发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置制造方法及图纸

提高发光元件的发光效率。所述发光元件具有一对电极和在所述一对电极之间的EL层。EL层包括第一发光层、第二发光层。第一发光层包含荧光材料及主体材料。第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物。第二发光层的发射光谱在黄色的波长区域中具有峰值。第一有机化合物和第二有机化合物形成激基复合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个实施方式涉及一种将能通过施加电场而发光的发光层夹在一对电极之间而成的发光元件或者包括该发光元件的发光装置、电子设备以及照明装置。注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个实施方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个实施方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。因此，具体而言，本说明书所公开的本专利技术的一个实施方式的
的例子包括半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或它们的制造方法。
技术介绍
近年来，对使用有机化合物和利用电致发光(EL：Electroluminescence)的发光元件(有机EL元件)的研究开发日益火热。在这些发光元件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光物质的有机化合物层(EL层)。通过对该元件施加电压，可以获得来自发光物质的发光。在一对电极之间设置有有机化合物层的发光元件被称为有机电致发光元件，包括上述发光元件的发光装置被称为有机电致发光装置。可以将有机电场发光装置应用于显示装置或照明装置等(例如，参照专利文献1)。[参考文献][专利文献1]日本专利申请公开第2012-186461号公报
技术实现思路
本专利技术的一个实施方式的目的之一是提高发光元件的发光效率。另外，本专利技术的一个实施方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置、新颖的发光元件、或新颖的发光装置。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个实施方式并不需要实现所有上述目的。另外，上述以外的目的可明显从说明书、附图及权利要求书等的记载看出，且可以从说明书、附图及权利要求书等的记载中得出上述以外的目的。本专利技术的一个实施方式是一种在一对电极之间夹有EL层的发光元件，EL层包括第一发光层、第二发光层，第一发光层包含荧光材料及主体材料，第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，第二发光层的发射光谱在黄色的波长区域中具有峰值，第一有机化合物和第二有机化合物形成激基复合物。在上述结构中，第二发光层所包含的磷光材料优选为一种。在上述任一结构中，能量优选从激基复合物转移到磷光材料。在上述任一结构中，主体材料的单重态激发能级优选比荧光材料的单重态激发能级大，并且主体材料的三重态激发能级优选比荧光材料的三重态激发能级小。在上述任一结构中，主体材料的三重态激发能级优选比第一有机化合物及第二有机化合物的三重态激发能级小。在上述任一结构中，优选第一发光层和第二发光层具有第一发光层和第二发光层互相接触的区域。在上述任一结构中，优选第一发光层和第二发光层具有第一发光层和第二发光层互相分开的区域，在这种情况下，优选在第一发光层和第二发光层之间设置混合有空穴传输性材料和电子传输性材料的层。在上述任一结构中，第二发光层优选设置在第一发光层上。本专利技术的另一个实施方式是一种包括具有上述任意结构的发光元件、晶体管或衬底的发光装置。本说明书等中的发光装置包括使用发光元件的图像显示器件。此外，发光装置有时包括在如下模块中：在发光元件中安装有连接器诸如FPC(FlexiblePrintedCircuit：柔性印刷电路)的模块；在发光元件中安装有各向异性导电薄膜或TCP(TapeCarrierPackage：带载封装)的模块；在TCP的端部设置有印刷线路板的模块；或者通过COG(ChipOnGlass：玻璃覆晶封装)方式在发光元件上直接安装有IC(集成电路)的模块。本专利技术的另一个实施方式是一种包括具有上述结构的发光装置、外部连接端口、键盘、操作按钮、扬声器或麦克风的电子设备。本专利技术的另一个实施方式是一种包括具有上述结构的模块、外部连接端口、键盘、操作按钮、扬声器或麦克风的电子设备。本专利技术的另一个实施方式是一种包括具有上述结构的发光装置及框体的照明装置。根据本专利技术的一个实施方式可以提高发光元件的发光效率。根据本专利技术的一个实施方式可以提供一种新颖的半导体装置、新颖的发光元件、新颖的发光装置。注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本专利技术的一个实施方式并不需要具有所有上述效果。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记载可明显看出这些效果外的效果，从而可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中得出除这些效果外的效果。附图说明图1A和图1B是说明本专利技术的一个实施方式的发光元件的截面示意图；图2A和图2B是说明发光层中的能级相关性的图；图3是说明发光层中的能级相关性的图；图4A和图4B是说明本专利技术的一个实施方式的发光元件的截面示意图；图5是说明本专利技术的一个实施方式的发光元件的截面示意图；图6A和图6B分别是说明本专利技术的一个实施方式的发光装置的俯视图及截面图；图7A和图7B是说明本专利技术的一个实施方式的发光装置的截面图；图8是说明本专利技术的一个实施方式的发光装置的截面图；图9A和图9B是说明本专利技术的一个实施方式的发光装置的截面图；图10A和图10B是说明本专利技术的一个实施方式的发光装置的截面图；图11A和图11B分别是说明本专利技术的一个实施方式的显示装置的框图及电路图；图12是说明显示模块的透视图；图13A至图13G分别显示电子设备；图14显示照明装置；图15A和图15B是说明实施例1至实施例3的发光元件的元件结构的截面示意图；图16A和图16B分别说明实施例1的发光元件的电流密度-亮度特性及电压-亮度特性；图17A和图17B分别说明实施例1的发光元件的亮度-功率效率特性及亮度-电流效率特性；图18说明实施例1的发光元件的发射光谱；图19A和图19B分别说明实施例2的发光元件的电流密度-亮度特性及电压-亮度特性；图20A和图20B分别说明实施例2的发光元件的亮度-功率效率特性及亮度-电流效率特性；图21说明实施例2的发光元件的发射光谱；图22A和图22B分别说明实施例3的发光元件的电流密度-亮度特性及电压-亮度特性；图23A和图23B分别说明实施例3的发光元件的亮度-功率效率特性及亮度-电流效率特性；图24说明实施例3的发光元件的发射光谱；图25是说明实施例4的发光元件的元件结构的截面示意图；图26A和图26B分别说明实施例4的发光元件的电流密度-亮度特性及电压-亮度特性；图27说明实施例4的发光元件的发射光谱；图28说明实施例5的发光元件11的亮度-外部量子效率特性；图29说明实施例5的发光元件11的发射光谱；图30说明实施例5的发光元件11的可靠性；图31说明实施例5的发光元件12的亮度-外部量子效率特性；图32说明实施例5的发光元件12的发射光谱；图33说明实施例5的发光元件12的可靠性。具体实施方式以下，参照附图详细地说明本专利技术的实施方式。注意，本专利技术的一个实施方式不局限于以下的描述并且在不偏离本专利技术的宗旨和范围的情况下可以用多种方式修改本专利技术的模式和细节。因此，本专利技术的一个实施方式不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。另外，为了便于理解，有时在附图等中示出的各结构的位置、大小及范围等并不表示其实际的位置、大小及范围等。因此，所公开的专利技术不一定局限于附图等所公开的位置、大小、范围等。在本说明书等中，为了方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，包括：第一电极；第二电极；以及所述第一电极与所述第二电极之间的EL层，其中，所述EL层包括第一发光层及第二发光层，所述第一发光层包含荧光材料及主体材料，所述第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，所述第二发光层的发射光谱在黄色的波长区域中具有峰值，所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物，并且，能量从所述激基复合物转移至所述磷光材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.30 JP 2014-112448;2014.11.28 JP 2014-241131.一种发光元件，包括：第一电极；第二电极；以及所述第一电极与所述第二电极之间的EL层，其中，所述EL层包括第一发光层及第二发光层，所述第一发光层包含荧光材料及主体材料，所述第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，所述第二发光层的发射光谱在黄色的波长区域中具有峰值，所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物，并且，能量从所述激基复合物转移至所述磷光材料。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述主体材料的单重态激发能级高于所述荧光材料的单重态激发能级，并且所述主体材料的三重态激发能级低于所述荧光材料的三重态激发能级。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述主体材料的三重态激发能级低于所述第一有机化合物及所述第二有机化合物的三重态激发能级。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述第一发光层与所述第二发光层互相接触。5.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述第一发光层与所述第二发光层彼此分开。6.根据权利要求5所述的发光元件，其中混合有空穴传输性材料和电子传输性材料的层位于所述第一发光层与所述第二发光层之间。7.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，所述第一发光层在所述第一电极上，并且所述第二发光层在所述第一发光层上。8.一种发光装置，包括：权利要求1所述的发光元件；以及晶体管或衬底。9.一种发光元件，包括：第一电极；第二电极；以及所述第一电极与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：濑尾哲史，石曾根崇浩，大泽信晴，野中裕介，佐佐木俊毅，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP