半导体结构及半导体结构的制造方法技术

一种半导体结构及半导体结构的制造方法，包括一衬底、一第一埋藏层、一第二埋藏层、一掺杂区、一外延层以及一绝缘结构。衬底具有一第一导电型。第一埋藏层及第二埋藏层具有一第二导电型，并设置于衬底之中。掺杂区具有第二导电型，并设置于第一埋藏层及第二埋藏层之间。外延层具有第二导电型，并设置于掺杂区、第一埋藏层及第二埋藏层之上。绝缘结构具有第一导电型，并设置于外延层之中。绝缘结构接触掺杂区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种半导体结构，特别是关于一种具有绝缘结构的半导体结构。

技术介绍

1、在集成电路(integrated circuit；ic)中，部分元件位于一浮动阱中。然而，当浮动阱里的元件接收到高压时，浮动阱可能受到垂直贯穿(vertical punch through)。另外，当浮动阱的阻值过大时，可能发生闩锁(latch up)。不论是垂直贯穿或是闩锁现象，都将造成集成电路无法正常动作。

技术实现思路

1、本专利技术的一实施例提供一种半导体结构，包括一衬底、一第一埋藏层、一第二埋藏层、一掺杂区、一外延层以及一绝缘结构。衬底具有一第一导电型。第一埋藏层及第二埋藏层具有一第二导电型，并设置于衬底之中。掺杂区具有第二导电型，并设置于第一埋藏层及第二埋藏层之间。外延层具有第二导电型，并设置于掺杂区、第一埋藏层及第二埋藏层之上。绝缘结构具有第一导电型，并设置于外延层之中。绝缘结构接触掺杂区。

2、本专利技术另提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供一衬底，衬底具有一第一导电型；形成一第一埋藏层于衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一掺杂区为一第三埋藏层，该第三埋藏层的杂质浓度小于该第一埋藏层及该第二埋藏层的杂质浓度，该第一掺杂区直接接触该第一埋藏层及该第二埋藏层。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于：

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一掺杂区为一阱，该阱的部分位于该第一埋藏层及该第二埋藏层的下方。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该绝缘结构包括：

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该绝缘结构包括：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一掺杂区为一第三埋藏层，该第三埋藏层的杂质浓度小于该第一埋藏层及该第二埋藏层的杂质浓度，该第一掺杂区直接接触该第一埋藏层及该第二埋藏层。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于：

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一掺杂区为一阱，该阱的部分位于该第一埋藏层及该第二埋藏层的下方。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该绝缘结构包括：

6.如权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏安，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：