【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种由氮化镓晶体管以及n型晶体管串迭所形成的电子装置，特别是有关于一种提高放电能力以及降低延迟的由氮化镓晶体管以及n型晶体管串叠所形成的电子装置。
技术介绍
1、近年来，半导体装置在计算机、消费电子等领域中发展快速。目前，半导体装置技术在金属氧化物半导体场效晶体管的产品市场中已被广泛接受，具有很高的市场占有率。为了符合高压的应用，往往使用氮化镓空乏型晶体管结合常闭型晶体管作为开关。然而，组合而成的高压开关往往具有放电能力不佳以及高延迟时间的问题，因此有必要针对组合的高压开关进行优化。
技术实现思路
1、本专利技术提出了一种结合氮化镓空乏型晶体管以及电阻的电子装置，用以改善当氮化镓空乏晶体管结合常闭型晶体管作为开关时氮化镓空乏型晶体管的源极端的放电不佳以及震荡现象，进而提高反应速度。此外，本专利技术更提出了一种结合氮化镓空乏型晶体管以及电阻的半导体装置，利用最少的面积产生最大的电阻值。
2、有鉴于此，本专利技术提出一种电子装置，包括一第一晶体管以及一电阻。上述第一晶体管包括一第一栅极端、一第一源极端以及一第一漏极端，其中上述第一晶体管为一常开型晶体管。上述电阻耦接于上述第一栅极端以及上述第一源极端之间，且环绕上述第一晶体管。
3、根据本专利技术的一实施例，上述电子装置更包括一第二晶体管。上述第二晶体管包括一第二栅极端、一第二源极端以及一第二漏极端，其中上述第二源极端耦接至上述第一栅极端，上述第二漏极端耦接至上述第一源极端。上述第二晶体管为一常闭
4、根据本专利技术的一实施例，上述电子装置形成一晶体管，上述晶体管包括一栅极端、一源极端以及一漏极端，其中上述第二栅极端形成上述栅极端，上述第二源极端形成上述源极端，上述第一漏极端形成上述漏极端。当上述晶体管不导通时，上述电阻用以将上述第一源极端放电至上述第二源极端。
5、根据本专利技术的一实施例，上述第一晶体管为一氮化镓空乏型晶体管，上述第二晶体管为一n型晶体管。
6、根据本专利技术的一实施例，上述第一晶体管更包括一基板、一第一iii-v族化合物层、一第二iii-v族化合物层、一栅极结构以及一源极区域及一漏极区域。上述第一iii-v族化合物层设置于上述基板上。上述第二iii-v族化合物层设置于上述第一iii-v族化合物层上，一第一载子通道形成于上述第一iii-v族化合物层与上述第二iii-v族化合物层之间的一界面上。上述栅极结构设置于上述第二iii-v族化合物层上，用以形成上述第一栅极端。上述源极区域及上述漏极区域设置于上述栅极结构的相对两侧，其中上述第一载子通道延伸于上述源极区域与上述漏极区域之间。上述源极区域以及上述漏极区域用以分别形成上述第一源极端以及上述第一漏极端。
7、根据本专利技术的一实施例，上述电子装置更包括一第三iii-v族化合物层以及一第四iii-v族化合物层。上述第三iii-v族化合物层设置于上述基板上且环绕上述第一iii-v族化合物层。上述第四iii-v族化合物层设置于上述第三iii-v族化合物层上且环绕上述第二iii-v族化合物层，其中一第二载子通道形成于上述第三iii-v族化合物层与上述第四iii-v族化合物层之间的一界面上。上述电阻形成于上述第二载子通道。
8、根据本专利技术的一实施例，上述第一载子通道以及上述第二载子通道为电性隔离。
9、根据本专利技术的一实施例，上述第二载子通道与上述源极区域及/或上述第二载子通道与上述漏极区域具有一间距，上述间距约为2微米至10微米之间。
10、本专利技术更提出一种半导体装置，包括一基板、一第一iii-v族化合物层、一第二iii-v族化合物层、一栅极结构、一源极区域及一漏极区域、一第三iii-v族化合物层以及一第四iii-v族化合物层。上述第一iii-v族化合物层设置于上述基板上。上述第二iii-v族化合物层设置于上述第一iii-v族化合物层上，其中一第一载子通道形成于上述第一iii-v族化合物层与上述第二iii-v族化合物层之间的一界面上。上述栅极结构设置于上述第二iii-v族化合物层上。上述源极区域及上述漏极区域设置于上述栅极结构的相对两侧，其中上述第一载子通道延伸于上述源极区域与上述漏极区域之间。上述第三iii-v族化合物层设置于上述基板上且环绕上述第一iii-v族化合物层。上述第四iii-v族化合物层设置于上述第三iii-v族化合物层上且环绕上述第二iii-v族化合物层，其中一第二载子通道形成于上述第四iii-v族化合物层与上述第三iii-v族化合物层之间的一界面上。上述第一载子通道以及上述第二载子通道为电性分离。
11、根据本专利技术的一实施例，上述第二载子通道包括一第一端以及一第二端，其中上述第一端耦接至上述栅极结构，上述第二端耦接至上述源极区域。
12、根据本专利技术的一实施例，上述半导体装置更包括一隔离结构。上述隔离结构设置于上述第一iii-v族化合物层以及上述第三iii-v族化合物层之间以及上述第二iii-v族化合物层以及上述第四iii-v族化合物层之间。
13、根据本专利技术的一实施例，上述第二载子通道与上述源极区域及/或上述第二载子通道与上述漏极区域具有一间距，其中上述间距约为2微米至10微米之间。
14、根据本专利技术的一实施例，上述半导体装置更包括一第五iii-v族化合物层以及一第六iii-v族化合物层。上述第五iii-v族化合物层设置于上述板上。上述第六iii-v族化合物层设置于上述第五iii-v族化合物层上。上述隔离结构形成于上述第五iii-v族化合物层中，并将上述第五iii-v族化合物层划分为上述第一iii-v族化合物层以及上述第三iii-v族化合物层。上述隔离结构更形成于上述第六iii-v族化合物层中，并将上述第六iii-v族化合物层划分为上述第二iii-v族化合物层以及上述第四iii-v族化合物层。
15、根据本专利技术的一实施例，对上述第五iii-v族化合物层以及上述第六iii-v族化合物层进行离子注入，而于上述第五iii-v族化合物层以及上述第六iii-v族化合物层中形成上述隔离结构。
16、根据本专利技术的一实施例，利用刻蚀工艺将上述第五iii-v族化合物层划分为上述第一iii-v族化合物层以及上述第三iii-v族化合物层，并且利用刻蚀工艺将上述第六iii-v族化合物层划分为上述第二iii-v族化合物层以及上述第四iii-v族化合物层，再于上述第一iii-v族化合物层以及上述第三iii-v族化合物层之间以及上述第二iii-v族化合物层以及上述第四iii-v族化合物层之间形成上述隔离结构。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括：
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置形成一晶体管，其中所述晶体管包括一栅极端、一源极端以及一漏极端，其中所述第二栅极端形成所述栅极端，所述第二源极端形成所述源极端，所述第一漏极端形成所述漏极端，其中当所述晶体管不导通时，所述电阻用以将所述第一源极端放电至所述第二源极端。
4.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一晶体管为一氮化镓空乏型晶体管，所述第二晶体管为一N型晶体管。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一晶体管更包括：
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，更包括：
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述第一载子通道以及所述第二载子通道为电性隔离。
8.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述第二载子通道与所述源极区域及/或所述第二载子通道与所述漏极区域具有一间距，其中所述间距约为2微米至10微米之间。
9.一种半导体装置，其
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第二载子通道包括一第一端以及一第二端，其中所述第一端耦接至所述栅极结构，所述第二端耦接至所述源极区域。
11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第二载子通道与所述源极区域及/或所述第二载子通道与所述漏极区域具有一间距，其中所述间距约为2微米至10微米之间。
13.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，对所述第五III-V族化合物层以及所述第六III-V族化合物层进行离子注入，而于所述第五III-V族化合物层以及所述第六III-V族化合物层中形成所述隔离结构。
15.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，利用刻蚀工艺将所述第五III-V族化合物层划分为所述第一III-V族化合物层以及所述第三III-V族化合物层，并且利用刻蚀工艺将所述第六III-V族化合物层划分为所述第二III-V族化合物层以及所述第四III-V族化合物层，再于所述第一III-V族化合物层以及所述第三III-V族化合物层之间以及所述第二III-V族化合物层以及所述第四III-V族化合物层之间形成所述隔离结构。
...【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括：
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置形成一晶体管，其中所述晶体管包括一栅极端、一源极端以及一漏极端，其中所述第二栅极端形成所述栅极端，所述第二源极端形成所述源极端，所述第一漏极端形成所述漏极端，其中当所述晶体管不导通时，所述电阻用以将所述第一源极端放电至所述第二源极端。
4.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一晶体管为一氮化镓空乏型晶体管，所述第二晶体管为一n型晶体管。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一晶体管更包括：
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，更包括：
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述第一载子通道以及所述第二载子通道为电性隔离。
8.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述第二载子通道与所述源极区域及/或所述第二载子通道与所述漏极区域具有一间距，其中所述间距约为2微米至10微米之间。
9.一种半导体装置，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第二载子...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏旭志，温文莹，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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