本发明专利技术涉及咔唑衍生物、发光元件用材料、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置。提供一种通式(1)所表示的咔唑衍生物。在通式中，Ar1表示取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基，α、β表示取代或无取代的形成环的碳数为6至12的亚芳基，R1表示碳数为1至4的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基，R11至R17、R21至R28表示氢、碳数为1至4的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】咔唑衍生物、发光元件用材料、发光元件、发光装置、电子设 备及照明装置 本专利技术专利申请是申请号为201010157358. 7,申请日为2010年3月30日，专利技术名 称为"咔唑衍生物、发光元件用材料、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置"的专利技术专 利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种咔唑衍生物。此外，本专利技术还涉及一种使用该咔唑衍生物的发光 元件用材料、发光元件、电子设备以及照明装置。
技术介绍
近年来，对利用电致发光（Electroluminescence)的发光元件进行积极研宄和开 发。这种发光元件的基本结构是将包含发光物质的层夹在一对电极之间的。通过对这种元 件施加电压，可以得到来自发光物质的发光。 因为这种发光元件是自发光型，所以具有如下优点等：与液晶显示器相比其像素 的可见性高，并且不需要使用背光灯。因此，这种发光元件被认为适合于平板显示元件。此 外，这种发光元件还具有可以制造为薄型轻量的很大优点。另外，这种发光元件还具有相当 快的响应速度。 因为这种发光元件可以形成为膜状，所以通过形成大面积的元件，可以容易得到 面发光。这是在以白炽电灯、LED为代表的点光源、或者以荧光灯为代表的线光源上难得的 特征，所以上述发光元件的作为能够应用于照明等的面光源的利用价值也很高。 利用电致发光的发光元件可以根据发光物质是有机化合物还是无机化合物而被 大致分类。在发光物质是有机化合物的情况下，通过对发光元件施加电压，电子及空穴从一 对电极分别注入到包含发光有机化合物的层，以电流流过。然后，由于载流子（电子及空 穴）重新结合，发光有机化合物形成激发态，并且当该激发态恢复到基底态时，得到发光。 根据这种机理，而上述发光元件被称为电流激发型发光元件。注意，作为有机化合 物所形成的激发态的种类，可以举出单重激发态和三重激发态。来自单重激发态的发光被 称为焚光，并且来自三重激发态的发光被称为磷光。 对于这种发光元件，在改善其元件特性的方面上，存在有依赖于物质的许多问题， 所以为了解决这些问题，而进行元件结构的改进、物质的开发等（例如，参照非专利文件 1)0 Meng-Huan Ho, Yao-Shan Wu and Chin H. Chen, 2005 SID International Symposium Digest of Technical Papers, Vol. XXXVI. p802~805
技术实现思路
从而，本专利技术的目的之一在于提供一种具有空穴传输性的新的材料。 此外，本专利技术的目的之一在于提供一种发光效率高的发光元件。 此外，本专利技术的目的之一在于降低发光元件、发光装置、电子设备、以及照明装置 的耗电量。 本专利技术之一是一种通式（1)所表示的咔唑衍生物。 (在通式中，Ar1表示取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基，α、β表示 取代或无取代的形成环的碳数为6至12的亚芳基，R 1表示碳数为1至4的烷基、取代或无 取代的形成环的碳数为6至10的芳基，R11至R 17、R21至R28表示氢、碳数为1至4的烷基、取 代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基。此外，在Ar 1具有取代基的情况下，作为取代 基而可以举出碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。在R1具有取代基的情 况下，作为取代基而可以举出碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。在R 11 至R17、R21至R28具有取代基的情况下，作为取代基而可以举出碳数为1至4的烷基、形成环 的碳数为6至10的芳基。） 本专利技术之一是一种通式（2)所表示的咔唑衍生物。 (在通式中，Ar1表示取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基，α、β表示 取代或无取代的亚苯基，R 1表示碳数为1至4的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6至 10的芳基，R11至R 17、R21至R28表示氢、碳数为1至4的烷基、取代或无取代的形成环的碳数 为6至10的芳基。此外，在Ar 1具有取代基的情况下，作为取代基而可以举出碳数为1至4 的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。在R1具有取代基的情况下，作为取代基而可以举 出碳数为1至4的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基。在R 11至R 17、R21 至R28具有取代基的情况下，作为取代基而可以举出碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为 6至10的芳基。） 本专利技术之一是一种通式（3)所表示的咔唑衍生物。(在通式中，Ar1表示取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基，R1表示碳数 为1至4的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基，R11至R 17、R21至R 28表示 氢、碳数为1至4的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基。R31至R 34、R41至 R44表示氢、碳数为1至4的烷基。此外，在Ar 1具有取代基的情况下，作为取代基而可以举 出碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。 在R1具有取代基的情况下，作为取代基而可以举出碳数为1至4的烷基、形成环 的碳数为6至10的芳基。在R11至R 17、R21至R28具有取代基的情况下，作为取代基而可以 举出碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。） 本专利技术之一是一种通式（4)所表示的咔唑衍生物。 (在通式中，Ar1表示取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基，R1表示碳数 为1至4的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基，R 11至R 17、R21至R 28表示 氢、碳数为1至4的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基。此外，在Ar1具 有取代基的情况下，作为取代基而可以举出碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10 的芳基。在R1具有取代基的情况下，作为取代基而可以举出碳数为1至4的烷基、形成环 的碳数为6至10的芳基。在R11至R 17、R21至R28具有取代基的情况下，作为取代基而可以 举出碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。） 此外，本专利技术之一是一种通式（5)所表示的咔唑衍生物。 (在通式中，Ar1表示取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基，R 11至R 17、 R21至R28表示氢、碳数为1至4的烷基、取代或无取代的形成环的碳数为6至10的芳基，R 51 至R55表示氢、碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。此外，在Ar 1具有取 代基的情况下，作为取代基而可以举出碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳 基。在R 11至R 17、R21至R28具有取代基的情况下，作为取代基而可以举出碳数为1至4的烷 基、形成环的碳数为6至10的芳基。） 此外，本专利技术之一是一种通式（6)所表示的咔唑衍生物。 (在通式中，R61至R65表示氢、碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳 基。） 此外，本专利技术之一是一种使用上述咔唑衍生物的发光元件。具体地说，本专利技术之一 是一种其特征在于在一对电极之间具有上述咔唑衍生物的发光元件。 此外，本专利技术之一是一种其特征在于在一对电极之间具有发光层，并且发光层具 有上述咔唑衍生物的发光元件。 此外，本专利技术的发光装置的一种方式包括：在一对电极之间具有包含发光物质的 层且该包含发光物质的层包括上述本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种如下化合物B表示的咔唑衍生物，化合物B其中，X1表示卤素；β独立地表示取代或未取代的形成环的具有6‑12个碳原子的亚芳基；R21至R28独立地表示氢、具有1‑4个碳原子的烷基、或者取代或未取代的形成环的具有6‑10个碳原子的芳基。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：野村洸子，尾坂晴惠，牛窪孝洋，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。