用于显示设备的干涉式光吸收结构制造技术

本发明专利技术提供与光吸收结构有关的系统、方法和设备。在一个方面中，光吸收结构具有金属层和与所述金属层接触的半导体层。每一层具有高达约50nm的厚度。所述金属层可包含钛Ti、钼Mo和铝Al中的至少一者。所述半导体层可包含非晶硅a-Si层。所述光吸收结构可包含于具有支撑显示元件阵列的衬底的显示设备中。所述光吸收结构可包含与所述金属层接触的电介质层和与所述半导体层接触的厚金属层。在另一方面中，光吸收结构具有金属层和与所述金属层接触的ITO层。所述ITO层的厚度可小于约100nm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】 相关申请秦 本专利技术申请案主张于2012年12月21日申请的标题为"用于显示设备的干设式光 吸收结构（INTER阳R0METRICLIGHTABSORBINGSTRUCTUREFORDISPLAYAPPARATUS)"的第 13/725, 272号美国技术申请案的优先权，所述申请案转让给本案受让人且特此明确W 引用的方式并入本文中。
本专利技术设及机电系统（EM巧的领域，且具体来说，设及供在显示设备中使用的光 吸收结构。
技术介绍
某些显示装置并入有光吸收层W减少从背光的光泄漏且减少源自周围环境的光 返回朝向观看者的反射。将此些光吸收层并入到显示装置中用于改善显示装置的图像质 量。先前光吸收层具有某些缺点。具体来说，光吸收层有时可提供不充分的光吸收水平，呈 现约20%到约30%的反射率。
技术实现思路
本专利技术的系统、方法和装置各自具有若干创新方面，所述方面中的任何单个方面 都不单独地决定本文中所揭示的所要属性。 本专利技术中所描述的标的物的一个创新方面可实施于包含光吸收结构的设备中，所 述光吸收结构具有金属层和与所述金属层接触的半导体层。金属层和半导体层中的每一者 具有小于或等于约50nm的厚度。在一些实施方案中，所述金属层和所述半导体层中的每 一者具有小于或等于约25nm的厚度。在一些实施方案中，所述光吸收结构跨越可见光谱 的至少一部分且跨越绕垂直于所述光吸收结构的轴约45°的入射角范围的反射率小于约 15%。 在一些实施方案中，所述金属层包含铁（Ti)、钢（Mo)、含Mo合金和侣（A1)中的至 少一者。在一些实施方案中，所述半导体层包含娃（Si)、非晶娃（a-Si)和错（Ge)中的至少 一者。 在一些实施方案中，所述金属层经配置W吸收对应于原色的光，且所述半导体层 经配置W吸收对应于不同原色的光。在一些实施方案中，所述光吸收结构包含与所述金属 层接触的电介质层。在一些实施方案中，所述光吸收结构包含与所述半导体层接触的第二 金属层。在一些实施方案中，所述第二金属层具有大于所述金属层的厚度。在一些实施方案 中，所述半导体层的第一半导体表面与所述金属层的第一金属表面接触。所述光吸收结构 包含与所述金属层的与所述第一金属表面相对的第二金属表面接触的电介质层W及与所 述半导体层的与所述第一半导体表面相对的第二半导体表面接触的第二金属层。所述第二 金属层具有大于所述金属层的厚度。在一些实施方案中，所述电介质层包含氮化娃（SiN,) 和氧化铜锡（ITO)中的一者。在一些实施方案中，所述第二金属层具有至少lOOnm的厚度。 在一些实施方案中，所述电介质层具有大于约30nm且小于约300nm的厚度。 在一些实施方案中，所述设备包含；显示器，其包含显示元件阵列；处理器，其经 配置W处理图像数据；及存储器装置，其经配置W与所述处理器通信。在一些实施方案中， 所述设备包含驱动器电路，所述驱动器电路经配置W将至少一个信号发送到所述显示器， 并且所述处理器经配置W将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。在一些实 施方案中，所述设备包含图像源模块，所述图像源模块经配置W将所述图像数据发送到所 述处理器。在某些此些实施方案中，所述图像源模块包含接收器、收发器和发射器中的至少 一者。在一些实施方案中，所述设备包含输入装置，所述输入装置经配置W接收输入数据且 将所述输入数据传送到所述处理器。 在一些实施方案中，所述显示元件包含机电系统（EM巧显示元件。在一些实施方 案中，所述显示元件包含微机电系统（MEM巧显示元件。在一些实施方案中，所述显示元件 包含光调制器。 在一些实施方案中，所述设备进一步包含：第一衬底，其经配置W支撑所述显示元 件阵列；及第二衬底，其与所述第一衬底分离。在一些实施方案中，所述第一衬底、所述第二 衬底和所述显示元件中的至少一者包含所述光吸收结构。 本专利技术中所描述的目标物的另一创新方面可实施于一种制造光吸收结构的方法 中。将具有小于约50nm的厚度的金属层和半导体层中的一者沉积于衬底上。将对应于所述 金属层和所述半导体层中的另一者且具有小于约50nm的厚度的第二层直接沉积于所述金 属层和所述半导体层中的沉积于所述衬底上的所述一者的顶部上。在一些实施方案中，所 述光吸收结构跨越可见光谱的至少一部分且跨越45°入射角范围的反射率高达约15%。 在一些实施方案中，所述金属层包含Ti、Mo、含Mo合金和A1中的至少一者。 在一些实施方案中，所述半导体层包含Si、a-Si和Ge中的至少一者。在一些实施 方案中，所述金属层经配置W吸收对应于原色的光，且所述半导体层经配置W吸收对应于 不同原色的光。在一些实施方案中，所述方法包含沉积电介质层。在一些实施方案中，所述 方法包含沉积具有大于约lOOnm的厚度的第二金属层。 本专利技术中所描述的目标物的另一创新方面可实施于一种包含光吸收结构的设备 中，所述光吸收结构具有小于或等于约50nm的厚度的金属层。所述光吸收结构还包含与所 述金属层接触的第二层。所述第二层可为具有小于或等于约lOOnm的厚度的IT0层或具有 小于或等于约200nm的厚度的高折射率电介质层中的一者。所述高折射率电介质层的折射 率大于或等于约1. 7。在一些实施方案中，所述光吸收结构跨越可见光谱的至少一部分且跨 越绕垂直于所述光吸收结构的轴约45°的入射角范围的反射率小于约15%。在一些实施 方案中，所述金属层包含Ti、Mo、含Mo合金和A1中的至少一者。在一些实施方案中，所述 IT0层具有小于或等于约70nm的厚度。在一些实施方案中，所述第二层包含SiN式日氧化铁 (Ti〇2)中的一者。 在一些实施方案中，所述光吸收结构还包含与所述IT0层接触的第二金属层。所 述第二金属层具有大于所述金属层的厚度。在一些实施方案中，所述第二层的第一表面与 所述金属层的第一金属表面接触。在一些此类实施方案中，所述光吸收结构包含与所述金 属层的与所述第一金属表面相对的第二金属表面接触的电介质层。第二金属层与所述第二 层的与所述第一表面相对的第二表面接触。所述第二金属层具有大于所述金属层的厚度。 下文的附图和实施方式中阐明本说明书中所描述的目标物的一或多个实施方案 的细节。尽管本
技术实现思路
中所提供的实例主要在基于MEMS的显示器方面进行描述，但本 文中所提供的概念可适用于其它类型的显示器（例如液晶显示器（LCD)、有机发光二极管 (0LED)显示器、电泳显示器和场发射显示器）W及其它非显示器的MEMS装置（例如MEMS 麦克风、传感器和光开关）。根据所述说明、图式和权利要求书将明白其它特征、方面和优 点。注意，W下图的相对尺寸可能未按比例绘制。【附图说明】 图1A展示直观式基于MEMS的显示设备的实例性示意图。[001引图1B展示主机装置的实例性框图。 图2A展示说明性基于快口的光调制器的实例性透视图。 图2B展示基于滚动致动器快口的光调制器的实例性横截面图。图2C展示说明性非基于快口的微机电系统（MEM巧光调制器的实例性横截面图。 图2D展示基于电润湿的光调制阵列的实例性横截面图。 图3A展示控制矩阵的实例性示意图。 图3B展示连接到图3A的控制矩阵的基于快口的光调制器阵列的实例性透视图。 图4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，其包括：光吸收结构，其包含：金属层；及半导体层，其与所述金属层接触，其中所述金属层和所述半导体层中的每一者具有小于或等于约50nm的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：石健如，
申请(专利权)人：皮克斯特隆尼斯有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US