氮化镓基低漏电流固支梁的RS触发器制造技术

本发明专利技术的氮化镓基低漏电流固支梁的RS触发器制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，由四个N型MESFET开关(11)和两个电阻R所构成，其中两个开关串联连接组成第一与非门(①)，另两个开关串联连接组成第二与非门(②)，其中第一与非门的输出端通过导线与第二与非门的一个输入端相接，同样第二与非门的输出端也通过导线与第一与非门的一个输入端相连接，形成完全对称的结构；RS触发器有两个外接信号输入端分别是第一输入端R和第二输入端S，以及两个输出端分别是第一输出端Q和第二输出端N型MESFET开关(11)具有悬浮的固支梁(4)，该固支梁(4)的两端固定在锚区(2)上，中间部分横跨在栅极(10)上方。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提出了氮化镓基低漏电流固支梁的RS触发器，属于微电子机械系统的技 术领域。
技术介绍
在当今世界，集成电路正处于蓬勃发展的时期，数字集成电路作为其重要的一部 分也在进行着不断的改革与完善，在集成电路发展早期，人们大多都是用M0S器件来制作 各种各样的电路结构，然而经过长久的发展，人们发现GaN金属一半导体场效应晶体管 (MESFET)有着电子迀移率高、载流子漂移速度快、禁带宽度大、抗辐射能力强、工作温度范 围宽等诸多优点，比传统的M0S器件有着明显的优势，因此GaN金属一半导体场效应晶体管 (MESFET)被人们广泛的应用在如今的大规模集成电路中。但是随着集成电路尺寸的逐渐缩 小、集成度的不断提高，传统结构的MESFET器件也陆续表露出各种各样的问题，其中最主 要的问题就是功耗，典型的例子就是RS触发器，在RS触发器中有四个MESFET型开关，传统 的MESFET开关由于其栅极存在不可忽略的漏电流，导致了MESFET开关的直流功耗较大，从 而使得整个RS触发器的功耗也过大，若将这种直流功耗较大的RS触发器应用于集成度高 的系统中，会引起难以想象的后果，因此如何本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基低漏电流固支梁的RS触发器，其特征在于该RS触发器制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，由四个N型MESFET开关(11)和两个电阻R所构成，该N型MESFET开关(11)包括源极、漏极、栅极和沟道组成，其中两个N型MESFET开关(11)串联连接组成第一与非门(①)，另两个N型MESFET开关(11)串联连接组成第二与非门(②)，其中第一与非门(①)的输出端通过导线与第二与非门(②)的一个输入端相接，同样第二与非门(②)的输出端也通过导线与第一与非门(①)的一个输入端相连接，形成完全对称的结构；RS触发器有两个外接信号输入端分别是第一输入端R和第二输入端S，以及两个输出端分别是第一输...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖小平，褚晨蕾，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32