【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及集成电路装置(“1C”)。更具体地说，本专利技术的实施例涉及用于IC的变容器电路以及电压控制振荡。
技术介绍
可编程逻辑装置(“PLD”)是众所周知的集成电路类型，所述集成电路可经编程以进行指定的逻辑功能。PLD的一种类型为现场可编程门阵列(“FPGA”)，其通常包含可编程重复单元阵列。这些可编程重复单元可包含，例如输入/输出块(“I0B”)、可配置逻辑块(“CLB”)、专用随机存取存储块(“BRAM”)、倍增器、数字信号处理块(“DSP”)、处理器、时钟管理器、延迟锁定环路(“DLL”)以及等等。如本文所使用，“包含”以及“包含着”意指包含但不加限制。每个可编程重复单元通常包含可编程互连和可编程逻辑两者。所述可编程互连通常包含大量由可编程互连点(“PIP”)互相连接的不同长度的互连线。所述可编程逻辑使用可包含例如函数发生器、寄存器、算术逻辑等的可编程元件实施用户设计的逻辑。通常，通过将配置数据流加载到定义可编程元件的配置方式的内部配置存储单元，对所述可编程互连与可编程逻辑进行编程。所述配置数据可由外部装置从存储器(例如，从外部PR0M)中...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.13 US 12/759,6581.一种变容器电路，包括第一变容器、第二变容器、第三变容器以及第四变容器；其中所述第一变容器的第一源极-漏极节点耦接到第一输入节点；所述第二变容器的第二源极-漏极节点耦接到所述第一输入节点；所述第一变容器的第一栅极节点耦接到第一输出节点；所述第二变容器的第二栅极节点耦接到第二输出节点；所述第三变容器的第三栅极节点耦接到第二输入节点；所述第四变容器的第四栅极节点耦接到所述第二输入节点；所述第三变容器的第三源极-漏极节点耦接到所述第一输出节点；以及所述第四变容器的第四源极-漏极节点耦接到所述第二输出节点。2.根据权利要求1所述的变容器电路，其中所述第一变容器、所述第二变容器、所述第三变容器以及所述第四变容器为积累模式的MOS电容器。3.根据权利要求1或2所述的变容器电路，其中所述第一输入节点与所述第二输入节点分别用于接收第一控制电压与第二控制电压以用作差分输入；以及所述第一输出节点与所述第二输出节点分别用于提供第一输出电压与第二输出电压。4.根据权利要求3所述的变容器电路，其中所述第一输出电压与所述第二输出电压为正弦电压；所述第一控制电压与所述第二控制电压为DC电压；以及所述第一输出电压与所述第二输出电压相对于彼此至少相差约180度。5.根据权利要求2至4中任一权利要求所述的变容器电路，其中所述积累模式MOS电容器均具有彼此连接的η型源极区域与η型漏极区域以用于分别提供所述第一源极-漏极节点、所述第二源极-漏极节点、所述第三源极-漏极节点以及所述第四源极-漏极节点。6.根据权利要求5所述的变容器电路，其中，所述第一变容器、所述第二变容器、所述第三变容器以及所述第四变容器中的每一者的所述η型源极区域与所述η型漏极区域位于 η型阱中，所述η型阱为所述第一变容器、所述第二变容器、所述第三变容器以及所述第四变容器中的每一者提供主体区域。7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的变容器电路，另外包括电阻电桥，所述电阻电桥耦接到所述第一栅极节点、所述第二栅极节点、所述第三源极-漏极节点以及所述第四源极-漏极节点；所述电阻电桥包含至少一个共模电压节点；以及经耦接以用于DC去耦的电容器，所述DC去耦是指在所述至少一个共模电压节点处的共模电压与分别位于所述第一输出节点和所述第二输出节点处的第一正弦电压和第二正弦电压的DC去耦。8.根据权利要求7所述的变容器电路，其中所述电阻电桥包含在所述第一栅极节点与所述第三源极-漏极节点之间彼此耦接的第一电阻器与第二电阻器；在所述第二栅极节点与所述第四源极-漏极节点之间彼此耦接的第三电阻器与第四电阻器；所述第一电阻器、所述第二电阻器、所述第三电阻器以及所述第四电阻器在所述共模电压节点处彼此连接，以将所述共模电压耦接到所述第一栅极节点、所述第二栅极节点、所述第三源极-漏极节点以及所述第四源极-漏极节点中的每一者；所述电容器包含第一电容器，所述第一电容器耦接在所述第一输出节点与所述第一栅极节点之间； 第二电容器，所述第二电容器耦接在所述第二输出节点与所述第二栅极节点之间； 第三电容器，所述第三电容器耦接在所述第一输出节点与所述第三源极-漏极节点之间；以及第四电容器，所述第四电容器耦接在所述第二输出节点与所述第四源极-漏极节点之间。9.根据权利要求7所述的变容器电路，其中所述电阻电桥包含第一电阻器与第二电阻器，彼此连接在所述至少一个共模电压...
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