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一种半导体结构及半导体结构的制造方法，包括一衬底、一第一埋藏层、一第二埋藏层、一掺杂区、一外延层以及一绝缘结构。衬底具有一第一导电型。第一埋藏层及第二埋藏层具有一第二导电型，并设置于衬底之中。掺杂区具有第二导电型，并设置于第一埋藏层及第二埋...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。

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