本实用新型专利技术公开了一种阵列基板及液晶显示面板及装置及已修复阵列基板，该阵列基板包括：彼此交叉的扫描线和数据线以限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极；多个公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极；多条触控走线，每条触控走线与对应的一个公共电极块电连接；至少一条修复导线，所述至少一条修复导线所在膜层与所述多条触控走线所在膜层不同，且通过绝缘层隔开，每条所述修复导线与一条触控走线对应设置，且所述修复导线在透光方向上的投影与触控走线在透光方向上的投影交叠。本实用新型专利技术在触控走线发生短路或断路时，可以通过修复导线简单快速地进行修复。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示装置，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板及装置及已修复阵列基板。
技术介绍
由于便携性好和功耗低等优点，液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)被广泛应用于智能手机、笔记本电脑、监控器等各种显示装置。目前触摸屏按照触控电极的位置不同可分为外挂式触摸屏、覆盖表面式触摸屏以及内嵌式触摸屏。其中，外挂式触摸屏是和LCD相互独立的，其需要一个独立的基板做出触控结构的载体，这种方法使得整机整体厚度变厚，而且透光率变低。覆盖表面式触摸屏是在LCD的彩膜基板外侧制作触控电极，这种方法降低了整机的厚度，但是增加了彩膜基板的制作工序。而内嵌式触摸屏直接将LCD的公共电极复用为触控电极，不仅厚度不增加，而且触控电极可以和LCD的公共电极一同制作，不增加额外的制作工序。图1为现有的阵列基板的局部俯视示意图。如图1所示，阵列基板包括像素电极170、公共电极块150和多条触控走线130，所述公共电极块150复用为触控电极，每条触控走线130与对应的一个公共电极块150电连接。具体的，触控走线130和对应的公共电极块150通过过孔155电连接。中小尺寸、高分辨率触摸屏受到穿透率的限制，触控走线130较细，通常为2.5um左右，在制作触控走线130的过程中易受到工艺影响，产生触控走线130断路现象，进而导致与该触控走线130连接的触控电极150的功能失效。
技术实现思路
为解决现有技术的问题，本技术提供一种阵列基板，包括:彼此交叉的扫描线和数据线以限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极；多个公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极；多条触控走线，每条触控走线与对应的一个公共电极块电连接；至少一条修复导线，所述至少一条修复导线所在膜层与所述多条触控走线所在膜层不同，且通过绝缘层隔开，每条所述修复导线与一条触控走线对应设置，且所述修复导线在透光方向上的投影与触控走线在透光方向上的投影交叠。本技术还提供一种液晶显示面板，包括彩膜基板和本技术任意实施例中提供的阵列基板，其中所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。本技术还提出一种液晶显示装置，包括本技术任意实施例中提供的液晶显示面板，以及驱动芯片，所述驱动芯片用于显示驱动和触控驱动。本技术还提出一种基于本技术任意实施例中的阵列基板的已修复阵列基板，该已修复阵列基板至少包括一条断路的触控走线，在所述触控走线断开处的两边分别设置有修复孔，在所述修复孔中沉积有导电物质，所述修复导线和所述触控走线通过所述修复孔电连接。本技术还提出一种基于本技术任意实施例中的阵列基板的已修复阵列基板，其中所述修复导线位于对应设置的触控走线的正下方，该已修复阵列基板至少包括一条短路的触控走线，在所述触控走线的短路处设置有断路开口，使所述触控走线的短路处发生断路，且该断路开口的两边分别有修复孔，在所述修复孔中沉积有导电物质，所述修复导线和所述触控走线通过所述修复孔电连通。本技术提供的阵列基板，包括与触控走线对应设置的修复导线，且所述修复导线在透光方向上的投影与触控走线在透光方向上的投影交叠，在触控走线断路时，通过触控走线断开处修复孔中的导电物质，使触控走线和所述触控走线对应设置的修复导线电连接，从而用修复导线代替断开的那部分触控走线。因此，本技术所提供的阵列基板中触控走线断路时修复过程简便快速，还能够避免对断开触控走线附近的膜层造成影响。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的阵列基板的局部俯视示意图；图2a为本技术第一实施例提供的阵列基板的局部俯视示意图；图2b为沿着图2a中的A_A’的一种剖面示意图；图2c为沿着图2a中的A-A’的又一种剖面示意图；图2d为沿着图2a中的A_A’的另一种剖面示意图；图2e为沿着图2a中的A_A’的另一种剖面示意图；图3a为本技术第二实施例提供的阵列基板的局部俯视示意图；图3b为沿着图3a中的B-B’的一种剖面示意图；图3c为沿着图3a中的B-B’的又一种剖面示意图；图3d为沿着图3a中的B-B’的另一种剖面示意图；图4a为本技术第三实施例提供的已修复阵列基板的局部俯视示意图；图4b为沿着图4a中的C_C’的一种剖面不意图；图5a为本技术第四实施例提供的已修复阵列基板的局部俯视示意图；图5b为沿着图5a中的D-D’的一种剖面示意图；图6为本技术提供的一种液晶显示面板的剖视示意图；图7为本技术提供的一种液晶显不装置的俯视不意图。【具体实施方式】为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本技术实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本技术的技术方案。显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。第一实施例本实施例提供了一种修复导线位于触控走线正下方的阵列基板。图2a为本技术第一实施例提供的阵列基板的局部俯视示意图。如图2a所示，所述阵列基板包括彼此交叉的扫描线(未示出)和数据线(未示出)以限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管(未示出)以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极170 ;多个公共电极块150 (仅示出一个)，所述公共电极块150复用为触控电极；多条触控走线130，每条触控走线130与对应的一个公共电极块150电连接；至少一条修复导线180。其中，所述薄膜晶体管用作开关元件。薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极，且所述薄膜晶体管可以为栅极位于半导体层下方的底栅型结构，也可以为栅极位于半导体层上方的顶栅型结构。像素电极170与所述薄膜晶体管的漏极(未示出)通过漏极接触孔115电连接。如图2a所示，公共电极块150与像素电极170形成电场以驱动液晶偏转，从而控制光透射比；同时图案化的公共电极块150复用为触控电极。每个公共电极块150的尺寸可以与一个或多个子像素的尺寸对应，即一个或多个像素电极170在公共电极块150垂直方向的投影位于相同公共电极块150内。每条触控走线130与对应的一个公共电极块150通过过孔155电连接，并将驱动的电信号施加给公共电极块150，使所述公共电极块150复用为触控电极。图2b为沿着图2a中的A-A’的一种剖面示意图。如图2b所示，所述阵列基板包括平坦化层120、修复导线180、绝缘层190、触控走线130、第一钝化层140、公共电极当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：彼此交叉的扫描线和数据线以限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极；多个公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极；多条触控走线，每条触控走线与对应的一个公共电极块电连接；至少一条修复导线，所述至少一条修复导线所在膜层与所述多条触控走线所在膜层不同，且通过绝缘层隔开，每条所述修复导线与一条触控走线对应设置，且所述修复导线在透光方向上的投影与触控走线在透光方向上的投影交叠。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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