一种具有可见光活性的BixCe1-xVO4纳米棒及制备方法技术

技术编号:12103669 阅读:97 留言:0更新日期:2015-09-23 22:16
一种具有可见光活性的BixCe1-xVO4纳米棒,其是由摩尔比为Bi(NO3)3·5H2O:Ce(NO3)3·6H2O:NH4VO3=x:1-x:1(0<x<1)经水热反应获得的微观结构为棒状浅黄色纳米级复合物;其制备方法主要是:Bi(NO3)3·5H2O与Ce(NO3)3·6H2O及水混匀为A溶液;向NH4VO3加入水在60℃的水浴中溶解得到B液体;将A溶液滴加到B溶液后,于120~200℃下水热反应1~6h,将沉淀物清洗,干燥,然后在300℃~800℃下煅烧12~48h,得到的浅黄色粉末状物质即为BixCe1-xVO4纳米棒。本发明专利技术BixCe1-xVO4纳米棒的比表面积大,吸附能力强;具有更好的可见光吸收性能,对光催化氧化降解有机污染物有很大的提高;而且BixCe1-xVO4纳米棒的制备方法比较简单,易于操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于治理环境污染的半导体光催化剂及制备方法。
技术介绍
能源危机和环境问题已是人类必须要面临的两个严峻问题,如何有效的控制和治理各种化学污染物对环境的污染是环境综合治理中的重点。近些年,作为高级氧化技术之一的半导体光催化氧化技术,正受到国内外学者的广泛研宄,这种技术可以以太阳能作为能源来降解环境中的污染物,有效地利用太阳能,降低人们的能源利用。半导体光催化氧化技术始于日本科学家Fujishima和Honda发现受光福照的T12单晶电极可以将H2O分解,利用1102半导体光催化剂将光能转化为电能和化学能就成为半导体光催化领域的研宄热点。然而,锐钛矿型T12的禁带宽度为3.2eV,其激发波长为387.5nm,属于太阳光中的紫外光范围。而对于太阳能,其主要能量集中于400?600nm的可见光范围,这大大减少了 1102半导体光催化剂的效率,因此,开发出对可见光响应的新型的半导体材料是半导体光催化剂研宄的重点内容之一。在众多的新开发的半导体光催化剂中,研宄者开发了钒酸盐化合物,发现该类催化剂具有较小的禁带宽度,能充分的利用太阳光,是一类有前景的光催化剂。但是随着研本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有可见光活性的BixCe1‑xVO4纳米棒,其特征在于:其是由Bi(NO3)3·5H2O与Ce(NO3)3·6H2O及NH4VO3按摩尔比即Bi(NO3)3·5H2O:Ce(NO3)3·6H2O:NH4VO3=x:1‑x:1(0<x<1)经水热反应获得的微观结构为棒状浅黄色纳米级复合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:邹学军魏裕庭董玉瑛
申请(专利权)人:大连民族学院
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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