移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置，该移位寄存器单元包括输入模块、输出模块、复位模块、重置模块、重置加强模块和重置加强控制模块以及储能模块；所述重置加强控制模块包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的沟道宽长比大于所述第二晶体管的沟道宽长比，通过对第一晶体管和第二晶体管的开关状态的控制，可以实现对所述第二节点的电压的控制。相比与现有技术的移位寄存器单元，可以减少晶体管的使用，从而能够较少地占用的边框区域的面积，利于显示装置的窄边化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。
技术介绍
随着液晶显示不断的发展，高分辨率、窄边框成为液晶显示发展的趋势，而栅极移位寄存器在显示面板中的应用，是实现窄边框与高分辨率的重要方法之一。TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display 薄膜场效应晶体管-液晶显示器)的驱动器主要包括栅极驱动电路与数据驱动电路，而栅极驱动电路主要由多级移位寄存器单元以及连接各个移位寄存器单元的信号线组成，每一级移位寄存器单元均与一根栅线对接，通过移位寄存器单元的输出信号，逐行扫描驱动像素TFT。现有技术中的移位寄存器单元在输出移位脉冲之后，一般需要对移位寄存器单元的输出端进行重置，并在重置之后进行多次的加强重置，为了实现加强重置，需要设计用于对加强重置进行控制的加强重置控制模块。现有技术中的加强重置控制模块需要数量较多的晶体管，不利于显示装置的窄边化。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于克服上述技术问题。第一方面，本专利技术提供了一种移位寄存器单元，包括:输入模块、输出模块、复位模块、重置模块、重置加强模块和重置加强控制模块以及储能t旲块；所述输入模块、所述输出模块、所述复位模块与所述储能模块均连接第一节点；所述输出模块包括输出端，适于在所述第一节点的电压为第一电平时通过所述输出模块的输出端输出第一电平的移位信号；所述重置模块与所述输出模块的输出端相连，适于将所述输出模块的输出端的电压置为第二电平；所述重置加强模块和所述重置加强控制模块均连接第二节点，所述重置加强模块适于在所述第二节点达到所述重置加强模块的开启电平时，将所述输出模块的输出端的电压置为第二电平，所述第二电平与所述第一电平相反；所述重置加强控制模块包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的沟道宽长比大于所述第二晶体管的沟道宽长比，通过对第一晶体管和第二晶体管的开关状态的控制，可以实现对所述第二节点的电压的控制。进一步的，所述重置加强控制模块包括还具有第一输入端、第二输入端和第三输入端；所述第一晶体管的栅极连接所述输出模块的输出端，源极连接第二节点，漏极连接第一输入端，在所述输出模块的输出端为第一电平时导通；所述第二晶体管的漏极连接所述第二节点，栅极连接第二输入端，源极连接第三输入端。进一步的，所述第二输入端和所述第三输入端为同一输入端，所述重置加强模块的开启电平与所述第二晶体管的开启电平一致。进一步的，所述重置加强模块包括第三晶体管，所述第三晶体管的源极连接所述输出模块的输出端，栅极连接所述第二节点，源极连接所述第一输入端；所述第三晶体管的开启电平为第一电平。进一步的，所述输出模块包括第四晶体管，所述第四晶体管的源极连接所述第三输入端，漏极连接所述输出模块的输出端，栅极连接所述第一节点，所述第四晶体管的开启电平为第一电平。进一步的，所述输入模块包括第五晶体管，并具有第四输入端和第五输入端，所述第五晶体管的源极连接所述第四输入端，栅极连接所述第五输入端，漏极连接所述第一节占.V，所述复位模块包括第六晶体管，并具有第六输入端和第七输入端，所述第六晶体管的源极连接所述第一节点，栅极连接所述第七输入端，漏极连接所述第六输入端；所述第五晶体管和所述第六晶体管的开启电平均为第一电平。进一步的，所述重置模块包括第七晶体管，所述第七晶体管的栅极连接第七输入端，源极连接所述输出模块的输出端，漏极连接所述第一输入端，所述第七晶体管的开启电平为第一电平。进一步的，所述储能模块为电容，所述电容的第一端连接所述第一节点，第二端连接所述输出模块的输出端。进一步的，各个晶体管均为N型晶体管。进一步的，所述第一晶体管的宽长比为所述第二晶体管的宽长比的4-6倍。第二方面，本专利技术还提供了一种栅极驱动电路，包括多个级联的移位寄存器单元，所述移位寄存器单元为上述任一项所述的移位寄存器单元。第三方面，本专利技术还提供了一种驱动上述任一项移位寄存器单元的方法，包括:在所述输出模块输出第一电平的移位脉冲时，控制第一晶体管和第二晶体管的开关状态使所述第二节点的电压达不到所述重置加强模块的开启电平；在所述重置模块将所述输出模块输出端的电压置为第二电平之后，控制第一晶体管和第二晶体管的开关状态使所述第二节点的电压达到所述重置加强模块的开启电平。进一步的，当所述重置加强控制模块具有第一输入端、第二输入端和第三输入端时，所述控制第一晶体管和第二晶体管的开关状态使所述第二节点的电压达不到所述重置加强模块的开启电平包括:在所述第一输入端施加使所述重置加强模块关断的电压；所述控制第一晶体管和第二晶体管的开关状态使所述第二节点的电压达到所述重置加强模块的开启电平，包括:在所述第二输入端施加信号使所述第二晶体管导通，并在所述第三输入端施加使所述重置加强模块开启的电压。第四方面，本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述的栅极驱动电路。本专利技术提供的移位寄存器单元中，通过两个晶体管就能够实现对现有技术中移位寄存器单元的重置加强控制模块的功能，相比与现有技术的移位寄存器单元，可以减少晶体管的使用，从而能够较少地占用的边框区域的面积，利于显示装置的窄边化。【附图说明】图1为现有技术中一种移位寄存器单元的电路结构示意图；图2为对图1中的移位寄存器单元进行驱动时的几种关键信号的时序图；图3为本专利技术提供的一种移位寄存器单元的结构示意图；图4为本专利技术提供的一种移位寄存器单元的电路结构示意图；图5为对图4中的移位寄存器单元进行驱动时的几种关键信号的时序图；图6为包含图4中的移位寄存器单元的栅极驱动电路的电路结构示意图。【具体实施方式】为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有技术中的一种常见的移位寄存单元结构可以参考图1，图2为对图1中的移位寄存器单元进行驱动时的几种关键信号的时序图。包含M1-M9共9个开关晶体管以及一个存储电容Cl，对于图1中的移位寄存器单元的驱动过程可以具体为:第一阶段，在输入信号端INl和复位信号IN2输入低电平，使得晶体管Ml、M2、M4关断，此时PU为低电位，使得晶体管M3关断，输入端Output输出为低电位使得M6、M7关断；时钟信号CK为高电平时，使得M5、M8导通，这时H)的电位为高电平使得M9导通，对Output端进行放噪。第二阶段，在输入信号端INl输入高电平，使得晶体管Ml导通，上拉节点为高电位，电容Cl进行预充电，晶体管M3导通，此时CK信号为低电平。第三阶段，在输入信号端IN2输入低电平，时钟输入端CK为高电平时电平，Ml关断，I3当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：输入模块、输出模块、复位模块、重置模块、重置加强模块和重置加强控制模块以及储能模块；所述输入模块、所述输出模块、所述复位模块与所述储能模块均连接第一节点；所述输出模块包括输出端，适于在所述第一节点的电压为第一电平时通过所述输出模块的输出端输出第一电平的移位信号；所述重置模块与所述输出模块的输出端相连，适于将所述输出模块的输出端的电压置为第二电平；所述重置加强模块和所述重置加强控制模块均连接第二节点，所述重置加强模块适于在所述第二节点达到所述重置加强模块的开启电平时，将所述输出模块的输出端的电压置为第二电平，所述第二电平与所述第一电平相反；所述重置加强控制模块包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的沟道宽长比大于所述第二晶体管的沟道宽长比，通过对第一晶体管和第二晶体管的开关状态的控制，可以实现对所述第二节点的电压的控制。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯思林，薛伟，董职福，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34