本发明专利技术公开了一种低功耗反相器、低功耗GOA电路和液晶显示面板，该低功耗反相器包括：反相器，其由一P型晶体管和一N型晶体管串联构成，其中，在该反相器的输入端与输出端之间设置一电压耦接元件，以使得在输入端的电压发生跳变时，输出端的电压产生比输入端电压跳变幅度更大的跳变。本发明专利技术可以避免反相器的短路功耗，缩短反相器开关的恢复时间，提高电路的响应速度，增加整个电路的ESD防护能力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，具体地说，涉及一种低功耗反相器、低功耗GOA电路和液晶显不面板。
技术介绍
GOA (Gate Driver On Array，栅极驱动器阵列)是利用现有薄膜晶体管液晶显示器阵列制程将栅线行扫描驱动信号电路制作在阵列基板上，实现对栅线逐行扫描驱动方式的一项技术。在一般低温多晶硅技术LTPS工艺中普遍采用CMOS GOA电路结构，其末端的反相器输出栅极驱动信号。在一般的COMS电路的反相器开关过程中，反相器中的N型晶体管和P型晶体管会发生导通，导致P型晶体管的参考电压输入端和N型晶体管的参考输入端之间在短期内存在短路电流，从而产生短路功耗。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种低功耗反相器、低功耗GOA电路和液晶显示面板，用以减少反相器中的N型晶体管和P型晶体管发生导通时的短路功耗。根据本专利技术的一个方面，提供了一种低功耗反相器，包括:反相器，其由一 P型晶体管和一 N型晶体管串联构成，其中，在所述反相器的输入端与输出端之间设置一电压耦接元件，以使得在所述输入端的电压发生跳变时，所述输出端的电压产生比所述输入端电压跳变幅度更大的跳变。根据本专利技术的一个实施例，所述电压耦接元件为电容。根据本专利技术的一个实施例，所述P型晶体管和所述N型晶体管为MOSFET管。根据本专利技术的一个实施例，所述P型晶体管和所述N型晶体管为TFT薄膜晶体管。根据本专利技术的一个实施例，在所述P型晶体管的参考电压输入端和所述N型晶体管的参考电压输入端之间串联设置两个反向的二极管，其中，所述两个反向的二极管的连接处与所述输出端连通。根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种低功耗GOA电路，包括:锁存器单元，用于接收并锁存级传信号；与非门信号处理单元，与所述锁存器单元连接，基于所述级传信号产生本级的栅极驱动信号；缓冲器，与所述与非门信号处理单元连接，用于增加所述栅极驱动信号的驱动能力；缓冲反相器，与所述缓冲器连接，用于将所述缓冲器输出的信号反相后输出，其中，所述缓冲反相器包括由一 P型晶体管和一 N型晶体管串联构成的反相器，在所述缓冲反相器的输入端与输出端之间设置一电压耦接元件，以使得在所述输入端的电压发生跳变时，所述输出端的电压产生比所述输入端电压跳变幅度更大的跳变。根据本专利技术的一个实施例，所述电压耦接元件为电容。根据本专利技术的一个实施例，所述P型晶体管和所述N型晶体管为TFT薄膜晶体管。根据本专利技术的一个实施例，在所述P型晶体管的参考电压输入端和所述N型晶体管的参考电压输入端之间串联设置两个反向的二极管，其中，所述两个反向的二极管的连接处与所述输出端连通。根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种采用以上任一项GOA电路的液晶显示面板。本专利技术的有益效果:本专利技术通过在反相器的输入端和输出端之间设置一电压耦合元件，可以避免反相器的短路功耗，并在该反相器的P型晶体管的参考电压输入端和N型晶体管的参考电压输入端之间串联设置两个反向的二极管，缩短反相器开关的恢复时间，提高电路的响应速度，增加整个电路的ESD防护能力。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍:图1是现有LTPS工艺中普遍采用的CMOS GOA电路结构示意图；图2是图1中最后一级反相器的输入输出波形图；图3是根据本专利技术的一个实施例的低功耗GOA电路结构示意图；图4是图3中最后一级缓冲反相器的输入输出波形图；图5是根据本专利技术的另一个实施例的低功耗GOA电路结构示意图；以及图6是图5中最后一级缓冲反相器的输入输出波形图。【具体实施方式】以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。如图1所示为现有的一般LTPS(low-temperature polysilicon，低温多晶娃)工艺中普遍采用的CMOS GOA电路结构示意图。如图1所示，该GOA电路包括锁存器110、与非门信号处理器120、输出前的两级缓冲器130和反相器140。其中，锁存器110用于级传信号CKl和STV的锁存，是GOA电路设计的核心部分，CKl为第一时钟信号，STV为行扫描起始驱动信号。与非门信号处理器120通过第三时钟信号CK3控制信号线与锁存器110锁存的数据进行与非处理，用于产生本级的栅极驱动信号。输出前的两级缓冲器130用于增加与非门信号处理器120输出的栅极驱动信号的驱动能力。最后一级反相器140用于输出显示面板所需的栅极驱动信号，同时增加栅极驱动信号的驱动能力。此处的反相器140由一个PTFT和NTFT串联构成，PTFT和NTFT的共栅极端作为反相器的输入端，PTFT和NTFT的共漏极端作为反相器的输出端OUT，PTFT的源极作为高电平参考电压(VGH)输入端IN，NTFT的源极作为低电平参考电压(VGL)输入端，其中，VGH大于 VGL。如图2所示为是图1所示电路最后一级反相器140的输入输出波形图。其中，IN信号为反相器的输入波形，OUT信号为反相器的输出波形。由图2可知，反相器电路的输入信号Vin (IN信号)存在上升和下降的延时。假设NTFT和PTFT管的阈值电压分别为Vtn (正值)和Vtp (负值)，在反相器开关的过程中，当Vtn〈Vin〈VGH-| Vtp I时，如图2中虚线区域所示，NTFT和PTFT会发生导通，VGH和VGL之间在短期内存在短路电流，从而产生短路功耗。因此，本专利技术提供了一种低功耗反相器，用以解决在反相器开关的过程中由于反相器中的N型晶体管和P型晶体管发生导通导致的短路功耗。如图3所示为根据本专利技术的一个实施例的低功耗GOA电路结构示意图，以下以图3中的低功耗反相器240为例来进行说明。该低功耗反相器包括由一 P型晶体管和一 N型晶体管串联构成的反相器，其中，在该反相器的输入端与输出端之间设置一电压耦接元件A，以使得在该反相器的输入端的电压发生跳变时，该反相器输出端的电压产生比输入端电压跳变幅度更大的跳变。如图4所示为该低功耗反相器240的输入输出波形图。由于该电压耦接元件A的存在，导致低功耗反相器240的信号输出端OUT的输出电压在跳变过程中出现低于低电平参考电压VGL或高于高电平参考电压VGH的状态，即出现如图4中的脉峰I和脉峰2。在本专利技术的一个实施例中，该电压耦接元件为电容。由于电容的浮接效应，在电容一端的电压发生变化时，另一端经过一段时间的延时也发生相应的变化，以使得电容两端的电压差保持不变。在电容的另一端发生相应变化的过程中，该另一端的电压产生图4中输出端OUT的脉峰I和脉峰2。当该电压耦接元件为电容时，其在该反相器的输入端和输出端之间的设置如图3所示。以下基于图3及图4中的脉峰I和脉峰2来对低功耗反相器240的工作过程进行详细说明。在稳本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低功耗反相器，包括：反相器，其由一P型晶体管和一N型晶体管串联构成，其中，在所述反相器的输入端与输出端之间设置一电压耦接元件，以使得在所述输入端的电压发生跳变时，所述输出端的电压产生比所述输入端电压跳变幅度更大的跳变。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵莽，易士娟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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