【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种电化学抛光装置及方法。
技术介绍
在集成电路制造过程中，化学机械抛光（CMP）技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛的应用。化学机械抛光可以抛光和平坦化在介质材料的非凹陷区域上形成的金属层。虽然化学机械抛光可以只抛光金属层而对电介质层没有影响，然而，由于其强机械作用力，化学机械抛光会对集成电路结构带来一些有害的影响，尤其是随着极大规模集成电路和超大规模集成电路的快速发展，铜和低K或者超低K电介质材料被应用在极大规模集成电路和超大规模集成电路中，由于铜和低K或者超低K电介质材料的机械性能有很大的差别，化学机械抛光中的强机械作用力可能会对低K或者超低K电介质材料造成永久性的损伤。为了解决化学机械抛光技术中的缺点，人们在不断完善化学机械抛光技术的同时，也在不断探索和研究新的平坦化技术，其中，电化学抛光技术被逐渐应用在极大规模集成电路和超大规模集成电路的制造中。电化学抛光技术能够克服...
【技术保护点】
一种电化学抛光装置，其特征在于，包括晶圆夹盘和喷嘴，所述晶圆夹盘开设有数个晶圆凹槽，数个晶圆凹槽均匀分布在晶圆夹盘的圆心至晶圆夹盘的外边缘之间，所述晶圆夹盘和喷嘴相对线性运动。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种电化学抛光装置，其特征在于，包括晶圆夹盘和喷嘴，所述晶
圆夹盘开设有数个晶圆凹槽，数个晶圆凹槽均匀分布在晶圆夹盘的圆心至
晶圆夹盘的外边缘之间，所述晶圆夹盘和喷嘴相对线性运动。
2.根据权利要求1所述的电化学抛光装置，其特征在于，所述数个晶
圆凹槽的直径相等，数个晶圆凹槽的圆心分布在以所述晶圆夹盘的圆心为
中心的同心圆上，且每一个晶圆凹槽的圆心位于晶圆夹盘的圆心至晶圆夹
盘的外边缘的半径的中点上。
3.根据权利要求1所述的电化学抛光装置，其特征在于，所述晶圆夹
盘除去晶圆凹槽外的区域表面覆盖一层由导电材料制成的薄板。
4.根据权利要求3所述的电化学抛光装置，其特征在于，所述导电材
料在电化学抛光过程中参与电化学抛光反应。
5.根据权利要求3所述的电化学抛光装置，其特征在于，所述导电材
料在电化学抛光过程中不参与电化学抛光反应。
6.根据权利要求1所述的电化学抛光装置，其特征在于，所述晶圆夹
盘除去晶圆凹槽外的区域表面覆盖一层由绝缘材料制成的薄板。
7.一种使用电化学抛光装置抛光晶圆的方法，所述电化学抛光装置包
括晶圆夹盘和喷嘴，所述晶圆夹盘开设有数个晶圆凹槽，数个晶圆凹槽均
匀分布在晶圆夹盘的圆心至晶圆夹盘的外边缘之间，数片晶圆分别固定在
晶圆夹盘的晶圆凹槽中，其特征在于，抛光晶圆时，使夹持有数片晶圆的
晶圆夹盘和喷嘴相对线性运动，运动范围在晶圆夹盘的圆心与晶圆夹盘的
外边缘之间或晶圆凹槽的直径范围内。
技术研发人员：金一诺，王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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