【技术实现步骤摘要】
【专利说明】半导体发光装置本申请案享受以日本专利申请案2014-65820号(申请日:2014年3月27日)为基础申请案的优先权。本申请通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全体内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体发光装置。
技术介绍
提出有一种芯片尺寸封装结构的半导体发光装置，在包含发光层的半导体层的一侧设置荧光体层，在另一侧设置电极、布线层及树脂层，面向实用化而要求较高的可靠性。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种可靠性高的半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置包含半导体层、第I电极、第2电极、第I绝缘膜、第I布线部、第2布线部、第2绝缘膜、光学层、及具有粗糙面的膜。所述半导体层具有第I侦U、与所述第I侧为相反侧的第2侧、以及侧面，且包含发光层。所述第I电极及所述第2电极是设于所述第2侧。所述第I绝缘膜设于所述第2侧。所述第I布线部设于所述第I绝缘膜上，且与所述第I电极连接。所述第2布线部设于所述第I绝缘膜上，且与所述第2电极连接。所述第2绝缘膜设于所述第I布线部与所述第2布线部之间、以及所述侧面。所述光学层设于所述第I侧、以及设于所述...
【技术保护点】
一种半导体发光装置，其特征在于包含：半导体层，具有第1侧、与所述第1侧为相反侧的第2侧、以及侧面，且包含发光层；第1电极，设于所述第2侧；第2电极，设于所述第2侧；第1绝缘膜，设于所述第2侧；第1布线部，设于所述第1绝缘膜上，且与所述第1电极连接；第2布线部，设于所述第1绝缘膜上，且与所述第2电极连接；第2绝缘膜，设于所述第1布线部与所述第2布线部之间、以及所述侧面；光学层，设于所述第1侧、以及设于所述侧面的所述第2绝缘膜上，且对所述发光层的放射光具有透过性；以及膜，设置在设于所述侧面的所述第2绝缘膜与所述光学层之间，且在与所述光学层相接的一侧具有粗糙面。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：布谷伸仁，藤村一夫，伊藤信也，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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