元。这些电阻式非易失性存储单元耦接于非易失性存储器313的第一端与第二端之间，借以共同提供非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种振荡装置，其特征在于，该振荡装置包括：至少一非易失性存储器；一电压产生器，其使用所述至少一非易失性存储器所提供的一非易失性电阻值来产生一偏压；以及一压控振荡电路，耦接至该电压产生器，用以根据该偏压来产生对应的一振荡频率。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王政治，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71