【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种蒙脱石插层材料的制备,具体涉及一种采用水热法制备硫化铋/蒙脱土复合材料的方法。
技术介绍
由于近年来我国经济不断的加速发展导致环境污染问题也不断的加剧,因此寻求治理环境污染的新方法是科学研究领域的一个巨大挑战。利用紫外或可见光作为辐照光源的光催化净水技术,由于其是在低温下深度反应,具有快速彻底净化而不留二次污染且催化剂寿命长等特点,被称为是一种绿色技术。到目前为至,已经研究出很多金属氧化物光催化剂,二氧化钛是个典型的代表。除了金属氧化物,一些金属硫化物也表现出良好的光催化活性,如ZnS、PbS、CuS、CdS、Sb2S3等。从理论上讲,任何半导体在一定波长的光线照射下,当吸收的能量高于其带隙能时,就能生成电子-空穴对,这些电子、空穴通过转移到半导体颗粒表面利用其强的氧化-还原作用,去摧毁吸附在半导体表面的污染物,从而使污染物彻底分解。硫化铋(Bi2S3)是直接带隙半导体材料,在室温下禁带宽度Eg=1.3eV,其在光电二极管阵列 ...
【技术保护点】
一种采用水热法制备硫化铋/蒙脱土复合材料制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将铋源溶于去离子水中,得到含铋溶液,将硫脲溶液溶于去离子水中,得到硫脲溶液;2)按照含铋溶液中的铋与硫脲的摩尔比为1:(1~3),将硫脲溶液加入到含铋溶液中,含铋溶液由白色变亮黄色,然后再加入矿化剂溶液,得到混合溶液;其中,矿化剂与铋的摩尔比为1:(20~27);3)向混合溶液中加入钙基蒙脱土,然后于120~180℃下进行水热反应完成后自然冷却至室温,离心分离得到沉淀,即为硫化铋/蒙脱土复合材料;其中,混合溶液中铋与钙基蒙脱土的摩尔比为1:(1~3)。
【技术特征摘要】
1.一种采用水热法制备硫化铋/蒙脱土复合材料制备方法,其特征在于,包
括以下步骤:
1)将铋源溶于去离子水中,得到含铋溶液,将硫脲溶液溶于去离子水中,
得到硫脲溶液;
2)按照含铋溶液中的铋与硫脲的摩尔比为1:(1~3),将硫脲溶液加入到
含铋溶液中,含铋溶液由白色变亮黄色,然后再加入矿化剂溶液,得到混合溶
液;其中,矿化剂与铋的摩尔比为1:(20~27);
3)向混合溶液中加入钙基蒙脱土,然后于120~180℃下进行水热反应完成
后自然冷却至室温,离心分离得到沉淀,即为硫化铋/蒙脱土复合材料;其中,
混合溶液中铋与钙基蒙脱土的摩尔比为1:(1~3)。
2.根据权利要求1所述的一种采用水热法制备硫化铋/蒙脱土复合材料制备
方法,其特征在于,所述步骤1)中铋源为氯化铋或五水合硝酸铋。
3.根据权利要求1所述的一种采用水热法制备硫化铋/蒙脱土复合材料制备
方法,其特征在于,所述步骤1)中含铋溶液中铋离子的...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵彦钊,王一迪,张亚莉,王兰,
申请(专利权)人:陕西科技大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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